химический каталог




Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры

Автор Н.К.Иванов-Есипович

материала на перегретый (около 2000°С) лабиринтный испаритель (рис. 49). Кратковременность (до 0,1 с) взаимодействия с материалом испарителя создает благоприятные условия, близкие к тем, какие характерны для лазерного импульсного испарения.

Благодаря малым дозам вещества, испаряющегося за один акт, обеспечивается полный повторный синтез исходного соединения из сконденсировавшихся элементов. Это возможно в результате малых-диффузионных расстояний между компонентами внутри пленки, образовавшейся при испарении одной дозы. Дополнительные условия1 для протекания твердофазных реакций повторного синтеза в пленке создаются при нагреве подложки после осаждения.

Во всех случаях применения подогревного испарителя происходит химическое взаимодействие испаряемого вещества с материалом испарителя. Степень этого взаимодействия может быть малой, но полностью его исключить невозможно. Особенно велика химическая активность при испарении кремния даже при умеренных температурах, а также никеля, железа и кобальта, легко образующих эвтектические сплавы с тугоплавкими металлами.

Методы термического испарения широко применяют при получении тонкопленочных резистивных структур микроузлов. Высокая, чувствительность тонких пленок к длительному воздействию атмосферы воздуха, неизбежному в реальных условиях производства РЭА, заставляет ограничивать круг исходных материалов. В настоящее время используют только материалы, которые при взаимодействии с атмосферой (в первую очередь с кислородом и влагой) образуют тонкие поверхностные защитные слои, приостанавливающие развитие взаимодействия.

В качестве исходного материала для резисторов во всем диапазоне номиналов применяют керметы. Исходные вещества для осаж? дения керметных пленок выпускают под маркой МЛТ (на основе ферросилиция) и РС-37-10. Они представляют собой металло-ди-электрические композиции на основе псевдосплава кремния с хро>-мом и нихромом, где кремний составляет до 50%. Для вьгсокоомных пленок в испаряемый состав добавляют стекло (например С41-1).

Осажденная: на подложку, но не подвергнутая отжигу кермет-ная пленка аморфна. Она состоит из смеси кристаллитов металлического хрома и его силицидов, а также других металлов, диспергированных в аморфной фазе Si02. При заключительном отжиге на воздухе завершается образование силицидов, после чего они кристаллизуются. Применяют длительный отжиг (250° С, 24 ч) для за*-вершения реакций в пленке. После отжига пленка представляет собой многокомпонентные (двойные или тройные) химические и терметаллические соединения на основе дисилицидов с электрофизическими свойствами примесных полупроводников, с ограниченной электронной проводимостью. отрицательный температурный коэффициент сопротивления керметных пленок —200- 10 е град-1) свидетельствует о том, что в них металлический механизм электропроводности не является преобладающим. электросопротивление керметной пленки зависит от рецептурного состава и рассеяния при испарении, однако легко поддается подгонке при варьировании температурой и временем выдержки при заключительном отжиге. в результате отжига изменяется не только сопротивление, но и его температурный коэффициент.

получение диэлектрических пленок для тонкопленочных конденсаторных структур на основе метода термического испарения встречает принципиальные трудности, связанные с тремя побочными явлениями: диссоциация окислов при испарении, взаимодействие с материалом испарителя и фоновой атмосферой, поляризационный захват примесей.

термическая диссоциация в вакууме окислов, входящих в состав испаряемого диэлектрика, является неизбежным процессом для большинства кислородных соединений. для обратного перевода низших окислов в высшие полученную пленку необходимо подвергать ?окислительной термообработке. это далеко не всегда допустимо, потому что на подложке уже имеется тонкая металлическая пленка нижней обкладки. диссоциация окислов может быть следствием их интенсивного химического взаимодействия с материалом испарителя (тантал, вольфрам). например, при возгонке вао с платинового испарителя в пленке получают 99% вао, а с танталового испарителя — 1 % вао и 99% металлического ва.

большую опасность представляют пары нго в составе остаточных газов. они могут служить газом — переносчиком металла испарителя в состав осаждаемой диэлектрической пленки. например, соприкасаясь с раскаленным вольфрамом, пары воды разлагаются с образованием летучей двуокиси вольфрама wo2 и атомарного водорода. в осаждаемой пленке (или в испарителе) wo2 может восстанавливаться водородом до металла с образованием вновь молекул воды. образуется цикл «окисление — возгонка—диссоциация», затухающий по мере откачки паров воды и водорода. однако не исключено, что эти молекулы будут вновь поступать при натекании извне и прогреве вакуумной камеры к концу рабочей смены.

значительная часть дефектов в диэлектрической пленке вызывается поляризацией диэлектрического материала. возникающая электризация приводит к захвату слабо связанных ионов, микрочастичек посторонних

страница 61
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91

Скачать книгу "Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры" (2.57Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
президиум цена
Фирма Ренессанс лес-07 - цена ниже, качество выше!
кресло t 9906
оставить вещи москва

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(11.12.2016)