химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

.), что сверхстехиометрия кислорода в них может достигать

Рис. 20. Изменения спектров диффузного отражения (а, б), поглощения в области непрямых разрешенных переходов (в) и фотопроводимости (?', б) при фазовых переходах РЬОр-*- РЬ304 (а, ?'), РЬОг-э- РЬ304 (б, б') и РЬОр-> РЬОх (е). Время окисления (ч) и содержание (%) РЬ304 в исходном

порошке

?, ?': 1 — 0; 0; 2 — 0,33; 0,12; 3 — 5; 3,5; 4 — 10; 4,7; 5 — 22; 24; 6 —42; 85; 7, 8 — 45 -f- 70; 86 -=- 89; 9 — 71; 90; б, б': 1 — 0; 0; 2,— 0,5; 4; 3 — 1; 42; 3' — 14; 82; 4 — 19; 85; 5 — 44; 95. Состав слоев (е)

/ — желтая РЬОп (РЬО > РЬОт); 2—4 — нарастание содержания РЬОт; 5 — красная

РЬОп (РЬОр < РЬОт)

состава РЬ01Д8. Это может объясняться легкостью перемещения О2 в межслоевых пространствах решетки и согласуется с представлениями Е. Я- Роде (1930 г.) о квазицеолитном поведении окислов РЬ по отношению к кислороду и воде.

Отмеченные выше особенности поглощения окислов отражают их сложную зонную структуру при несовпадении экстремумов зон в ^-пространстве, склонность к неупорядоченности и вероятность экситонного поглощения. Рассмотрим это подробнее.

56

Независимость характеристического параметра экспоненциального «хвоста» от ? предсказана В. Л. Бонч-Бруевичем и Е. В. Бурцевым [4, 26] в теории поглощения неупорядоченных полупроводников или полупроводников со случайными статистическими полями любой природы. В теории [26]

W0= [2,2//(2??)] (па3)2'5, (17> где а — боровский радиус, а ? = 2?2"?— эффективная концентрация примеси с зарядом zt, выраженным в электронных единицах. Оценка параметра w0 по (17) [36] при щ « 1020-г-1021 см-3' согласуется с экспериментальными его значениями.

Двухэкспоненциальному спаду отвечает анизотропия полей. При слабой анизотропии должна наблюдаться [4] сумма трех экспонент. Этот случай реализуется в спектральном ходе поглощения стеклообразной РЬО, где

а = ах exp (hv/l ,12) + а2 exp (/iv/0,47) + а3 ехр (/??/0,023).

Правило Урбаха обычно выполняется в кристаллах с выраженным экситонным поглощением. В разупорядоченных полупроводниках экситонные состояния существенно нестационарны, и их линии в спектре должны размываться вплоть до полной ненаблюдаемости. Однако Ю. А. Черкасову [21 ] удалось наблюдать экситонные эффекты в спектрах квантового выхода ЭФС и люминесценции не только упорядоченных, но и неупорядоченных систем.

Вероятность связи механизма ФП с экситонным поглощением в РЬО рассматривалась В. А. Извозчиковым и М. С. Косманом еще в начале 60-х годов. Теперь анализ семейства кривых a(hv), полученных при разных ? и подчиняющихся (14), позволяет выделить процессы многофонного взаимодействия возбужденных состояний у границ энергетических зазоров, соответствующих АЕ0 (0): ~ 2,6 и 2,94 эВ в РЬОр; 2,075 и 2,27 эВ в РЬ304. «Отрицательный» эффект Урбаха в РЬОт на основании расположения фокальной точки (hv0x 1,8 9B)Дополнительными доводами в пользу существования экситон-ных эффектов в окислах свинца являются: а) обнаружение размытой «тонкой» структуры СП и ФП в области ДК РЬОр, где ФП резко падает со снижением ? [36]; б) появление в спектрах монокристаллов РЬОт экситонных линий при низких температурах в областях межзонных прямых (3,170 и 3,346 эВ) и непрямых (1,966 эВ) переходов с участием фононов, имеющих предельные энергии 21 и 57 мэВ (см. § 3 и 9); в) особенности квантового выхода ФП (см. § 14 и гл. 5) — плавное нарастание его к единице в области ДК и зависимость от внешнего электрического поля.

57

Гетерофазные образцы. В гетерофазных образцах форма ДК определяется соотношением фаз — компонентов. Эту зависимость проследим на примере перехода от желтой к красной РЮП. В таких образцах (рис. 20, в) область ДК делится на три части. Две из них отвечают непрямым разрешенным переходам в РЮТ и РЮР при значениях АЕ0 несколько меньших, чем в монофазных образцах, а третья — промежуточная — разупорядоченной примесной структуре, где поглощение описывается набором гауссовых полос:

"—(hv — ЙУмакс)21

(kTcY

:ехр

Здесь Тс — характеристическая температура. Параметры ряда полос представлены в табл. 10 вместе с характеристиками полос в ближней ИК-области спектра, общей для всех трех окислов (~ 1,45-г-1,50 эВ).

Таблица 10

Параметры полос поглощения в окислах свинца

. ¦ "Ь «ЯР Сила осциллятора (f,*.-),

концентрация (?'? и эффектив1

н I С ? Xй-? а о о 7 и ? га ? > •С ное сечеиие (?^?) поглощения Окисел Коэффици ломления мумах noj щения, п. а о "о га а 8 и (?? а ъ а; о. е. NtA0—16, см ^ °ftv>< ? ??16, см2

РЬОт 2,51 31 1,5 4,8 0,8 0,30 10,3

РЬОт 2,75 360 2,3 6,1 0,7 6,3 5,7

РЬОт 3,0 865 2,6 5,0 0,6 10,5 8,2

РЬОт 3,1 920 2,7

страница 24
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
складовка
уровень цинка в крови норма
суппорт ваз 2114 цена
RDS-040

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(07.12.2016)