химический каталог




Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры

Автор Н.К.Иванов-Есипович

не вытесняют атомов металла из кристаллической решетки, а располагаются в междоузлиях, что подтверждается дифракционным структурным анализом.

Изменяя парциальное давление реактивного газа от 5-Ю-4 Па. до 5-Ю-2 Па,'можно получать пленки различных химических со152

единений газа с металлом. Так, при реактивном ионном распылении тантала по мере увеличения примеси азота образуются соединения: вначале гексагональный нитрид Ta2N, а затем появляется фаза TaN с гранецентрированной кубической решеткой (рис. 55).

100

од

Температурный коэффициент сопротивления танталовой пленки с растворенным в ней азотом имеет большую положительную величину, затем с образованием Ta2N он уменьшается, при парциальном давлении азота 4-10-3 Па достигает небольшой отрицательной величины (—30-Ю-6 град-') и при дальнейшем увеличении давления азота остается почти постоянным (рис. 56). Горизонтальный участок R ? = = /(PN>)> т. е. независимость сопротивления напыляемых пленок от парциального давления азота, начиная с некоторого значения, свидетельствует о возможности получения в производстве хорошо воспроизводимых результатов. Легирующая добавка азота увеличивает стабильность резисторов во времени и под,

нагрузкой. Рабочее давление азота должно подбираться для конкретной установки, так как оно зависит от скорости прокачки азота через рабочую камеру и от размеров катода.

Р, Па

Двухразрядный метод (см. выше) позволяет более точно проводить дозирование при легировании азотом. Это объясняется действием автодесорбции, очищающей подложку наряду с молекулами

Рис. 56. Зависимость температурного коэффициента сопротивления ТКС танталовой пленки нормальной толщины, полученной реактивным распылением, от парциального

давления реактивного газа: /—реактивный газ только азот; 2 — реактивный газ только кислород; Р — парциальное давление реактивного газа

фоновых газов и от части молекул азота, в результате чего участок характеристики, где образуется твердый раствор, оказывается растянутым [79].

153

Осаждение органических пленок в низкотемпературной плазме тлеющего разряда. Для тонких органических пленок в отличие от неорганических диэлектрических пленок характерны малые внутренние механические напряжения и малая пористость. Для получения тонких органических пленок используют явление полимеризации мономерных ^олекул, адсорбированных подложкой из паровой фазы, с помощью электронно-ионного облучения в вакууме. Под влиянием энергии облучения между мономерными молекулами возникают перекрестные связи, в результате образуется тонкая пленка из макромолекул.

В отличие от полимеризации под действием химических отвер-дителей и температуры, когда требуется наличие в молекулах ненасыщенных связей или функциональных групп для протекания реакций полимеризации на подложке, для полимеризации в плазме тлеющего разряда этого не требуется. При воздействии электронов и ионов образуется болыпое количества активных частиц: свободных радикалов, ионов, возбужденных молекул и атомов, способных инициировать реакции полимеризации в тонком слое мономера на поверхности.' Этот метод позволяет создать плотные и тонкие (10 нм—5 мкм) полимерные пленки, обладающие хорошей адгезией к поверхности, из исходных паров стирола, метилсилоксана, гекса-хлорбутадиена и др.

Мономер в парообразном состоянии подается через игольчатое отверстие внутрь камеры. Перед началом работы в камере устанавливают вакуум Ю-4 Па, затем вводят аргон под давлением 1 Па и пар мономера.

Химические реакции при получении органических пленок в тлеющем разряде состоят из двух стадий: образования активных частиц и собственно химические реакции на поверхности подложки.

На первой стадии особое значение имеет образование свободных химически активных радикалов, которые на второй стадии приводят к реакциям полимеризации. Полимеризация приводит к образованию на подложке тонкой полимерной пленки.

Органические пленки, полученные под действием разряда, отличаются высокой точкой плавления и низкой растворимостью по сравнению с пленками, полимеризованными обычным путем. Имея малую пористость, пленки при толщине до 1 мкм выдерживают 60 В пробивного напряжения. Например, из стирола и других углеводородов получают прочные изоляционные пленки с поперечными связями.

§ 4. ОКСИДИРОВАНИЕ В НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОЙ ПЛАЗМЕ

Низкотемпературная кислородная плазма является средой, позволяющей проводить анодное оксидирование (анодирование) при создании тонкопленочных конденсаторных структур, не прибегая к погружению подложек в жидкий электролит. Это дает возможность получать максимально чистые оксидные слои без участия гидрок-сильных групп, увеличивающих потери на низких частотах и вызы-154 вающих значительный разброс параметров. Такое анодирование называют плазменным.

При плазменном анодировании основные электроды газоразрядного промежутка (катод и анод) служат только для поддержания разряда. Диэлектрическую подложку с окисляемой пленкой погружают в кислородную плазму и подают смещение, независимое от основног

страница 66
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91

Скачать книгу "Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры" (2.57Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
курсы 1с торговля для новичков москва
neo cosmo two-tone violet фото
Журнальные столы Sheffilton купить
скамья для посетителей лпу

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(05.12.2016)