химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

трл 10~5 -н 10~~6с.

см?

104

10

10

-» 1 t

J /1

w

0

• 0 0 • I А / I I /

0 0 / I 1 / / J

/ / / / / / / / j <1

// и

10°

101 10z 10s в

Рис. 36. Вольт-ампериые характеристики монокристалла РЬОх при постоянном напряжении

/ — режим ТОПЗ (в темноте); 2 — режим ТОЭ (при освещении)

87

Таблица 16

Зависимость параметров а; и ? от ФЭЧ и температуры отжига керамик РЬОп

№ образца ФЭЧ при U = const ? '?'?. ? ? ? 10~3, % Температура сенсибилизации фЭЧ отжигом Г, К В темноте На свету ?· о. е.

а,, о. е. а.2. о. е. Oti> о. е. о. е. 1 0,4 300 5,2 0,22 4,0 0,21 0,1

2 2,7 425 4,0 0,46 3,3 0,46 0,18

3 4,0 500 3,9 0,33 4,0 0,4 0,27

4 4,9 550—575 1,8 0,51 1,0 0,9 0,27

5 6,7 1,5 0,6 0,7 0,45 0,28

6 7,2 625 1,5 0,43 0,8 0,47 0,24

7 9,9 1,4 0,47 1,0 0,42 0,27

8 77,6 600 1,0 0,3 0,75 0,2 0,5

Рис. 37. Зависимости плотности начального тока в таблетках (а) красной РЬОп от амплитуды П-импульса напряжения (1—3) и толщины таблеток d (4, при U = 1,6 кВ) и зависимость (б) от Длительности П-импульса напряжения (103 В) конечных значений относительного фототока (5), тока в темноте (6) и при освещенности 103 лк (7)

В тонких слоях прилипание к ловушкам, а также и рассеяние НЗ на границах зерен оказывают особенно заметное влияние на значение дрейфовой подвижности. Так, при измерениях ТОПЗ в гладких слоях РЬ304 ?? = = 7· 10 3 см2/(В-с), а в пористых — 2· Ю-4 см2/(В-с) при захвате НЗ ловушками и соответственно 2· Ю-1 и 3-10 2 см2/(В-с) — без захвата.

Из температурной зависимости ТОПЗ, выражаемой формулой

' = -|"??? (i/Vd3) ?0 (NcINt) exp [—Et!(kT)],

88

выяснилось, что в слабых полях НЗ прилипают к ловушкам с Ej к 0,52 эВ, а при напряжении выше их заполнения — с Et ? 0,1 эВ.

Аналогичные измерения ТОПЗ в пропускном направлении выпрямляющих (с коэффициентом выпрямления ^ ??6) ?—I—я-фотодиодных слоев Sn02—РЬОг—Ag показали, что захват НЗ ловушками с Et ? 0,69 эВ ограничивает подвижность до Ю-8 см2/(В-с), тогда как в более чистых от примесей мишенях видиконов эффективная подвижность на несколько порядков выше (см. гл. 5).

Влияние примесей на эффективную подвижность исследовалось с помощью ТОПЗ и ТСТ при введении в слои РЬОр кремния и железа. Результаты представлены в табл. 18.

Таблица 17

Измеряемая на опыте диэлектрическая проницаемость и дрейфовая подвижность носителей заряда в таблетках с дырочной проводимостью

При определенных условиях ТОПЗ переходит в ТОЭ, и тогда, по Р. Франку и Й. Симмонсу, ток описывается обычным выражением В. Шотт-ки:

/ = /? ехр (ашЕ12),

где /о = А Г2ехр [— ew/{kT)} — ток термоэлектронной эмиссии с А = 120 А/(см2-К) при нулевом поле контакта, а коэффициент Шоттки

ош = [1/(АГ)] }Л3/(4я.8В0).

В диэлектрическом режиме (при узком барьере), когда пролетающий НЗ не успевает поляризовать решетку кристалла, для ? рекомендуется принимать ее значение в вакууме. При толстом слое пространственного заряда в полупроводнике, согласно Р. Зулигу и Р. Мюллеру,

Диэлектрическая проницаемость и подвижность Значения параметров для разных окислов РЬОр РЬОт РЬОп РЬ;,0,

?, о. е. 26—30 24—32 15—25 10—20

??, 15 + 5 160+40 50 + 15 30 + 10

см2/ (В-с)

/

/0 exp [1,53· 10-6?'^ 4 (U + ?/0)14],

где ? 6,3 + 9- поправочный коэффициент на неидеальность контакта; Uо —диффузионное напряжение в области контакта.

Переход ТОПЗ в ТОЭ диэлектрического режима при высоте барьера 0,675 эВ наблюдается в монокристаллах на свету (рис. 36, кривая 2).

Таблица 18

Энергия активации ловушек, создаваемых в слоях РЬОр при легировании кремнием и железом, и эффективная подвижность носителей заряда

Энергия ионизации и подвижность Значения параметров для разных образцов РЬО +0,2« Si + la Si + (0,3 -f- 0,6) % Fe для ? для ? для ? для ? для ?

Et, эВ ????3, см2/ (В-с) 0,55 10,0 0,51 9,0 0,52 2,0 0,42 0,8 0,48 3,0 0,44 2,0

89

? ?—i—я-фотодиоде наблюдается полупроводниковый режим прохождения темновых ТОЭ с барьером, равным в запорном направлении термической ширине запрещенной зоны РЬОт (1,8—1,94 эВ) и несколько ниже (~ 1,3 эВ) в пропускном. На свету барьер уменьшается до ~ 0,67—0,79 эВ, и фотодиод переходит в диэлектрический режим. В слабых полях на некоторых фотодиодах наблюдались симметричные барьеры высотой я; 0,58 эВ в темноте. Такого же значения достигала в этих слоих фото-э. Д. с. При прохождении ТОЭ заполнение ловушек в области пространственного заряда (ПЗ) Nt 2- ??21 -?- 5-1024 м—3. Емкость слоя в запорном направлении 50—250 пф, в пропускном 450—2,25-Ю4 пФ, что говорит о простирании ПЗ при запорном направлении ТОЭ на всю глубину слоя (« 10 мкм).

В слоях Ag — красная РЬО—Ag барьер 0,91 эВ в темноте и 0,79 эВ на свету. В слоих Sn02—РЬО—Ag и таблетках кр

страница 37
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
arbi inka 1
сколько стоит удаление вмятин от града
прокат автомобилей с водителем на свадьбу москва
купить судейскую баскетбольную форму

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)