химический каталог




Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры

Автор Н.К.Иванов-Есипович

атомов в отдельные группы) благодаря хорошим условиям для перемещения атомов по подложке. здесь решающее значение имеет заряженность частиц вещества. увеличение поверхности гранул за счет дополнительной электростатической энергии и облегчение их слияния в электрическом поле являются доминирующими факторами, определяющими образование сплошной пленки при малых толщинах.

автодесорбция газовых примесей. при ионном распылении есть опасность, что благодаря ионизации атомы примесных фоновых газов будут интенсивно проникать в пленку вещества и адсорбироваться в ней, чему способствуют геттерные свойства свежераспыленной пленки. поэтому важно рассмотреть условия, позволяющие л'далять в процессе конденсации примеси реактивных газов — азота, кислорода. влияние аргона на пленку незначительно.

средством борьбы с фоновыми примесями при ионном распылении является предварительное распыление (разгонка) катода. при этом подложка должна быть закрыта заслонкой или выведена из зоны разряда. в процессе разгонки происходит дегазация арматуры, активные газы поглощаются на заслонке пленкой тантала, которая обладает хорошими геттерными свойствами. обычно применяют охлаждаемый стакан, отделяющий зону разряда от остального объема вакуумной камеры. конденсация вещества происходит на его холодных стенках.

сопутствующая слабая ионная бомбардировка аргоном вызывает автодесорбцию газовых примесей и служит средством очистки растущей пленки. для этого на пленку подают отрицательное относительно анода напряжение.

концентрация примесей (g) в пленке, наносимой в присутствии реактивных газов, может быть найдена из уравнения:

_ an g ~ an + jv, '

где n — количество атомов активных фоновых газов, ударяющихся об единицу поверхности пленки в единицу времени, атом/см2-с; а — коэффициент аккомодации газовых атомов; ni — количество атомов вещества, оседающих на единицу поверхности подл&кки в; единицу времени, т. е. скорость осаждения вещества пленки, атом/см2-с.'

при подаче на поверхность пленки отрицательного потенциала вокруг нее образуется темное пространство. положительные ионы, попадая на границу пространства, ускоряют движение в направлении подложки и бомбардируют ее. при взаимодействии иона с поверхностью пленки будут происходить те же явления, что и при распылении катода. но энергия бомбардирующих ионов мала, поэтому преимущественно будут выбиваться адсорбированные атомы газов, а вторичное распыление вещества пленки незначительно.

если через s' обозначить количество атомов примесного газа, удаляемых с поверхности пленки, приходящихся на один падающий ион инертного газа, то для концентрации примесей в пленке при ионной бомбардировке в первом приближении можно написать выражение [77]: где — плотность ионного тока на подложку; q — заряд иона.

Адсорбция примесей пленкой происходит в основном вследствие ударении с ней нейтральных атомов фоновых газов, а не ионов, поэтому отрицательное смещение на подложке не может прямо влиять на отталкивание примеси.

С точки зрения эффективности очистки пленки конструктивные модификации систем ионного распыления со смещением приблизительно равноценны.

Представляет, например, интерес метод двухразрядного ионного распыления, отличающийся простотой и устойчивостью работы [79]. Транспортер, несущий подложки в подложкодержателях, расположен за плоскостью анода (рис. 53). Для

попадания потока распыляемого вещества нз подложку в анодной пластине имеется окно. Расстояния катод — анод и анод — подложка выбираются так, чтобы обеспечивалась прямая видимость сквозь окно всей плоскости катода с любой точки подложки. На транспортер от отдельного источника подается отрицательное относительно анода напряжение, которое с помощью пружин подается на поверхность подложек. Такая конструкция дает возможность зажигать между анодом и транспортером второй дополнительный разряд, противоположный по направлению основному разряду между катодом и анодом, причем во втором разряде ионы будут бомбардировать подложку.

Электроды и подложка расположены вертикально для того, чтобы исключить опасность засорения рабочих поверхностей осыпающимися с внутрикамерной арматуры чешуйками тантала. Эти чешуйки отделяются по мере нарастания.

Скорость осаждения достигает 50 нм/мин, что всего в 2—3 раза медленнее, чем при термическом испарении. Зазор между катодом и анодом составляет 3 см, между анодом и подложкой — 0,5 см. Благодаря столь малому пролетному пространству снижается вероятность рассеяния атомов вещества из-за столкновений с атомами газа. Анод с окном входит в состав защитного кожуха, сосредоточивая область, в которой распространяются атомы тантала, внутри кожуха и в зоне подложки.

Двухразрядный метод позволяет наносить пленки в двух режимах ионной бомбардировки:

1) режим ионной бомбардировки со смещением, когда расстояние анод — транспортер при данном давлении газа и напряжении катод — анод недостаточно для горения второго разряда;

2) режим ионной бомбардировки в дополнительном разряде, когда расстояние анод — транс

страница 64
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91

Скачать книгу "Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры" (2.57Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
напольная плитка rustico ocre
курсы по холодильным установкам обучение г. тюмень
сколько стоит канальный вентилятор 315 в г.тула
Руснит РУСНИТ 207 МК

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)