химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

От. В этом случае при &т = 5,9 +0,4 (см. табл. 6), согласно отношению ЛСТ (2), ? = 7,0 +0,6, если ???0 = 30--40 мэВ.

В. Аномалии функции АЕ(Т) отмечаются при Т<100 К: Для сурика функция ??0 (?) испытывает перегиб и растет с понижением ? по экспоненте АЕ (Т) = (2,13 +0,02)-ехр [9,5· 104/(^Г) ]. При этом цвет сурика обратимо изменяется от красного к желтому; в РЬОт ??0 с понижением ? от 77 до 4,2 К уменьшается, как и зависимость АЕ (Т) халькогенидов РЬ, со средним коэффициентом 6,5· Ю-5 эВ/К (см. § 9); в РЬОр при 7 ^ 4,2 К выявляются переходы с энергиями 2,9 и 3,1 эВ.

64

Таблица 12

Оптическая энергия активации и эмпирические параметры формул

(18) и (19)

Окисел № формулы Интервал температур Г, К Эмпирическ метры фо В, эВ ие пара-рмул мэВ Экспериментальное значение при ? = 300 К АЕ, эВ Экстраполированное значение АЕ (0), эВ

РЬОт 18 100- -600 0,09±0,06 41,5 2,04±0.06 2,09+0,06

РЬОт 19 80- -600 0,11+0,03 54+1 2,04+0,06 2,09+0,02

РЬОр 18 120- -780 0,42+0,03 40,7 2,76+0,02 2,85+0,10

РЬОр 18 80- -500 0,65+0,05 54+1 2,76+0,02 2,90+0,10

РЬОр 19 80- -800 0,44+0,05 40,7 2,76+0,02 2,88+0,02

РЬОр 19 80- -500 0,65+0,05 54+1 2,76+0,02 2,88+0,03

РЬзО, 18 175- -600 0,53+0,03 55 2,19+0,02 2,26+0,06

Имея данные о &Е(Т), уместно вернуться к корреляции АЕ с термодинамическими функциями. Расчет показывает, что эта корреляция аналитически выражается уравнениями: ?№ = = аАЕ — для удельной свободной поверхностной энергии плоскостей с индексами hkl; дАЕ/дТ = РСР — для молярной теплоемкости при постоянном давлении; AF= ?\?? — для свободной энергии; АН = ??? — для энтальпии.

Коэффициенты ?, ?, ?, ? — слабо меняющиеся линейные функции Т, несколько отличающиеся для РЬОр и РЬОт. Функциональная связь аш, АЕ, ? определяет значение АЕ (0) в РЬОр, равное 3,02 и 2,9 эВ, причем первое значение связано с плоскостью (00г). Для РЬОт АЕ (0) = 2,0 эВ. Вводя полную удельную поверхностную энергию А§ш, получим уравнение

АЕ^(А-ЬТ)А<§Ш, (20)

где А<§ш в Дж, АЕ в эВ; средние значения постоянных А = = 7,24 и 19,1 эВ-м2/Дж, Ь — 4,83· Ю-4 и 5,71 · Ю-3 эВ-м2/(Дж- К) для РЬОт и РЬОр соответственно.

При ? = 300 К для РЬОт АЕ = 2,05 эВ, для РЬОр АЕ = = 2,82 эВ.

13. Фотопроводимость

Значения оптической ширины запрещенной зоны в окислах свинца сведены в табл. 13 на основании материала предыдущего параграфа.

Спектральная чувствительность (СЧ). Фотоотклик монофазных образцов на изменение .спектрального состава света при поддержании постоянными энергии (изоэнергетическая СЧ) или числа квантов (изоквантовая СЧ), падающих на фотопроводник, проявляется в форме единичных (РЬОт и РЬ304) или двух-трех перекрываю-

3 Заказ № 1475

65

о.

я

а о,

s

? СО

а

СМ

й

о

Я

л ч

св

S

йй

оо о

cn"cN~

cn —Г

а

о .ел С

?> о)

I °1 <м ?? о)

а аГ<"о"

° со см"

+1 ....

q?

° со 00 О i со

+lcnffl

cn «3 00 О)" О)" of

о" co tC cn cn cn

to cd cn cd

•I- +1

°

П I °'

- (T) ? со ra

Л. 4 О о ч <м" Ч га

- Я ч О. о

* с

о * о S

кто <м

о

оса

с т

S я

т Э

О О)

« ? О

6- 1

*tr eg Я о

Я ? CD

?

? ?

?

? ? ? я S

я а. * о ? о s

о

I ?

я а. с

а»

CU .

>, Я ?& Я —

SCQ

я §

Ч га

4 s-га о и я " а. я «

О. я

« ч

5 °

§в

.?«

о о ·

—. со

о s-о

?

3

с?

3 ?

X

3 S к а. с

го С

з"

S

к а. с

a

3

3 S

к а. с

a

66

щихся (РЬОр) колоколообразных полос в области длинноволнового края сильного поглощения (рис. 26, табл. 13). В ряде случаев ФЭЧ распространяется в УФ-область спектра. В ближней ИК-об-ласти ФЭЧ весьма мала у образцов, длительное время выдержанных в темноте, но индуцируется (особенно в полосе 1,4—1,5 эВ) коротковолновой (KB) подсветкой и сенсибилизируется введением Те, Se, S, а также термообработкой в кислороде. Добавка к РЬ0Т до 10% СиО сдвигает максимум ФП к 630 нм. Согласно Й. ван ден

Рис. 26. Спектральные зависимости (а, б, в) и фотопроводимости (г)

1 — РЬОр! 2 — РЬОт (2 — монокристалл, 2' — тонкий слой, 2" — поликристалл); 3 — РЬд04; 4 — красная РЬОп; 4' — желтая РЬОп

Бруку и А. Неттену, в поликристаллах РЬ0Т + SnO максимум ФП закономерно сдвигается от 2,0 до 1,1 эВ с повышением содержания SnO от 0 до 100%. Поданным В. Хейнтце (1923 г.), соединение РЬС03-РЬ(ОН)2 характеризуется максимумом ФП около 280 нм, ступенькой до 360 нм и «хвостом», простирающимся к 600 нм.

С понижением ? фототок РЬО и РЬ304 снижается, а максимумы ФП (/ivMaKC) (кроме максимума около 2,8 эВ в РЬОр) сдвигаются в сторону коротких волн почти симбатно изменениям ? ? (?) в соответствии с формулами, аналогичными формулами Фэна—Рад-ковского:

а) для РЬОр:

Ьмакс = (2,09 ± 0,05)-(0,8 ± 0,3) {ехр [(0,045] + 0,005)/(/s7)] — ?}-1;

3*

67

б) для монокристалла РЬОт:

К,акс = 2,075—0,24 {exp [0,053/(67)] — 1 р1;

в) для РЬ304:

Ьмакс = (2,29 ± 0,035)—0,9 {exp [0,055/(67)

страница 27
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
благодарственное письма фонду изгелек
купить наклейкй на авто локомотив хк
футбольный экипировочный центр в москве
29 августа юнона иавось

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(20.08.2017)