химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

] — I}"1.

Локализация полос СЧ и температурная зависимость /ivMaKC позволяют связать механизм ФП с экситонными состояниями ? области непрямых разрешенных переходов. Фотоактивный развал экситонов происходит на дефектах решетки, в первую очередь, типа центров окраски. В полиморфных образцах наблюдается и непосредственная ионизация дефектов.

Важной особенностью ФП окислов является влияние на СЧ последовательности экспонирования образца при записи спектра (рис. 27) и подсветок. Запись со стороны длинных волн (ДВ) или аналогичная подсветка стимулируют ток в максимуме и КВ-части СЧ, действие записи со стороны KB — обратное. Этот эффект связан с фотовысвечиванием центров окраски, участвующих в процессе ФП, и с конкурирующими механизмами объемной и поверхностной рекомбинаций. Поэтому форма кривой СЧ и значение фототока в первую очередь зависят от состояния поверхности и степени заполнения поверхностных состояний носителями заряда, регулируемой, в частности, подсветкой (рис. 28). С учетом поверхностной рекомбинации СЧ РЬО качественно описывается ¦формулой X. де Вора для плотности фототока /ф:

• _ 1—ехр(—ad) g[(l/L)cth (d/2L) — acth (ad/2)] )

* 1 + I cth [d/(2L)] \ ?[(1/^)2-<*2] J'

где ? = S/(Dt~{) — отношение скоростей поверхностной (S) и ¦объемной рекомбинаций; ? — время жизни носителей заряда в

700 нм

Рис. 27. Спектральные зависимости:

J — прироста диффузного отражения красной РЬОп после отжига (600 К. 15 мин); 2 — прироста диффузного отражения после фотоэлектрического окрашивания; 3, 3' — фотопроводимости при различных направлениях записи

68

объеме; L и D — длина и коэффициент диффузии НЗ соответственно; d — толщина образца. Специфическая форма СЧ, постоянство квантового выхода в области сильного поглощения света (см. ниже), а также линейная зависимость ?? = f (1/a) в той же области, позволяют оценить S, L и D методами, развитыми В. Г. Субашиевым, В. А. Петру сев ич ем и др.

В гибридном монокристалле красной РЬО S ~ 103-н104 см/с; L (по оценке методами, упомянутыми выше, и по измерениям методом светового зонда) меняется в различных образцах с изменением условий от =к Ю-6 до =s Ю-3 см. К физическому смыслу S

о.е

6ф \

? ?

i

и \

-о**=^— \ ^0

15

6? \

6- J

\

*** "4 , ?

400

600

??

400

600

Рис. 28. Спектральная чувствительность монокристаллов красной РЬОп:

/ — без подсветки; 2—с фиолетовой подсветкой; 3—через 30 ч после фиолетовой подсветки; 4 — с инфракрасной подсветкой; 5 — без подсветки и травления поверхности; 6 — после травления 33%-иым раствором Н202

в окислах РЬ следует подходить с осторожностью: ее нельзя рассматривать как универсальную величину, так как квазиравновесное распределение избыточных НЗ нарушается полем заряда в области приповерхностного изгиба зон.

В электрофотографическом (ЭФ) режиме эффективное значение S должно изменяться в процессе разрядки, что с неизбежностью отразится на спектральном распределении фототока разрядки (СРФР). Основные результаты исследования этого эффекта на слое РЬОт толщиной 50 мкм представлены на рис. 29, а, где кривая / отражает СЧ продольной ФП в постоянном электрическом поле (=s 103 В/см), а кривые 3—8 — эквипотенциальное СРФР. Отличием последних от используемой в практике электрофотографической чувствительности (ЭФЧ), характеризуемой спектральным распределением изоэнергетического времени полуспада начального потенциала Si/2 = [\l(Wt)\, является то,что они получены графическим интегрированием временных функций потенциала до ряда его постоянных по спектру значений при спаде в процессе моно-хроматизированных возбуждений слоя. Другими словами, кривые

69

3—8 являются подобием СЧ ФП (так как dUldtTcdqldt ^ /ф), но в режиме ЭФ при заданном мгновенном значении потенциала.

СЧ фотопроводимости слоя имеет характерную для фоторезистора с высоким значением S колоколообразную форму и схожа с СЧ тонких слоев или монокристаллов РЬОт. Подобными ей выступают кривые 2 (стандартная СЧ ЭФС РЬОт) и 3 (СРФР, полу-

Рис. 29. Спектральное распределение для ЭФС РЬОт со связующим веществом

(а) и толстых слоев РЬОр (б) а: / — продольной ФП /ф; 2— электрофотографической чувствительности S|/2; 3—8 — фототока разрядки ЭФС / · б — напряжение на образце (В): / — 100; 2 - 200; 3 - 300; 4 - 400; 5 - край поглощения

ченное при наименьшем мгновенном потенциале, приближающемся к остаточному потенциалу). По мере нарастания мгновенного потенциала (сокращение времени от начала экспонирования до точки дифференцирования) кривые 4—8 приближаются по форме к спектральному распределению квантового выхода или к кривым СЧ фотопроводимости в монокристаллах с низким значением S. Одновременно максимум СРФР сдвигается в сторону КВ. Эти закономерности объясняются возрастанием S по мере уменьшения поля вблизи поверхности слоя в процессе разрядки ЭФС при экспонировании

70

сильно поглощаемым светом. Влияние поля на СЧ РЬОр в режиме ФП показано на рис. 29, б.

страница 28
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(21.02.2017)