химический каталог




Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры

Автор Н.К.Иванов-Есипович

овой разряд с током в несколько ампер. На мишень от внешнего источника подается отрицательный относительно плазмы потенциал такой величины, чтобы энергия ионов, поступающих из плазмы на мишень, была выше порога распыления. Около мишени создается область пространственного заряда с двойным слоем, поле которого направлено так, чтобы ионы плазмы, оказавшиеся на границе этого слоя, начали ускорять свое движение по направлению к отрицательной мишени. Распыление начинается при нескольких сотнях вольт на мишени. Поверхность бомбардируется быстрыми ионами, вытянутыми из плазмы и ускоренными до энергии в сотни электрон-вольт.

Термоэмиссионное возбуждение плазмы в триодной системе позволяет независимо изменять давление газа, плотность тока и потенциал мишени.

Преимуществом такого распыления с независимым разрядом является высокая энергия распыленных атомов и большая скорость роста пленки. К недостаткам метода относятся:

1) неравномерность потока вещества по сечению из-за градиента концентрации ионов в плазме дугового разряда вдоль оси электронного луча, перпендикулярной оси потока вещества;

2) необходимость частой замены термокатода из-за сравнительно быстрого отравления — химического взаимодействия газа с накаленной нитью с образованием низкоэмиссионных слоев;

3) большое энергопотребление — требуется питать гермекатод, дуговой разряд, электромагнит и мишень;

4) установка сложна в наладке и обслуживании — необходимо стабилизировать много параметров: термоэмиссионный ток катода, ток дугового,разряда, напряжение на мишени, давление газа в рабочей камере.

Распыление диэлектрических мишеней производят в диодной системе, но не при постоянном потенциале, а на высокой (10 МГц) частоте. Если к диэлектрической мишени приложить постоянный отрицательный потенциал, положительные ионы за короткий промежуток времени после подачи потенциала создадут на поверхности положительный заряд. Поле этого заряда скомпенсирует первоначальное поле отрицательного электрода и распыление прекратится. Поэтому для распыления необходимо удалять положительный заряд о поверхности диэлектрической мишени, что достигается приложением к мишени высокочастотного потенциала. В положительный полупериод мишень подвергается бомбардировке электронами, кетврые нейтрализуют положительный поверхностный заряд. высокочастотный потенциал подают, например, с помощью вспомогательного электрода, располагаемого рядом с мишенью и связанного с ней емкостной связью. такой метод называют высокочастотным ионным распылением.

особенности кинетики конденсации при ионном распылении. конденсация пленок при ионном распылении происходит в сложных условиях: при относительно высоком давлении инертного газа, в присутствии химически активной и ионизованной в разряде фоновой атмосферы, при наличии электростатического поля.

причиной повышенной адгезии является значительный запас энергии у конденсирующихся атомов вещества. она на порядок выше, чем при термическом испарении. этот избыток энергии обусловливает большую миграционную подвижность атомов и уменьшает потенциальную энергию системы «пленка—подложка», что в конечном счете и определяет величину адгезионной прочности.

чистота наносимых пленок связана с параметрами разряда, так как высокоэнергетические атомы осаждаемого веществ вызывают самоочистку пленки. распыленные атомы несут около 10% энергии распыляющих ионов. даже с учетом столкновений с атомами газа в пролетном пространстве распыленные атомы могут обладать в среднем энергией 5 эв, превышающей не только энергию физической адсорбции, но и хемосорбции. для сравнения вспомним, что энергия атомов, испаренных при 1000° с, составляет в среднем 0,2 эв. такое различие энергий (в 50 раз) распыленных и испаренных атомов является одной из причин более высокой адгезии пленок, полученных ионным распылением.

наиболее слабая адгезия наблюдается при положительном потенциале на подложке, образующемся в результате интенсивной электронной бомбардировки. электронная бомбардировка при наличии в фоновой атмосфере углеводородов, проникших из откачной системы, вызывает их полимеризацию и формирование в составе пленки стойких посторонних включений.

присутствие в потоке вещества электрически заряженных атомов влияет на весь процесс роста пленки. заряженные частицы, попадая на подложку, увеличивают площадь поверхности первичных гранул вследствие дополнительной электростатической энергии поверхности, увеличивают поверхностную диффузию между гранулами, ускоряют их объединение. первичные образования, как и при термическом испарении, состоят из зародышей, которые перерастают в гранулы. но с этого момента распыленные гранулы продолжают расти только в плоскости, в результате чего ионным распылением можно получить сплошные пленки при гораздо меньших толщинах, чем в случае термического испарения.

такое поведение гранул не может быть объяснено высокой кинетической энергией атомов и сопутствующим эффектом очистки поверхности подложки, так как оба эти фактора повышают агломерацию (скопление

страница 63
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91

Скачать книгу "Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры" (2.57Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
где учат на специалистов газовой сферы
http://dveripandora.ru/catalog/furniture/dvernye-ruchki/color_matovoe-zoloto-antichnaya-bronza/
купить сковороду керамическое покрытие
Предлагаем приобрести в КНС Нева купить сетевой принтер - Санкт-Петербург, ул. Рузовская, д.11, тел. (812) 490-61-55.

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(26.06.2017)