химический каталог




Фотопроводящие окислы свинца в электронике

Автор В.А.Извозчиков, О.А.Тимофеев

06) · 1022 см-3 — концентрация молекул РЬО, рассчитанная по рентгенографическим объему элементарной ячейки и плотности «бездефектного» кристалла. Расчет по (4) дает значение я2 = 5,2 ± 0,5, т. е. в пределах эксперимента (табл! 6, [12, 40]).

Для определения ? и ее зависимости от ? перепишем формулу Колена (1) в виде

*2 9

' q ?~? (5)

nv2r0AlpbM0

где ? — плотность PbOp; — предельная частота поперечного оптического фонона; МРь, Mq — массы атомов.

Зная ? (?) [34 ] и полагая по аналогии с халькогенидами РЬ ?16], что ?? (?) подобна зависимости ?? (?), описанной в гл. 3, получим зависимость ? от ? в форме

в(Т) = (21±1) —8· 10~3? + 5·10-7?2 + 5·10-??3. (6)

29

3

at О

a о о. в >> ч о

0>

? *

s *

о

X о

и О

о га

о s ш о, s с

=>

к 09

&>

ё < а •я

? ? ? к s

3 s

_ s

S ? ? s.

о $

? 2

3" «J

? ?

s s ?

о ? ? о к

?

И ?

о о оо —

S ~

Ч «о,

0 ,tf«? I I

1 о*.

ю + ю

to ft

700-

I 41 о ?>

ЮсМ

со ю

-со

ТС

тс й ?

ое ¦

О О)"

а

' СО

¦4·

? 78*:

О 1'СОО

- g I +!

— — ю

CN О

СО — тС ТС СО

I 41 ei| +|

О О —· (N О

—' —' оо со

СО О Ю —'

СМ СО Ю +|

о"оо" "

°°. ^ к s

50 - ~ is

00 О тс 21

« со

О Ю

?> оо"

CN ТС ТС

о" о" о"

о о

СМ — ?" тс

?

ю

оо

S> I "*

¦# о

тс

8 52юю

COOOl — (? 00

о

41 cn о"

О О NOl "

о о _оо41

СЧ тС ? «О

X S

о о

о, с

3 к

Я

К '

?

с о

X 3 S

Ь я с я

Ч т

X

та _

о ь, ш

д ? 5 о С Е<ч

К о

И

я)

? ,-&3

5Г ^

~* C1J .

а ч о)

? си 0)

"5 а § о

а- Й „ ? S я ? а ? ^ и

¦i|s§

я * си

? * CD ГС Я CJ-O Я

» о ? s S с g » я go

Ш u я С

с ? ?

« Я й о m о g *

CU

а* s о.

* cu

4 ·:

5 <"

CU

к

я

СС о Ж о

m s

ср cu та о a*

s|

а- о

m

к ^

а; са

tr о

? я

ж о

со —

< °

с 5 ca s

а.

U о

ч^;1№ 2 с>Г о. х fc ^ ? я

I g ^ §

CU « я f-

с Я 5 Si

и су я >»

? ЕГ И «

» ???

?> о.

О О К, -) 3 3 «i«

X X 3 3

•5 5

cu Ч

о. о

CD 4

С о о о. с с

X X S S ? *

ж я

с с о о

3

4

ft f-

. о

си я

ft

a s я ч

Я и

« к

30

Из (6) получаем, что при ? = О К е » 21, а при 7 = 300 К г = 19. Термический коэффициент (8-10-3) согласуется с экспериментальными его значениями, лежащими для различных образцов в пределах 3· Ю-3—2· Ю-2 для области ? = 140ч-320 К (рис. 10).

Как видно из рис. 10, в области температур, соответствующих фазовым переходам, наблюдается резкий временный рост ?, сим-батный с возрастанием электропроводности и тангенса угла диэлектрических потерь. По мере перехода и стабилизации решетки новой фазы ? вновь уменьшается. По-видимому, этот процесс обус-

i . ? е 1'О.е.

o.e.h ? o.e.he |

100 300 500 700 300 к

Рис. 10. Температурные зависимости диэлектрической проницаемости:

1 — 4 — различных образцов РЬ0р; 5 — РЬ0т до перехода в РЬэ04 (левая ось); 6 — то же, что и 5 (правая ось); 7 — Pbg04 до перехода в Pb0p

(правая ось)

ловлен ростом числа дефектов в кристаллической решетке и частичным разупорядочением ее. Поэтому при температурах фазовых переходов РЬ0Т -> РЬ304, а затем РЬ304 -> РЬ0Р включаются новые механизмы поляризации, в частности дипольная и структурная.

В области 7,<с320 К наблюдается гистерезис функции ? (Г) и максимумы ? при определенных Т, достигающие 20% от средних значений. Эти эффекты хорошо воспроизводятся на одном образце и несколько отличаются от образца к образцу. Последнее обстоятельство дает возможность предполагать возникновение сегнето-электрической ситуации, предсказанной В. Л. Бонч-Бруевичем (3 3 для неупорядоченных систем. Рассмотренные выше точечные группы, к которым могут быть отнесены окислы свинца, не исключают и перехода кристаллов в сегнетоэлектрическую фазу. В связи с этим уместно заметить, что сегнетоэлектрические свойства РЬ0Р предполагались в 1965 г. Ф. Ионой и Д. Ширане, а в 1969 г. — Н. Васой и С. Наякавой.

31

Детальный анализ фононного спектра окислов РЬ не проводился. Можно указать лишь оценочные значения энергий предельных фононов акустической и оптических мод.

По измерениям теплопроводности В. Нойманом и Е. Кингом, температуры Дебая 6Д ~ 156 и 145 К отвечают энергиям акустических фононов kSaK ~ 13,4 и 12,5 мэВ для РЬОт и РЬОр соответственно. Оценка, проведенная для РЬОр по правилу плавления Ф. Линдемана (1910 г.), дала значение /гвак = 16,5.

Мягкая мода оптической ветви колебаний решетки, по данным анализа оптических свойств, характеризуется энергиями ???? = = 30-?-40 мэВ. По соотношению ЛСТ предельные энергии продольных оптических фононов должны быть в 1,3—2,7 раза выше. Например, ван ден Брук, приняв ? = 24, ?2 = 7,1, ???? = 30 мэВ, получил для монокристалла РЬОт Tmalo « 55 мэВ [28]. По спектрам поглощения и люминесценции в подобных кристаллах энергия оптических фононов имеет значения 20,7—21 и 57 мэВ (Д. С. Недз-вецкий и др., 1972 г.). Интерпретируя туннельные спектры контактов РЬ—РЬО—РЬ, И. К. Янсон и др. [1 ] полосу ниже

страница 11
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61

Скачать книгу "Фотопроводящие окислы свинца в электронике" (1.48Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
В КНС всегда выгодно игровые ноутбуки цены - хорошее предложение от супермаркета компьютерной техники.
гладильный комод ariva 248 купить
посуда из меди купить в спб
шумоглушитель круглый

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.04.2017)