химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

ность слоя удерживает потенциал. 1,1 —1,24 кВ со временем темнового полуспада 200 с и светового 0,15—0,25 с. При отрицательной зарядке параметры слоя несколько хуже: 920—880 В, 160 с в темноте; 0,25—0,35 с прн освещенности 500 лк.

ГЛАВА ТРЕТЬЯ

ОПТИЧЕСКИЕ И ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА

9. Оптические свойства слоев и монокристаллов

Преобладающая часть работ по исследованию оптических свойств слоев и монокристаллов окислов свинца посвящена описанию красной границы сильного поглощения света /ivrp = (chlkrp), где с — скорость света, h — постоянная Планка,— и отвечающего ей значения ??0 « /ivrp.

В рентгеновской, УФ- и ИК-частях спектра проведены лишь единичные исследования. В описании спектров поглощения РЬО различными авторами наблюдается резкая неоднозначность (рис. 14). Основной причиной такой неоднозначности является трудность изготовления воспроизводимых и устойчивых по своим свойствам образцов. При этом их оптические характеристики зачастую неконтролируемо управляются неоднородностью состава слоев по толщине, разупорядоченностью структуры, высокой концентрацией примесных состояний. В результате длинноволновый край (ДК) сильного поглощения тонких слоев, как правило, закамуфлирован простирающейся в ИК-область спектра полосой поглощения с коэффициентом поглощения а, достигающим по значению 103 см-1. Эта полоса, как и вся область ДК, чутко реагирует на термообработку в кислороде и другие реакции на поверхности. Так, сенсибилизирующий ФЭЧ отжиг слоев на воздухе при ? = = 600,5 К влечет за собой возрастание оптического поглощения в полосе спектральной чувствительности от 410 до 600 нм. При образовании на поверхности слоев гидрокарбонатов РЬ ДК смещается в область фотонов с энергией hvrp = 4,2 эВ (рис. 15). Дополнительный прогрев, разрушающий гидрокарбонат, освобождает РЬО —

47

Рис. 14. Зависимость коэффициента

поглощения от энергии фотонов / — монокристаллических пленок РЬО ; 2 - тонкого слоя РЬОт; 3 - порошков желтой РЬОп; 4 - порошков красной РЬОт; 5 — монокристалла красной РЬО (по Й. ваи ден Бруку); 6, 7 - тонких слоев РЬОт и РЬО соответственно (по Й. Шоттмиллеру); 8, 9 — порошков красной РЬО„

2,8 ЭВ

основу слоя, и ДК вновь возвращается в область, где /ivrp лежит в пределах 2,0—3,3 эВ в зависимости от преобладающего в слое окисла. Оптическую плотность слоев (D = — In Т0, где Т0 — оптическое пропускание слоя) уменьшает и поверхностный слой РЮ2. Четко ДК обрисовывается на монофазных, бездефектных и текстурированных слоях. Анизотропия поглощения обнаружена на монокристаллических слоях РЬОр (рис. 14, кривая 1); при параллельности светового вектора ? и b-оси кристалла hvrp = 2,73 эВ а при ? ]] а /ivrp = 2,76 эВ. По-видимому, достаточной монофаз-ностью характеризовались слои, на которых измерена дисперсия оптических постоянных в работах [12, 40]. В работе [12] путем анализа дисперсии мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости определены значения ??0 для прямых разрешенных межзонных переходов вРЬ0т(3,18 эВ) ив РЬ0р (3,36 эВ).

Монокристаллы, полученные для оптических исследований, не отличались, как правило, однородностью состава. В РЮР, легированной Bi и Pt, А. Бен Хадж и др. (1968 г.) обнаружили при ? — = 300 К прямые переходы с ??0 = 2,82 эВ и непрямые — с ??0 = = 2,66 эВ, реализуемые при участии фонона с энергией в 30 мэВ. В сильнолегированных низкоомных монокристаллах, описанных в 1968 г. Р. Киезером и др., край сильного поглощения фиксируется в РЬОр npH/ivrp « 2,7 эВ, а в РЬОт при hvrp ж 1,7 эВ для непрямых и 2,75 эВ для прямых переходов. В гибридных монокристаллах положение и форма ДК определяются поверхностной областью РЬОт, для которой в работе [27 ] выявлены непрямые разрешенные переходы при ??0 = 1,975 эВ при участии фононов с энергией ?? = 30+3 мэВ. Ван ден Бруком эти величины в монокристаллах красной РЬО оцениваются в 1,936 +0,001 эВ и 40 мэВ соответственно. В такого же типа кристаллах Д. С. Недзвецкий с сотрудниками обнаружили ступеньки при hv » 2,039; 2,004 эВ при 4,2 К и максимумы в области hv ? 1,966; 3,075; 3,346 эВ при 77 К- Указанные особенности спектра интерпретируются как непрямые и прямые переходы в экситонные состояния (энергии фононов приведены в § 3). В интервале ? = 4,2-^-77 К ширина запрещенной зоны увеличивается с повышением Т, что характерно для соединений РЬТе, PbSe, PbS.

В связи со сложной структурой слоев и монокристаллов для

исследования формы длинноволнового края в области а<104см-1 предпочтительнее использовать СДО мелкокристаллических порошков с размером зерен 1—5 мкм как наиболее устойчивых монофазных образований, в которых одновременно легко реализовать контролируемые в заданном направлении фазовые переходы.

10. Оптические характеристики порошков

Монофазные порошки. Контроль монофазности осуществлялся методом РДА и по эталонным СДО, характеризующимися одним участком крутого роста диффузного отражения (см. рис. 6) без ка-

49

ких-либо дополнительных перегибов, присущих СДО гетерофаз-ных образцов. Эти же спектры являются исходными дл

страница 21
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
купить напольную новогоднюю композицию
частные объявления продажа домов на новой риге
сантехника дешево
моноколесо цена в воронеже

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(06.12.2016)