химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

жит инверсия знака заряда. Деполяризация белым светом сопровождается двойной инверсией знака. Наблюдается также не только одно-, но и двукратная инверсия знака темновой изотермической или термостиму-лированной деполяризации (ТСД). Возникновение не только гетеро-, но и го-мозаряда обеспечивается на опыте наличием двух условий: а) комбинированного оптического возбуждения (светом различных длин волн), при котором НЗ генерируются по всему объему, высвечиваются мелкие и заполняются глубокие ловушки; б) достаточно сильного (инжектирующего) поля. Опытные кривые инверсной деполяризации можно воспроизвести расчетным путем, если предположить, что и гетеро- и гомозаряд локализованы в узких (примерно длины экранирования Дебая L) приэлектродных прослойках на пространственно- и временно-разделенных электронных и дырочных ловушках. Тогда, по теореме Гаусса, напряжение между концами образца РЬО при двукратной инверсии

а при однократной

(23а)

где L — 10 м, рн и щ\ — концентрации дырок и электронов в ловушках, ~ Ю13—Ю15 см~3.

Подстановка в (23) реальных параметров ловушек, определенных независимо анализом ТСТ, позволила получить инверсные кривые термовысвечивания ловушек при следующем упрощающем условии: ток ТСД определяется однородным полем вне областей локализации зарядов и собственной проводимостью образца, а кинетика ТСД — временами жизни НЗ на ловушках:

т,= (Nc, vSflT)-1 exp\Et/(kT)],

где Nc, ь — эффективная плотность состояний в зонах, — тепловая скорость НЗ.

Изотермическая деполяризация с инверсией знака как функция времени также может быть объяснена существованием нескольких пространственно разделенных областей поляризации <3? ?? (где L <:хц 82

ных термической генерацией НЗ из ловушек первичных токов Б. Гуддена — Р. Поля и может быть рассчитан по формуле К- Гехта:

?' N

? = ? 7?= 2 №а0 (V<9 [? - exp (-d/???), i=l i=l

Где ?? _ полный заряд ловушек соответствующей области. Точка инверсии определяется из условия

N

? /1 = °·

i=l

Эффект «замороженной» фото-э. д. с. был обнаружен О. К- Гасановым и В. А. Извозчиковым в 1969 г. на р—i—л-фотодиодных слоях структуры SnO—PbOT—Ag. Суть явления в следующем. Если в полупроводниковой системе с запирающим слоем высокая концентрация ловушек имеется не только вне перехода, но и в истощенном слое, то при возникновении барьерной фото-э. д. с. некоторая часть объемного заряда будет захвачена ловушками в области перехода, что при низкой ? приведет к «замораживанию» фото-э. д. с. после снятия светового возбуждения с сохранением внутреннего поля. Этот эффект приводит к возникновению ФЭС без внешнего поляризующего поля и может служить методом исследования ловушек. Исследованные слои генерировали фото-э. д. с. 0,5 В при ? = 293 К и 0,2 В при 77 К. Для разделения электронных и дырочных ловушек к охлажденному в темноте без внешнего напряжения слою прикладывалось высокое обратное смещение, приводящее к расширению области перехода, преимущественно в сторону более высокоомной части слоя. Так как в исследованных слоях это была ?-область, то таким способом были выявлены электронные ловушки с Е{ 0,16; 0,31; 0,65 эВ. Анализ токов ТСД в режиме инверсии показал, что в таблетках РЬОп уровни прилипания с Et = 0,16; 0,24—0,34; 0,66 и 0,75 эВ вероятнее всего являются электронными, а уровни с Et = 0,44 и 0 56 эВ — дырочными; в РЬОр электронные ловушки имеют Et ? 0,66, а дырочные — 0,31; 0,36; 0,41—0,60 эВ. В РЬ304 электронные ловушки имеют

Таблица 15

Параметры ловушек в монокристаллах (МК), тонких слоях (СЛ), таблетках (Т), мишенях видиконов (MB) и ЭФС РЬО

Тип образцов Параметры для образцов различных типов

Энергия активизации Е{, эВ Степень заполнения ловушек Nt X Ю-18, см-3 Сечение захвата

электронов sin ? ??-, СМ2 дырок stp ? ??'», см2

мк, СЛ, ?, MB 0,16—0,18 _ 1—20 —

мк, сл, ?, MB 0,20—0,22 0,96—1,3 1—9 3,8

мк, ? 0,25—0,27 2,2 3 —

мк, СЛ, ?, MB 0,31—0,33 1,8-2,3 0,01—2,2 —

мк, ЭФС, ?, MB 0,36—0,38 2,2 0,50 —

мк, ЭФС, ? 0,40—0,42 1 0,5 2,8

СЛ, ЭФС, ? 0,50—0,53 2,7—3,2 9,5 2,5

мк, СЛ, ЭФС, ?, MB 0,58—0,60 3,7—7,2 0,01—3 —

MB, ЭФС, ? 0,65—0,70 4—4,9 — ' 1,8

MB 0,76—0,80 — — 1,5

MB 0,90 -

83

Et ? 0,1 + 0,2; 0,4 эВ, а дырочные — Et = 0,06 0,23; 0,42 + 0,56; 0,8; 0,9-;- 1,1 эВ. К настоящему времени авторами с сотрудниками исследованы параметры ловушек в монокристаллах, пленках, таблетках, мишенях ви-диконов и ЭФС. Для комплексного анализа ТСТ и токов ТСД Г. А. Бордов-ским предложен ряд полезных аналитических выражений. Основные данные о ловушках в РЬО суммированы в табл. 15.

16. Термостимулнрованные токи в мишенях видикоиов

Первые исследования ТСТ в слоях РЬОр, использовавшихся тогда в качестве опытных мишеней, провел в 1961 г. Л. Хейне. Он выявил ловушки, отстоящие от валентной зоны на Et = 0,23; 0,33; 0,38 эВ и о

страница 34
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
кресло 868
Рекомендуем компанию Ренесанс - монтаж лестниц - цена ниже, качество выше!

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(30.04.2017)