химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

асной РЬОп барьеры для электронов 0,86 и 0,98 эВ, а для дырок 0,93 и 0,99 эВ соответственно; в сумме они приближаются к термической ширине запрещенной зоны ??? ? 1,98 -г- 1,97 эВ. Й. ван ден'Бруком и Ф. дю Шатенье в монокристаллах ?-типа красной РЬО методом Фаулера при минусе на Ag-электроде получено значение е(р л 0,95 эВ, а при плюсе е<р « 1,05 эВ, что в сумме составляет ??? -л 2,0 эВ. В слоях р-типа барьер дли эмиссии электронов примерно 0,9—1,0 эВ.

18. Фото-э. д. с, термо-э. д. с. и пироэлектрические эффекты

Фото-э. д. с. Первые исследования СЧ внутреннего фотоэффекта в РЬО были выполнены в режиме фото-э. д. с. конденсаторным методом с модулированным освещением Е. К. Пуцейко. Образцы представляли собой порошкообразные со связующим веществом напыленные слои. Тогда предполагался чисто диффузионный механизм образования фотонапряжения (ФН), но уже было замечено, что измеряемое ФН сложным образом зависело от длины волны облучения, характера подсветки и состава окружающей среды. Фото-вольтаический эффект (ФВЭ) обнаруживался в ближней УФ-области спектра с максимумом в районе 380 нм. Дополнительная подсветка (? = 366 нм) приводила.к уменьшению ФН в УФ-области и появлению новых максимумов в видимой и ИК-областях: первый прилегал к длинноволновому краю собственного фотоэффекта (? = 430 ч- 440 нм), а второй, с максимумом около 800 нм, располагался в широком интервале (500—2000 нм). Удаление 02 и прогрев пленок-РЬО постепенно снижали фоточувствительность в ИК-области. При откачке воздуха в слоях РЬО не наблюдалось резкого падения ФН в УФ-области, как это характерно для ???. Пары Н20 не снижали ФН в собственной полосе и снижали в ИК-области. Знак НЗ, определенный конденсаторным методом, в основной полосе поглощения соответствовал электронному, в области 440 нм — смешанному. Дополнительная подсветка (? = 336 нм) меняла тип проводимости в основной полосе на смешанный, а в области первого дополнительного максимума — на дырочный. Наблюдалась также смена типа проводимости с электронного на дырочный в тонких слоях РЬО после прогрева их в кислороде, но после выноса на воздух эти слои постепенно снижали ФЭЧ, особенно в ИК-области.

Релаксация ФН, измеренного конденсаторным методом, проанализирована В. Н. Ломасовым и О. А. Тимофеевым. Сложность кинетики объясняется взаимовлиянием диффузионного и барьерного компонентов фото-э. д. с. при сильном влиянии прилипания НЗ. Исследование ФВЭ в электрометрическом режиме проведено С. А. Потачевым и др. на различных образцах (таблетки и тонкие слои), различных окислах (РЬОп, РЬОт, РЬОр, РЬ304), в различных спектральных диапазонах (рентгеновском и оптическом), в продольном и поперечном режимах.

Экспериментальные закономерности ФВЭ в окислах РЬ весьма сложны. В зависимости от условий измерений они характеризуются широким диапазоном значений ФН (от единиц до сотен милливольт), инверсиями спектрального распределения ФН, сложностью кинетики и люкс-вольтовых характе-

90

ристик. Анализ механизма ФВЭ выявил участие в нем трех компонентов: поверхностного (барьерного), ловушечного и демберовского диффузионного (рис. 38). Преобладающим является поверхностный механизм. Это следует из сопоставления экспериментальных кривых спектрального распределения ФН с теоретической, полученной В. Руппелем путем рассмотрения различных типов изгиба зон на поверхности и различных условий рекомбинации основных и неосновных НЗ в фотопроводнике. Примерное совпадение спектральной области, где происходит смена антизапорного поверхностного изгиба зон на запорный в разных окислах (КВ-инверсия знака фото-э. д. с), может указывать на единый механизм адсорбции 02 в процессе термической активизации ФЭЧ. Разные положения точки ДВ-инверсии на шкале длин волн определяются существенно различной скоростью поверхностной рекомбинаций. Зондирование приэлектродных областей локализации повышенной ФЭЧ светом, соответствующим максимуму ФЭЧ, приводит к памяти в режиме ФН. Основными свойствами этого своеобразного автофотоэлектретного состояния являются длительное (? >> 103с) время полуспада ФН после снятия светового возбуждения и появление в режиме памяти ФЭЧ в ИК-области. УФ-облучение гасит память лишь на время своего воздействия,т. е. дает вклад в ФН, обратный по знаку. Память связывается с медленными поверхностными состояниями.

Термо-э. д. с. В большинстве известных работ она использовалась в основном для качественного определения знака НЗ. В монокристаллах

гибридного типа при 290 К " *

и ?? = 12 К дифференциальная термо-э. д. с.ат дг 1,2-т-2,2 мВ/К, отвечая равновесной концентрации дырок ? я 10 -ь 10 м-"3. Дырочный тип проводимости обнаруживает термозонд на поверхности таблеток РЬ12019, РЬ304, РЬОт и РЬОр, а также на моноокисных слоях, обработанных термически в кислороде или на воздухе; электронный тип — на РЬ02.

Термо-э. д. с. свежеприготовленного поликристаллического слоя РЬОт не имеет четко выраженной температурной зависимости, характеризуется максимумами до ??^>10 мВ/К и, так же как эффект Холла, инверсиями знака

страница 38
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
арендовать проектор в москве
Фирма Ренессанс лестницы.просто.ру - качественно, оперативно, надежно!
кресло престиж
Предложение от KNSneva.ru смартфон Asus купить - офис в Санкт-Петербурге, ул. Рузовская, д.11

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)