химический каталог




Синтез минералов. Том 1

Автор B.Е.Хаджи, Л.И.Цинобер, Л.М.Штеренлихт и др.

ание несколько необычный характер распределения

окраски. При просмотре у-срезов, приготовленных из таких кристаллов, наряду с истинными четкими зонами сгущения и разряжения дымчатой окраски, которым соответствуют аналогичные

зоны в пирамиде <+*>, наблюдаются расплывчатые зонарные полосы. Замечено, что четкость этих полос возрастает при отклонении пластины на некоторый угол от того положения, при котором

она обычно рассматривается, т. е. когда луч зрения перпендикулярен к плоскости у. Замечено также, что дымчатая окраска

в указанных полосах обладает аномальным плеохроизмом, причем

при одной и той же ориентации кристалла некоторые участки

имеют зеленоватый, а другие — фиолетовый оттенок. Объяснение

этих эффектов было найдено при анализе морфологии поверхности + s. Для этой поверхности характерными формами роста являются «крышеподобные образования» с «коньком крыши», вытянутым перпендикулярно к оси з. Разные скаты этих «крыш»,

очевидно, соответствуют участкам пирамиды роста с разными оттенками дымчатой окраски. По мере роста эти образования перемещаются не только в нормальном по отношению к грани s

направлении, но испытывают также тангенциальные смещения

7* 99

в направлении оси у. При этом в объеме кристалла остаются следы перемещения этих °Скатов» в виде «паразитных» пирамид. Угол наклона этих образований определяется отношением нормальной скорости перемещения к тангенциальной. При пересечении этих образований поверхностью (/-пластины они образуют полочки псевдозонарности.

Предложенная модель подтверждается данными рентгеновской топографии. Приведенная на рис. 21,6 топограмма у-пластины снималась в Я-рефлексе. Поскольку плоскость дифракции не составляет угол 90° с плоскостью пластины, топограмма представляет не истинное, а несколько искаженное ее изображение. Поэтому границы пирамид роста <+s>/ и < +s>/< +х> так же, как и другие секториальные границы, нормальные плоскости пластины, изображаются не одной, а двумя полосами контраста. Эти полосы соответствуют пересечению границ секторов с верхней и нижней поверхностями пластины. В пирамиде <+s> можно рассмотреть пары зонарных контрастных полос, примыкающих соответственно к разным полосам указанных выше пар, соответствующих одной и той же секториальной границе. Тот факт, что расстояние между полосами в каждой зонарной паре значительно больше, чем расстояние между парами секториальной границы, говорит о том, что соответствующие зоны расположены не под прямым, а под острым углом к плоскости пластины.

Бразильские двойники в кристаллах синтетического кварца

Бразильские двойники в кварце представляют собой закономерные срастания правого и левого кварца с параллельным расположением осей 3 и антипараллельным расположением полярных осей 2 в двойниковых индивидах. Они относятся к одному из двух (наряду с дофинейскими двойниками) наиболее распространенных типов двойников в кварце вообще. Широко распространены эти двойники и в. кристаллах синтетического кварца. В последние годы применение метода дифракционного контраста в сочетании с детальным геометрическим анализом структуры кварца позволило построить модель бразильской двойниковой границы и понять условия формирования этих дефектов во время роста кристаллов. К построению модели бразильской двойниковой границы можно подойти двумя путями.

Первый путь, который условно можно назвать экспериментальным, заключается в следующем. Методом дифракционного контраста с использованием рентгеновской топографии (для макродвойников) или под электронным микроскопом (для микродвойников) исследуется контраст двойниковой границы в различных отражениях. Затем по известной методике определяется вектор относительного смещения (Я) решеток двойниковых компонент (например, для большинства бразильских двойников установлены //i=±V2 [ПО], Я2=7б [302] или Яз = 76 [032]). Затем две структуры из начальной двойниковой ориентации с совпадающими ре-100

Шетками смещаются одна относительно другой на вектор Я. После этого производится усреднение положений атомов двух структур, и такая усредненная модель приписывается двойниковой границе. Именно такой подход был применен для построения модели бразильской двойниковой границы кварца в работе [41]. Однако, как показал последующий анализ, такой «прямой» метод не всегда приводит к правильной модели. Было замечено [47], что в сдвинутых на векторы структурах, близких к Я,-, Я2- или Яз-структурам, совпадают два кислорода (из шести, содержащихся в элементарной ячейке) (рис. 22). Причем атомы кислорода соединяют два последовательных i^-слоя структуры (см. рис.-22, а). Поэтому полностью когерентный переход от одного двойникового индивида к другому осуществляется именно через эти два атома. Интересной особенностью структуры а-кварца является то, что в модели бразильской двойниковой границы переходный угол Si—О—Si равен 138,5°, т. е. всегда на 5,5° меньше идеального значения этого угла в монокристалле (~144°). Поэтому бразильская граница является энергетически почти равноценной монокриста

страница 46
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 1" (5.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
Buderus Logano G334 WS 230
готовые дачи на новой риге
прихожая в квартиру
курсы эксель в жулебино

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(08.12.2016)