химический каталог




Синтез минералов. Том 1

Автор B.Е.Хаджи, Л.И.Цинобер, Л.М.Штеренлихт и др.

содержать области с существенно различными физическими характеристиками (например, добротностью). Разумеется, внимательный просмотр поверхности пинакоида позволяет выявить наличие таких участков вырожденного роста, однако в заготовках (где поверхность роста срезана или сошлифована) эти участки без применения отжига или облучения выявить визуально невозможно.

Проблема устойчивости гранных форм роста кристаллов обсуждалась в ряде работ, например, в работе А. А. Чернова [32] Поскольку пирамида пинакоида относится к типу вицинальных с существенно анизотропной поверхностной кинетикой, общего решения, описывающего эволюцию поверхности роста во времени при данных условиях выращивания, нет. 172

В обзоре А. А. Чернова [32] была рассмотрена задача об устойчивости форм роста с анизотропной поверхностной кинетикой. Соответствующие уравнения можно записать так.

(8)

D-^=Apo(C/K), «(«);

дп

DJ^ = P(rt)(C-Ce),

где О — коэффициент диффузии; v—скорость роста элемента поверхности вдоль направления его нормали; р (п) — кинетический коэффициент; С — концентрация раствора, Се — равновесное значение концентрации; Др — разность плотности кристалла (ps) и раствора; и — истинная ориентация поверхности в точке R или ориентация поверхности, усредненная по элементам ее микрорельефа.

В последнем случае уравнение (8) справедливо для нормального роста. Везде ст= (С— Се)/Се при росте из раствора.

Удобнее пользоваться скоростью Ф (о, п)\ определяемой вдоль нормали По к кристаллографически простой грани по формуле:

2 +<Р, где р = дг/ду; q = dzjdy; п\\{р, q—1}, a z=z(x, у, t) —- уравнение поверхности.

или

В дальнейшем принимается, что ось z|l«o (p—q, q=0). Скорость Ф зависит от пересыщения на поверхности: CI(n) = 6(n)/cos(n, ft,,);

Apm = D-^- =(п)/(с-се).

гт дп

Анизотропия грани, сингулярной по отношению к изменениям р (при малых р и q<0), можно описать формулой:

dp 4 dp dp r p

Для измерения анизотропии в случае совершенных граней необходимо иметь две зависимости наклона вицинального холмика от пересыщения р (а) и нормальной скорости роста Ф (а) для этого холмика роста. Тогда можно определить кинетический

коэффициент о(р)= Прямые измерения указанных

зависимостей для случая прокольного или близкого к прокольному роста были выполнены, что позволило получить следующие основные данные. Угол наклона акцессории холмиков (при синтезе в растворе гидроокиси натрия) прямо пропорционален скорости роста. Одновременно (т. е. с увеличением скорости роста) имеет место рост высоты вицинальных холмиков. К сожалению, указанные количественные данные использованы для измерения

173

кристаллов, выращенных в различных растворах и при различных температурах, и не позволяют построить зависимость р (о) или обратную ей.

Рассмотрим общее решение, полученное А. А. Черновым, дающее форму холмиков роста для случая анизотропной кинетики. Если z—z (х, у, t)—уравнение поверхности, а р = сг/а* в системе координат, которую можно представить (р) -- ^ с ,где|=

1+1

Для уменьшения вероятности зарождения прокольного роста важно учитывать следующие факторы: а) наличие достаточно интенсивной конвенции с малым масштабом турбулентности; б) отсутствие морфологически неоднородных затравок, затравок с перекосами и загрязнения шихты и раствора, что способствует выпадению включений; в) уменьшение пересыщения при сохранении интенсивности массопереноса за счет использования растворов с определенной величиной концентрации солей (щелочей).

и ' а bi = b(p,), то р = р, у вершины холмика.In

Р =

Я(1-Решение можно записать так: 2+

In IQ + +

2 (1 - Qpi + V<32 - 4ф

2ф (р - pi) VQ2 - 4Ф ] (Q + Vсу - 4Ф )

IQ - 2ф (р - р,) + VQ2-4где

= 9;

др/

v»6

as

Ф; Q—параметр анизотропии.

Если пересыщение настолько велико, что рост грани определяется вершинами, а анизотропия скорости также достаточно велика, то первоначально плоская или почти плоская грань распадается, на ней появляются ориентации, все дальше отстоящие от средней исходной. Однако такое искривление ведет к возрастанию кинетических коэффициентов и, следовательно, к дальнейшему увеличению неоднородности пересыщения различных участков кристаллов. Именно это и обусловливает лавинообразную потерю устойчивости. При рассмотрении этого процесса понятие больше — меньше фактически относится к величинам параметра —. где и — некая эффективная высота выступов на кристалле

(р и D — кинетический коэффициент и коэффициент диффузии.

Следует вернуться к экспериментальным фактам, перечисленным в начале раздела. Возникновению прокольного роста способствуют увеличение температуры, уменьшение щелочности, выпадение включений и недостаточность питания. Качественно эти факторы влияют на потерю устойчивости именно в рассмотренном смысле. Однако количественного рассмотрения провести не удается. Наличие перекоса в затравке должно способствовать вырождению по

страница 78
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 1" (5.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
курсы по холодильному оборудованию екатеринбург
шкаф шрм 11/400 с вентиляционными отверстиями
обслуживание кондиционеров сплит систем наружный блок стоимость
сетка рабица 25х25х1 6 оцинкованная

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(17.01.2017)