химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

поля. Скорость сдвига, например, для РЬОт: дТмакс/дЕ ? 4,1-10 3 К-см/В, т. е. того же порядка величина, что и в SbSI, BaTi03. Эффект смещения определяется степенью ФЭС (если одновременно или перед измерением ПТ образец ввести в это состояние) таким образом, что действительный сдвиг происходит в сторону высоких значений ? под влиянием внутреннего фотоэлектретного поля в образце.

Освещение фотопроводника — сегнетоэлектрика приводит, согласно теоретическим выводам М. В. Фридкина, к сдвигу максимума пиротока, если температура последнего совпадает с температурой Кюри. В исследованных окислах удалось наблюдать сдвиг пироэлектрического максимума под действием неравновесных НЗ на 1—S К в зависимости от интенсивности возбуждения. Спектральное распределение этого эффекта совпадает со спектральным распределением ФП.

Обнаруженные ПТ и особенности их поведения еще раз подтверждают вероятность перехода окислов РЬ в полярное состояние. Однако сложный спектр пироэлектрических эффектов может быть обусловлен как истинными пиротоками, так и термостимулированным освобождением ловушек, в том числе и тех, которые заполняются НЗ, переносимыми во внутреннем поле пироэлектрика. Для их разделения был применен комплексный метод, включающий в себя терморасчистку максимумов, сравнение эмпирических значений энергии ионизации возможных ловушек с данными анализа ТСТ и ТСД, инверсию поляризующего поля. В результате максимумы групп «а» и «в» связываются с термовысвечиванием ловушек, а дискретные максимумы группы «б» — с пиротоками.

19. Механизмы равновесной проводимости. Обобщенная модель запрещенной зоны

Равновесная электропроводность окислов РЬ состоит из ионного и электронного компонентов. Первый, как это следует из вышеизложенного, практически еще не изучен, но влияет на электронные процессы и косвенно проявляется в фотогальванических явлениях, поляризации, окрашивании. Поляризация электродов, а затем повышенный фотоэффект вблизи них обусловлены малой энергией активации диффузии и дрейфа ионов примесей и, в первую очередь, сверхстехиометрического кислорода в межслоевых пространствах решетки. Под влиянием зондирующих импульсов света наблюдалась передислокация в сторону катода области повышенной ФЭЧ, первоначально дислоцирующейся обычно вблизи анода.

Нестехиометричность моноокислов и окислов промежуточного состава приводит к амфотерности их электронных свойств со склонностью после термообработки в кислороде к дырочной проводимости. В РЬ02 вследствие избытка РЬ проводимость практически всегда электронная. Монокристаллы РЬО переходят от п- к р-типу около 433 К- Поликристаллы РЬОр становятся дырочными при ? л 720 К и давлении 02, равном а 1,33 Па. Вследствие дефектности структуры и высокой концентрации примесных состояний ? окислов РЬ изменяется в широких пределах от я, 103—10~~2 См/м в РЬ02 до я Ю-1—Ю-4 См/м в низкоомных монокристаллах РЬО и до я; Ю-12 См/м в слоях и таблетках РЬОр и РЬ304. Дефектная природа амфотерных свойств РЬО вскрывается при обработке ее в кислороде и введении примесей различной валентности. Как показал X. Ричель, образование, например, акцепторов введением К и Na требует энергии активации всего 0,3—0,5 эВ. Несколько больше энергия образования дефектов по кислороду: внедрения — 0,7—1,1, а вакансий — 0,5 эВ, в то время как истинная энергия ионизапии их в РЬОр

94

лежит в пределах 2,1—2,5 и 2,6 эВ при 655—755 К. При низком (я; Ю-2 Па) давлении кислорода РЬОр сорбирует его в интервале 570—623 К, а десорби-рует ниже 300 и выше 623 К. В результате сорбции приповерхностная область до глубины 200—400 мкм имеет дырочную проводимость при сохранении электронной проводимости в объеме. По измерениям эффекта Холла в низкоомных кристаллах максимальная подвижность электронов я; 100 см2/(В-с), а энергии активации доноров 0,04—0,7 эВ в РЬОх и 0,25— 0,5 эВ в РЬОр.

Концентрация глубоких и мелких примесных состояний весьма велика в окислах РЬ и превышает 1022 м-3. Но тогда низкое значение ? определяется либо автокомпенсацией, вообще говоря, термодинамически неизбежной в широкозонных полупроводниках, либо низкой подвижностью НЗ.. Дрейфовое значение последней, как это уже было показано, действительно может быть малым, но и значения холловской подвижности ??, не зависящей от прилипания к ловушкам, также невелики и составляют Ю-2—101 см2/(В-с). Это, как известно, может быть связано с такими обстоятельствами, как узость зон проводимости и вследствие этого большая эффективная масса НЗ, существование межкристаллитных потенциальных барьеров и областей различного сопротивления, проводимость по узким поляронным зонам ниже дна зоны проводимости и перескоки поляронов малого радиуса или электронов по примесной зоне. X. Ричель для объяснения подвижности электронов я; 3—7 и дырок яг 0,2—0,7 см2/(В-с) ввел эффективные массы НЗ до 103 т0. Такие массы можно, по-видимому, ожидать вдоль некоторых кристаллографических направлений слоистых структур, но в поликристаллах основную роль должны играть межкристаллитные барьеры и компенсация доноров а

страница 40
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
урна настенная ун-2
электро шторки на гос номера
шкафы сборные промышленные
сухой склад для мебели в зао москва

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(26.03.2017)