химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

еличиваются с ростом температуры подложки и толщины слоя.

Первой стадией образования слоя, по данным электронно-графического исследования, непосредственно в процессе напыления [43] является конденсация прослойки РЬОр с ориентацией кристаллитов плоскостью (001) параллельно подложке. Эта прослойка имеет толщину от 20—30 до 200— 300 нм в зависимости от условий напыления, но присутствует во всех без исключения образцах. При наращивании толщины слоя появляются либо новые кристаллиты РЬОр, либо смесь кристаллитов РЬОр и РЬОх, которые растут с преимущественной ориентацией: у кристаллитов РЬОр перпендикулярно подложке ориентировано направление [010], а у РЬОт — [100] при малых скоростях напыления и [ПО] при больших. В присутствии некоторых газов, в частности С02 и Аг, толщина прослойки РЬОр значительно возрастает, и появление кристаллитов преимущественной ориентации задерживается. У образцов, исследованных в работах [30, 32], острота ориентации относительно высока: полуширина дифракционных пиков ?? = 8°, где ? — угол между нормалями к плоскости (ПО) и к подложке. При изменении угла падения молекулярного пучка на подложку (7) угол основной ориентации {<Ро) направления [ПО] зависит от 7 так, как показано на рис. 12, а. Зависимость ?0 от ? свидетельствует о том, что угол падения играет важную роль в ориентации плоскости (110). Увеличение размеров кристаллитов при по-

42

вышении Тпод iуменьшает остроту ориентации (ТПОд = 423 К, ?? = 14°; Тпод = 373 К, ?? = 8°). Замена кислорода на водяной пар значительно уменьшает размеры кристаллитов и остроту их ориентации до ?? = 16°. Материал подложки (стекло, чистое или покрытое двуокисью олова) заметного влияния на ориентацию в приповерхностной области слоя не оказывает, но, как отмечается в [43], на гладких подложках толщина прослойки РЬОр больше, чем на шероховатых, и кристаллиты с преимущественной ориентацией появляются на более поздних стадиях напыления. Скорость напыления заметным образом влияет на ориентацию кристаллитов в приповерхностной области слоя только при наклонном падении молекулярного пучка: при ? = 30° и скорости осаждения 90 мгк/(с-см2) ? 110] = 1/2 ? и повышается до 2/3 7 при стократном уменьшении скорости напыления.

Перечисленные текстурные характеристики и размеры кристаллитов в слоях, изготовленных при Т1ЮД = 373 423 К в различных по составу

я)

5)

»

У

о.е. 80

60

40

20

О

10

20

? 7t

71 \\

1 / ? _Д-—

/

-Ш -18

0

Рис. 12. Зависимость угла основной ориентации ?0 направления [ПО] от 7 (а) и относительная (б) интенсивность (??) отраженного рентгеновского излучения для направления [110] в зависимости от (?—?0) для участков слоя с

толщиной (мкм) / — 1,5; 2 — 2; 3 — 6; 4 — 15

смесях Ог и Н20, имели промежуточные значения по отношению к характеристикам и размерам для слоев, изготовленных при граничных значениях Тпод и содержания 02 и Н20.

При трехмерной регистрации отраженного рентгеновского излучения для образцов, описанных в [30—32], при 7= 30° обнаружена ориентация второго порядка: направление [001 ] перпендикулярно плоскости напыления (плоскость проходит через ось испарителя и нормаль к подложке). Кроме того, трехмерная регистрация выявила существование двойниковых кристаллов, примыкающих к кристаллитам основной ориентации по плоскости (101) и расположенных по отношению к кристаллитам основной ориентации под углом, близким к прямому (103°).

Образование зародышей кристаллитов происходит непрерывно. Несмотря на это, острота ориентации растет с толщиной слоя (рис. 12, б). На основе этой закономерности в [31 ] предложен принцип эволюционной селекции ориентации кристаллитов, позволивший дать приближенную теоретическую трактовку образования некоторых видов текстур, в частности у слоев РЬО. Согласно этому принципу, до наибольших размеров вырастают те кристаллиты, которые на стадии образования зародышей ориентированы так, что направление с наибольшей скоростью роста составляет небольшой угол с нормалью к подложке. Молекулы, оседающие между кристаллитами, ориентированными благоприятно для быстрого роста, могут формировать беспорядочные зародыши, которые будут расти по тому же селекционному правилу, однако эти зародыши, находясь в тени быстрорастущих кристаллов, слабо развиваются.

43

Образование текстуры слоев РЬО на основе принципа эволюционной селекции можно объяснить, предполагая либо малую, либо неограниченную поверхностную диффузию по кристаллиту молекул, осевших из молекулярного пучка. При малой диффузии и независимости вероятности оседания (А)

от угла между молекулярным пучком и плоскостью кристалла (?) приток молекул, например, к быстрорастущей грани а, пропорционален cos (?—??), а вертикальная скорость роста, если пренебречь вкладом медленнорастущих граней, пропорциональна cos (?—??)? X cos ?? с максимумом при ?? = 1/2 ?. Если А со cos ?;, где i — номер грани, то вертикальная компонента роста пропорциональна cos2 (?

страница 18
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
руки вверх йошкар ола 2017
msi 8192mb rx 580 gaming x 8g
купить участки в коттеджных поселках новорижское шоссе
акция на день инвалидов

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(19.10.2017)