химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

было проведено на таблетках РЬОп с различным отношением фаз. 8 измерялась косвенно через определение квантового выхода двумя методами:

а) по поглощенной образцом энергии излучения и проводимости:

8={[?(?)????8???]/??},

где РрИ — мощность дозы РИ; ?? — подвижность дырок; S — площадь облучаемой поверхности; Я (?) — отношение энергии ? И, поглощенной образцом, к энергии поглощения РИ в воздухе;

б) методом сравнения в кристалле проводимостей, созданных рентгеновскими лучами и видимым светом, при условии выравнивания коэффициентов поглощения и независимости от вида излу-

77

Оценка средней энергии образования пары

Параметры формулы (21) с?т в РЬОт при разных ? Ет, эВ

АЕ _

ER. эВ г 2,04 3,18 3,38 ?

0,060 10 5,1 7,6 8,0 2,5—2,25

0,060 50 7,5 10,0 10,4 3,7—3,0

0,060 100 10,5 13,0 13,4 5,2—4,0

чения подвижностей и времен жизни НЗ. Если квантовый выход в видимой части спектра рвс, то в рентгеновских лучах

Рри — -—.-----Рве

ВС A'ftvPH

где Nhv — число соответствующих поглощенных квантов.

В видимой части спектра значение рвс определялось на фотодиодных слоях с ?—i—?-структурой и в электрофотографическом режиме.

При достаточно высоком обратном смещении на фотодиоде все генерируемые светом НЗ экстрагируются через электроды, и квантовый выход определяется из измерений фототока на участках насыщения ??? по формуле ? = ??/(??), где N — число поглощенных квантов в 1 с с учетом спектральных зависимостей коэффициентов поглощения и отражения.

В ЭФ-режиме при условии постоянства в течение времени экспонирования эффективной толщины слоя (??3??)

? _ ??0 dUldt ейэфф (1 — R) Nhv

Совместное рассмотрение ? и ? (рис. 33) подтверждает то, что основные максимумы ФП РЬОт и РЬ304 обусловлены межзонным поглощением. Ван ден Бруком получены значения ? в монокристаллах РЬОт существенно ниже обычных (рис. 33, кривая 3'). Причинами расхождения могут быть: отсутствие в исследованных им монокристаллах условий для фотоактивного развала экситонов; некорректность расчета ?, так как вычисления проводились для узкой истощенной области (~ 1 мкм) без учета поверхностной рекомбинации. В ЭФС при слабых полях ? тоже меньше 1, что легко объяснить влиянием поля на механизмы аннигиляции или фоторазвала экситона.

При возбуждении образца излучением от медного антикатода

трубки с длиной волны ?0??? = 0,154 нм было получено значение 78

Таблица 14

носителей заряда методом Шокли

S в РЬОр при раз- ных АЕ р> эВ SP ? Ес. эВ

? Ес

2,76 3,36 ? 2,08 2,19 2,27

6,7 8,0 5:2,4 5,2 5,4 5,6 х2,5

9,7 11,0 3,4—3,3 7,6 7,8 8,0 4,0—3,5

12,1 14,0 4,4—4,1 10,6 10,8 11,0 4,8— 4,4

квантового выхода ??? ~ (1,5 + 0,5)· 103 электрон/квант; его спектральная зависимость представлена на рис. 32.

Рис. 33. Спектральное распределение:

/, /' — поглощения тонкого слоя и монокристалла РЬОт соответственно; 2 — фотопроводимости тонкого слоя РЬОт; 3, 3', 3" — квантового выхода тонкого слоя, монокристалла (по ван ден Бруку) н электрофотографического слоя РЬОт со связующим веществом соответственно

Экстраполяция экспериментальных значений §п в образцах с различным соотношением фаз к монофазным окислам приводит к значениям §р = 8,2 +0,2 эВ и ?т = 5,5 + 0,2 эВ в РЮР и РЬОт соответственно.

Из сравнения экспериментальных и теоретически оцененных значений ? следует, что решетке в процессе ударной ионизации передается энергия 0,8—2,3 эВ и при этом возникает от 10 до 100 «жестких» фононов. Отношение (&/АЕ) ~ 2ч-5 указывает на преимущественную роль в процессе ударной ионизации электронов.

Спектральная рентгеночувствйтельность (СРЧ) экспериментально измерена на электрофотографических и фоторезисторных слоях и сравнена с теоретическими расчетными данными. В качестве экспериментального критерия СРЧ была принята удельная относительная чувствительность К = ??/(??/???), не зависящая от напряжения на образце (U).

79

До мощностей дозы Рри «9-10 5 А/кг дозиметрические характеристики (ДХ) РЬО линейны, и выполняется условие взаимозаме-стимости. Это позволяет определять СРЧ по поглощенной энергии РИ образцом, отнесенной к энергии ? И, поглощенной воздухом:

Я (?):

1 - exp (~??)

рьо

[(?-f- О а) Й]в0здух

(22)

где ?, ?, ?? — коэффициенты ослабления РИ, фотоэлектрического поглощения ? И, отдачи электронов соответственно; d — (здесь и ниже) толщина слоя.

Как для ЭФС [24], так и для рентгенорезисторных слоев (рис. 32) экспериментально найденные значения хорошо совпадают с теоретически рассчитанными. В слоях положение максимума СРЧ на шкале длин волн связано с толщиной слоя закономерностью Ямакс = AdT^, где А = 2· Ю-10 и 6-1(Ги ?1+? , а ? = 0,15 и 0,10 о. е. для d до 50 и от 50 до 103 мкм соответственно. Таким образом, параметром, определяющим СРЧ со стороны коротковолновой границы, служит толщина слоя.

При d>-500 м

страница 32
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
тепловая завеса кэв-24п4021е цена
управления вентиляцией асе cr1-9-10.
стеллажи для инструмента выдвижной деревянный
лимузин на свадьбу в москве

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(26.06.2017)