химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

т зоны проводимости — иа Et = 0,26 эВ. Уровень с Ej = 0,5 эВ идентифицирован не был. В слоях, легированных Bi и Те, Et = 0,30 ~ 0,35 эВ.

Рис. 35. Кривые термостимулированного тока (1—3) и термостимулироваииого разряда конденсатора (4—4') мишени видикоиа

/ — я—?'-система без оптического возбуждения: 2 — то же, что и /, с оптическим возбуждением; 3 — п—1—р-система при оптическом возбуждении; 4, 4' — при положительной и отрицательной полярностях мишени

РЬО как материал характеризуется рядом ловушек, энергия ионизации которых не зависит от типа образца, а в ряде случаев — и от модификации окисла. Природа таких ловушек не всегда очевидна: мелкие ловушки могут быть связаны с нейтральными атомами сверхстехиометрического кислорода, электронное сродство которого в вакууме —1,45 эВ, а первый потенциал иоиизации — 13,6 В. Глубокие ловушки с отталкивающим барьером легко связать с одно- или двухзарядовымн ионами о~, о2-. С учетом принципа Франка—Кондоиа энергия ионизации некоторых ловушек, определяемая

84

по ТСТ, сопоставима с энергией фотонов, соответствующих ИК-поглощеиию иа дефектах структуры типа центров окраски.

Для исследования ловушек в окисиосвинцовых мишенях видиконов авторами совместно с О. К- Гасановым, В. А. Козловым, В. Н. Ломасовым, Л. Г. Тимофеевой и В. С. Майдзинским были разработаны методики измерения ТСТ с электронным контактом и в режиме термостимулироваииого разряда конденсатора (ТРК).

При измерениях непосредственно в видиконе один из контактов с мишенью— электронный луч — является омическим электродом, если поверхность мишени не имеет специального покрытия, а другой — с сигнальной пластиной — почти всегда блокирующим. При использовании несимметричной пары контактов к высокоомному материалу можно наблюдать ТСТ без предварительного оптического возбуждения, так как барьерное поле такой системы способствует «замораживанию» на ловушках неравновесных НЗ при охлаждении.

Типичные кривые ТСТ мишеией из РЬОт представлены на рис. 35. Они обладали хорошей воспроизводимостью. Энергии ионизации ловушек (0,21; 0,24; 0,19; 0,3; 0,52; 0,58; 0,6—0,7 эВ) оказались идентичными значениям, полученным на аналогичных слоях с твердотельными контактами в режиме «замороженной» фото-э. д. с.

Кривые 1, 2 (рис. 35) представляют ТСТ системы ?—г'-типа без блокирующего i—р-перехода на поверхности контакта мишени с электронным пучком. Кривые ТСТ такой системы с оптическим возбуждением и без него обладают сходством, отличаясь лишь степенью заполнения ловушек. Блокируя /-область от электронного контакта i—р-переходом, включенным в запорном направлении, можно было наблюдать кривые ТСТ только при оптическом возбуждении.

Удобство рассмотренного метода заключается в том, что он позволяет исследовать ловушки в готовых приборах без разрушения мишеии. Однако максимальный измеряемый при этом ток ограничивается током насыщения

пучка (х 10~~6—Ю-7 А), а нижний предел измерений может быть ограничен ионными токами. С целью их уменьшения понижаются напряжение питания прожектора и накал катода. Последнее требование обусловлено еще и тем, что катод может подсвечивать слой особенно в красной и ИК-областях спектра. Для определения параметров ловушек используются общепринятые методы. В частности, энергия иоиизации определяется методом Гарлика— Гибсоиа по экспоненциальному нарастанию начального ТСТ iH = = Л-exp [— Etl(kT)} в сочетании с термической расчисткой, позволяющей выявить отдельные уровни в сложном спектре. Для осуществления терморасчистки, после того как образец нагрет до ? первого максимума, он снова резко охлаждается без дополнительного возбуждения, а затем нагревается до опустошения новой, более высокотемпературной группы ловушек. Оценка концентрации НЗ на уровнях прилипания обычно проводится по формуле

nt = [SdV^-tUV)] = 18?/(?????)],

где S — площадь под кривой ТСТ, V — объем образца. Для конкретного определения nt по этой формуле требуется знание значения ?? при температуре максимума ТСТ. Хотя по косвенным данным в РЬО ?? меняется с температурой несущественно, во избежание погрешности В. Н. Ломасовым был предложен метод оценки щ по формуле nt = 2S/(eV), которая соответствует насыщению площади под кривой ТСТ вследствие установления с повышением напряжения равенства ??? = d в системе с блокирующими контактами.

Недостатки исследования ловушек в мишенях методом ТСТ с электронным контактом (возможность возбуждения НЗ из ловушек подсветкой слоя термокатодом до их термического освобождения, трудность определения глубоких ловушек из-за большого темнового тока, маскирующего ТСТ) компенсируются применением ТРК, когда мишеиь рассматривается помещенной в конденсатор, образованный в самом видиконе его сигнальной пластиной,

85

и отделенной сеткой. Мишень заряжают при несколько повышенной Т, затем, заземлив сетку, охлаждают до низкой Т. При равномерном нагреве ловушки, заполненные в поле; освобождаются. Особенностью метода ТРК является возможность исследования в высокоомных полупроводниках с большой концентрацией компенсиру

страница 35
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
техник холодильного оборудования востребованность
Буфеты Дорогие
курсы косметологов в москве
Отличное предложение в КНС Нева: K8P43A - в кредит не выходя из дома в Санкт-Петербруге, Пскове, Мурманске и других городах северо-запада России!

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(07.12.2016)