химический каталог




Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры

Автор Н.К.Иванов-Есипович

ридом. При использовании сернокислого травителя с перекисью водорода протекают реакции:

Си 4- Н202->-СиО 4- Н20 СиО -г H2S04->-CuS04 4- н2о

Суммарная реакция

Си + Н202 + H2S04-*CuSO4 + 2Н20

протекает устойчиво при введении катализатора и буферных солей.

Сернокислый травитель с хромовым ангидридом имеет состав (г/л):

С/°з 250

H2S04 150

Na2S04 30

Травление протекает при 50° С.

Для слабощелочного травителя характерна малая величина подтравливания. Его состав (г/л)

NaC102 20

NH4C1 ЗО

NH4N03 40

NH4HCIO3 ; 50

NII4OH (25%-ный раствор) 100 мл/л

Процесс идет при рН 10. Корректировку раствора производят добавкой NaC102 и NH4OH — периодически, после стравливания каждых 10 г/л Си.

Травление со скоростью 10 мг/с идет по реакции:

2Си 4- NaCI02 4- 4NH4CI 4- 4NH4OH^2Cu (NH3)4C12 4- NaCI 4- 6H20

По мере выработки раствора и обеднения его по NaC102 в реакцию вступает образовавшаяся комплексная соль меди:

Си 4- Си(NH3)4CI2 = 2Cu(NH3)2Cl

Доля этой реакции в процессе травления зависит от выработки раствора: при 20 г/л Си она составляет 30%, при 40 г/л Си — почти 90% [70]. Процесс протекает при интенсивном перемешивании. 120

Особенности технологии селективного химического травления тонких пленочных структур. При травлении тонких пленок (0,1— 1 мкм) начинают проявлять себя процессы газовыделения, сопутствующие травлению. Выделяющиеся пузырьки газов могут разрушать маску по краю пробельного участка. Поэтому для травления тонких пленок применяют мало концентрированные медленно действующие растворы с повышенной вязкостью.

Травление тонкой пленки меди проводят по приведенной ранее схеме окисление — растворение окисла. Для этого в растворы вводят слабый окислитель меди и вещества, растворяющие образующийся окисел. Например, при травлении в смеси ортофосфор-ной и уксусной кислот применяют в качестве окислителя слабый раствор HN03. Растворение окислов меди в Н3Р04 приводит к образованию слабодиссоциирующих продуктов. Это препятствует выпадению в осадок нерастворимого Си(ОН)2, который засоряет зону травления по мере выработки раствора и насыщения его ионами Си2+. Кроме того, Н3Р04 повышает вязкость травильного раствора.

Удовлетворительные результаты получены при травлении тонких (до 5 мкм) пленок меди в травильном растворе из смеси трех кислот — фосфорной, уксусной и азотной (г/л) [71]:

НаР04 70

СНзСООН 15

HNOa 3

Увеличивать содержание HN03, что необходимо при травлении более толстых пленок, не допускается из-за выделения двуокиси азота, обладающей высокой окислительной способностью и разрушающей фоторезист. При использовании разбавленной HN03 выделяются слабо окисляющие окислы азота низшей валентности.

Для пленочных структур V—Си—Ni на ситалловой подложке применяют травильный раствор на основе кремнефтористоводород-ной кислоты. Эта кислота действует по иному механизму, преимущественно растворяя приповерхностный слой ситалла под удаляемой пленкой. В раствор вводят 5% HN03 для окисления и растворения отделяемых участков пленки металлов. Толщина пленки при таком методе травления не должна превышать 1 мкм, чтобы травитель мог проникнуть сквозь пленку до подложки. При 40° С травление продолжается 1 мин [72].

При использовании в качестве окислителя соли меди, например: CuCl2, CuS04, СиСОз, Cu(N03)2, (СН3СОО)2 Си, один моль Си5+ окисляет один моль Си0 при участии кислорода с образованием двух молей Си2+:

СиО 4- Си2+-^2Си+ 2Си+°4.2Си2+

Удаление окислов меди в этом случае происходит путем образования стойких комплексов при условии введения в раствор комплек-сообразователей: NH4N03, NH4C1, (NH4)2C03, К4Р2О7. Соотноше12*

яие окислителя и комллексообразователя составляет 1 : 2. Выделения газообразных продуктов при травлении в таких растворах не происходит. Малая агрессивность раствора позволяет проводить медленное, легко контролируемое травление (10 мин) при повышенной температуре (70° С).

Примеры травильных растворов на основе солей меди и комплексообразователей (г/л): i

а) с аммиачным комплексообразователем:

CuCI2-2H20 50

NH4NCh 100

NH,C1 100

Монометаноламин 200

б) с комплексообразователем К4Р2О7:

СиС12-2Н20 50

К4Рг07 100

Монометаноламин 150

Скорость травления является функцией рН раствора, регулируется добавлением NH4OH.

Травление тонкой пленки хрома в разбавленной НС1 в присутствии А1 протекает слишком агрессивно — в течение нескольких секунд, что затрудняет управление процессом и усиливает эффект подтравливания. Значительно более «мягкое» травление хрома без выделения газообразных продуктов протекает в растворе красной кровяной соли с добавкой КОН (1 мин). При взаимодействии КОН с красной кровяной солью образуется желтая кровяная соль: 2Кз [Fe (С1ОД 4- 2KOH-2K4[Fe (CN)5] + НгО + 0

которая взаимодействует с металлическим хромом, связывая его в комплексное плохо растворимое соединение. Примерный состав травителя: 30 г KaFe(CN)6 и 100 мл КОН (2%-ный раствор). Оптимальное значение рН 13,4. Дальнейшее

страница 50
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91

Скачать книгу "Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры" (2.57Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
урна - пепельница с гасителем для окурков.
потолочный плинтус из полиуретана европласт с подсветкой
договор о размещении рекламы на троллейбусе
аренда кладовки пушкино

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.03.2017)