химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

монокристаллах. В ЭФС со связующим веществом сдвиг дырок, по данным фоторазрядки слоя, 3-Ю-8 и электронов—1-Ю-8 см2/В, а при квантовом выходе, ? = 1 — ?? =s 5-10 10 см2/В.

Реальное время фотоотклика хе колеблется от 10~4 с до десятков и сотен часов в зависимости от условия возбуждения. В большинстве случаев работают оба канала рекомбинации: быстрый, с временем релаксации фотопроводимости в е раз хе ~ 10~2-ь Ю-4 с и медленный, переходящий в определенных условиях в пассивную управляемую полем фотопамять.

Температурная зависимость кинетики характеризуется уменьшением инерционности по мере возрастания Т. Секундные процессы релаксации в РЬОп определяются мелкими уровнями прилипания cEt ~ 0,06 4-0,12 эВ с сечением захвата H3S, 10-21--10-22 см2. В тонких слоях РЬОр Et ^ 0,5 эВ. Такие же примерно энергии ионизации поверхностных ловушек (.E^ ^ 0,1 4-0,6 эВ) в РЬОп. В сурике процессы релаксации контролируются ловушками с Et ~ 0,06; 0,14; 0,26 эВ, с Nt « 10й 4-1013 см"3 и S,^ 10_214-Ю~15 см.

С ростом интенсивности возбуждения инерционность уменьшается. Этому же эффекту способствует подсветка образца видимым светом при рентгеновском возбуждении.

В ряде случаев (сильное поле, высокая освещенность и др.) отмечены аномальные эффекты: нелинейная кинетика, колебания и выбросы фототока и др., которые в разных условиях связаны с перезарядкой ловушек, ограничением фототока объемным зарядом, инжекцией НЗ через приэлектродный потенциальный барьер и предпробойным состоянием.

14. Взаимодействие с рентгеновским излучением

Действие квантов жесткого электромагнитного излучения на полупроводники и диэлектрики может приводить к радиационному структурному дефектообразованию и наведенной радиационной проводимости (РП).

Дефектообразование под влиянием ионизирующего излучения в окислах РЬ не исследовалось. Й. Гофман в 1935 г. сообщал о том, что у- и ?-радиация от 600 г радия за короткое время вызывает изменение цвета РЬО из желтого в коричневый, а в течение 60 дней приводит к появлению в РЬ304 небольшого количества желтой РЬО и в РЬО а—металлического РЬ. С процессом дефектообразования не-

75

посредственно связаны радиационное окрашивание и радиационно-стимулированное ускорение диффузии серебра в РЬО [11 ].

К коэффициентам взаимодействия рентгеновского излучения (РИ) с веществом относятся массовые коэффициенты ослабления, фотоэлектрического и комптоновского поглощений и рассеяния.

Рис. 32. Спектральное распределение:

1 — 7 — рентгеночувствительности слоев красной РЬОп толщиной (мкм): 1—5; 2 — 10; 3 — 35; 4 — 100; 5 — 500; 6 — 1000; 7 — 2000; 8 — квантового выхода РЬОр; 9 — квантового выхода РЬОт; 10 — коэффициента ослабления; // — коэффициента фотоэлектрического поглощения

Расчет этих коэффициентов для РЬО приведен в [24 ]. Показано, что в интервале ? = 0,006ч-0,1 нм ослабление излучения в основном определяется фотоэлектрическим поглощением при незначительном вкладе комптоновского рассеяния. Кроме того, в РЬО вследствие большого различия массовых чисел атомов РЬ и О ослабление РИ преимущественно определяется первыми. Коэффициенты ослабления и фотоэлектрического поглощения приведены на рис. 32.

76

При взаимодействии ионизирующего излучения не очень высоких энергий с веществом первичным результатом является образование электронов высоких энергий за счет фотоэлектрического поглощения и комптоновского рассеяния. Теряя за время порядка ^ 10~" с свою энергию, эти электроны вызывают рождение огромного числа электронно-дырочных пар как носителей заряда. Поэтому при рассмотрении РП, помимо коэффициентов взаимодействия РИ с полупроводником, важными параметрами последнего являются квантовый выход фотоионизации ? и средняя энергия образования пары электрон—дырка 8- Если 8 не зависит от энергии квантов, то ? == hv/8 в спектральной области, где hv > АЕ полупроводника.

Энергия образования пары и квантовый выход. Вследствие правил отбора и сильного электрон-фононного взаимодействия при ионизации жесткими квантами 8 заметно превышает АЕ. Согласно теории ударной ионизации, пороговое значение 8 должно превышать АЕ по крайней мере в два раза в узкозонных полупроводниках и в три-четыре раза — в широкозонных. В окислах свинца процессы образования пары НЗ удовлетворительно описываются феноменологической теорией В. Шокли, учитывающей электрон-фононное взаимодействие. По Шокли, ионизация сопровождается образованием рамановских фононов с максимальной энергией ER, число которых г при одном акте возбуждения кристалла зависит от отношения средних длин свободного пробега «горячего» электрона между актами ударной ионизации и рассеяния с образованием фононов. С учетом этого процесса

? = 2,2?? + rER. (21)

Теоретические оценки 8 по формуле Шокли при ER ~ 60 мэВ и для различных чисел г приведены в табл. 14. Для сложных систем энергию ионизации следует рассматривать в первом приближении как аддитивную функцию состава, т. е. для РЬОп : 8П = = 8rqT гЬ 8pqp, где qT, qp — массовые доли РЬОт и РЬОр в образце.

Экспериментальное определение 8

страница 31
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
профлист на заказ иваново
контактные цветные линзы цвет оливковый купить москва
курсы по маникюру и педикюру зеленоград
97493-003

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(05.12.2016)