химический каталог




Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры

Автор Н.К.Иванов-Есипович

ния взрывоопасности.

Особенностью диэлектрических стеклоэмалей является то обстоятельство, что их всегда наносят на слой проводниковой стеклоэмали. Нанесение и вжигание должно быть двукратным, чтобы исключить сквозные поры (толщина двойного слоя 40 мкм) и кратковременным, чтобы ослабить вредную диффузию частиц металла из нижней обкладки в диэлектрик.

В качестве диэлектрического наполнителя применяют тугоплавкие окислы и двойные соединения типа А120з (е«10) и ВаТЮз (вягЗООО). Используют квазимолекулярную гомогенизацию композиции наполнитель — фритта путем термохимического осаждения стеклообразующих окислов на частицы порошка диэлектрического наполнителя (см. § 8).

Электрические свойства конденсаторной и изоляционной стеклоэмали определяются составом композиции из неплавкого высокодисперсного наполнителя и стекловидной фазы. Прослойка стекловидной фазы необходима для сцепления частиц наполнителя друг с другом и с подложкой. Уменьшение в композиции доли фритты приводит к утонению стекловидных прослоек между частицами наполнителя. При больших значениях диэлектрической проницаемости наполнителя емкость между обкладками определяется суммарной толщиной стекловидных прослоек.

Например, при диаметре частиц наполнителя 2 мкм в слое стеклоэмали толщиной 20 мкм число прослоек достигает 10. При толщине каждой прослойки 0,1 мкм суммарная их толщина составляет 1 мкм. В результате емкость конденсатора возрастает в 20 раз (до 200 пФ/мм2) по сравнению со случаем стеклоэмали без наполнителя.

В отличие от электропроводных стеклоэмалей, когда металлический наполнитель осаждают на порошок фритты (рис. 25, а), в конденсаторных и изоляционных стеклоэмалях осаждают тонкий (0,05—0,1 мкм) слой стекловидного покрытия на порошок керамического химически стойкого и жаростойкого наполнителя. Используется метод термохимического осаждения стекловидных покрытий, основанный на смачивании поверхности раствором солей с последующим термохимическим разложением на стеклообразующие окислы. Стеклообразование протекает непосредственно вслед за выделением окислов при разложении, что обеспечивает их высокую химическую активность, высокую скорость и полноту стеклообразо-вания без замедляющих условий, наблюдающихся в высоковязком расплаве при варке стеклянной массы фритты в массиве.

Метод термохимического осаждения стекловидных покрытий позволяет наносить покрытие тонким слоем (от 0,05 мкм и выше). В рассматриваемом случае покрытие наносят на частицы порошка со средней дисперсностью I—2 мкм (поверхность по прибору ПСХ составляет более 10 000 см2/г). Более крупный наполнитель не применяют из-за повышенного износа трафаретов, более мелкий —

62

63

из-за мешающих коагуляционных процессов, развивающихся в трафаретной пасте.

Д сл

Покрытие обволакивает каждую частицу наполнителя слоем толщиной 0,05—0,1 мкм (рис. 25, б), что по объему (и, практичеРис. 25. Структура частиц проводникового и резистивного (а) и диэлектрического (б) наполнителя в квазимолекулярно гомогенизированных стеклоэмалях (до вжигания): / — частица фритты; 2 — рыхлая оболочка из химически осажденного металла илн сплава; 3 — оболочка из стекловидного термохимически осажденного покрытия; 4 — частица керамического наполнителя

ски, по массе) позволяет доводить отношение наполнитель—фритта до значений Кн/Уф=3,1-т-4,4 для-частиц диаметром 1—2 мкм (табл. 9). При использовании механического смешивания наполнителя с порошком фритты это отношение ограничено значением Ун/Уф=1, выше которого нарушается сплошность стеклянной матрицы (основы) и образуются скопления наполнителя.

Метод нанесения стекловидных покрытий на порошок наполнителя позволяет добиться минимизации стеклофазы, что дает возможность снизить внутренние механические напряжения и вероятность растрескивания при остывании от температур вжигания благодаря сближению температурных коэффициентов расширения диэлектрика и подложки, а также устранить сквозную пористость. Последнее позволяет избежать традиционного двух-трехкратного нанесения диэлектрического слоя [31].

/ — вжигание нижнего проводникового слоя; 2—вжигание диэлектрического слоя; 3—вжигание кристаллизуемых изоляционных слоев и проводниковых между изоляционными слоями; 4 — вжигание верхнего проводникового слоя; 5-—вжигание высокоомного резистивного слоя; 6 — вжигание низкоомного резистивного слоя

Режим процесса вжигания. Максимальное значение температуры вжигания, при которой происходит необходимое размягчение фритты и ее растекание в пределах оттиска пасты на подложке, должно быть значительно ниже (не менее чем на 100° С) температуры фазовых превращений наполнителя и выше (не менее чем на 50° С) температуры полного выгорания остатков органического связующего.

Проводниковый рисунок, включающий соединения, контактные площадки и нижние обкладки конденсаторов наносят первым. Поэтому вжигание проводниковой стеклоэмали производят при наиболее высокой температуре (рис. 26, кривая /).

Режим термообработки печатных микроузлов, выполненных на основе композитных сте

страница 25
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91

Скачать книгу "Физико-химические основы производства радиоэлектронной аппаратуры" (2.57Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
ученик холодилбных установок
двойной стакан для чая
купить в москве металлические дверные ручки-скобы производства ооо домарт
продажа дома рублевке фото

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(17.01.2017)