химический каталог




Синтез минералов. Том 1

Автор B.Е.Хаджи, Л.И.Цинобер, Л.М.Штеренлихт и др.

в трех важнейших кристаллографических зонах кристалла с осями х, у и г.

Значения нормальных скоростей роста, замеренные непосредственно по толщине наросшего слоя, использовались для построения сечений полярной диаграммы. Поскольку кварц лишен центра инверсии, а кристаллографическая ось у не является осью симметрии, противолежащие плоскости каждой затравочной пластины из 1,-веера физически различны. Следовательно, они должны нарастать с разными скоростями. Аналогичное замечание относится и к пластинам 2-веера, поскольку ось г (Ц) не является осью симметрии четного порядка.

Для измерения скоростей роста в указанных направлениям использовался следующий прием. В процессе проведения цикла выращивания дважды резко изменялся перепад температур между камерами роста и растворения. При этом, естественно, изменялась скорость роста и, как следствие, концентрация примеси алюминия в кристалле. При последующем у-облучении в таких кристаллах отчетливо выявляются две резкие зоны изменения интенсивности

153

дымчатой окраски, соответствующие моментам изменения режимов выращивания. Нормальная скорость вычислялась путем деления толщины наросшей зоны на соответствующее время кристаллизации. Толщина зоны измерялась под микроскопом в полированных пластинах х-, у- и 2-срезов для кристаллов, выращенных на затравках х-, у- и z-вееров соответственно. Сечения поверхности скоростей роста, построенные по измеренным значениям скоростей, представлены на рис. 50.

Приведенные сечения дают, конечно, лишь приближенное представление о форме поверхности скоростей. Это связано, во-пер-154 вых, с относительно малой плотностью экспериментальных точек (примерно через 10°, а иногда и через 20°). Во-вторых, для многих направлений, особенно для направлений быстрого роста, невозможно отмерить истинную скорость, поскольку фронт кристаллизации состоит из участков различных граней сложных символов. Во всех таких случаях фиксировалась средняя скорость перемещения фронта кристаллизации.

Анализ сечений полярной диаграммы позволяет выделить четыре типа направлений, которым соответствуют различные типы рельефа фронта роста и, возможно, различные механизмы нарастания кристалла.

1. Сингулярные минимумы. Им соответствуют грани с характерными признаками слоистой кристаллизации и конусовидными холмиками—акцессориями роста, а именно: грани т, R и г. Несмотря на указанные морфологические признаки, представляется сомнительным, чтобы дислокационный механизм играл существенную роль в стимулировании процесса отложений вещества по этим граням. Как показывают данные рентгеновской топографии, для пирамид роста (R) и (г) характерна относительно высокая плотность ростовых дислокаций (Ю3— 104), ориентированных почти нормально к поверхности роста, причем часть дислокаций имеет винтовую компоненту. На поверхности этих граней обычно присутствует лишь небольшое число холмиков роста. Что же касается нарастания грани R, то для нее, как известно, основным стимулятором роста являются двойниковые акцессории (рост во входящих углах по границам дофинейских двойников)'.

2. Мелкие, несингулярные минимумы. Типичным примером является поверхность пинакоида. Еще в ранних опытах по выращиванию кварца было обнаружено, что небольшие отклонения (до 10—20°, в зависимости от направления перекоса) поверхности затравки от плоскости пинакоида существенно не изменяют ни морфологии поверхности грани, ни ее скорости роста. Нами были поставлены специальные опыты по наращиванию кварца на затравках пинакоида и на пластинах, отклоненных (в направлениях осей х и у) на углы 2, 3, 4 и 5°. Было установлено, что скорости роста в этих направлениях практически совпадают со скоростью роста пинакоида (измерения толщины наросшего слоя производились под микроскопом).

Таким образом, было показано, что полярная диаграмма в близкой окрестности направления [0001] представлена участком сферы (т. е. участком поверхности с положительной кривизной), расположенной внутри «мелкого» несингулярного минимума. Такое локальное строение полярной диаграммы объясняет следующие особенности роста базисной поверхности:

а) образование куполовидных акцессории, формирующих поверхность типа «булыжная мостовая». Такой рельеф является проявлением неустойчивости на поверхности базиса. Если же в кристалле имеются дислокации с винтовой компонентой, ориен155 тированные нормально к поверхности базиса, то на фоне этого рельефа формируются конусовидные акцессории с активными вершинами. При достаточной плотности дислокаций и длительном периоде роста такие акцессории сплошь покрывают базисную поверхность. Можно отметить, что даже на этих акцессориях (особенно на их периферических участках) часто хорошо заметно образование неустойчивостей;

б) образование специфических «бортиков» по ребрам поверхности базиса там, где она пересекается с гранями основных ромбоэдров положительной тригональной дипирамиды или тригональных призм. Действительно, при «конкуренции» различных направлений на границах с перечисленными, относительно медленно растущ

страница 70
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 1" (5.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
Рекомендуем в КНС Нева ноутбуки акции - офис-салон в Санкт-Петербурге, ул. Рузовская, д.11
душевая кабина прямоугольная
Trenkle 1503
франшиза наклейки на авто к 9 мая

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(27.02.2017)