химический каталог




Синтез минералов. Том 1

Автор B.Е.Хаджи, Л.И.Цинобер, Л.М.Штеренлихт и др.

еистый рельеф формирует достаточно крупные (до 40 мм) куполовидные обособления (см. рис. 17, в). При этом активные акцессории часто имеют сглаженные, а не точечные вершины. Плотность ростовых дислокаций для таких кристаллов относительно невелика, примерно того же порядка, что и для кристаллов с третьим типом рельефа. Большинство дислокаций также приурочено к граничным участкам и к активным акцессориям роста. Однако небольшое количество дислокаций (10 см~2) выходит и на куполовидных обособлениях с ячеистым рельефом.

Иногда в результате отклонений от технологических параметров синтеза в кристаллах наблюдается массовое зарождение дислокаций (рис. 18,а). Такие кристаллы обычно резко неоднородны, что легко устанавливается как теневым методом, так и путем просмотра полированных г-срезов в скрещенных поляроидах. Для таких кристаллов характерен особый тип рельефа, составленный из множества активных акцессории роста, резко различающихся по размеру: на склонах относительно крупных акцессории расположено множество мелких акцессории и промежуточного размера (см. рис. 18, в). 92

Помимо указанных типов рельефа, на пинакоиде могут образовываться так называемые поверхности вырождения (см. рис. 18, б). Ориентировка этих поверхностей чаще всего близка к грани положительной дипирамиды {П21}. Основными известными в настоящее время причинами появления таких вырождений являются следующие: пониженная щелочность раствора, высокие температуры выращивания, недостаточный массообмен, повышенное содержание примеси алюминия в системе. По мере нарастания кристалла такие поверхности образуют «паразитные» пирамиды, которые (вследствие того, что они гораздо сильней, чем основная пирамида <с>, поглощают структурную примесь алюминия) резко контрастируют на рентгеновских топограммах (см. рис. 18,6) и хорошо визуализируются у-облучением. Паразитные пирамиды представляют собой оптический дефект, и соответствующие им участки должны выбраковываться при разделке кристалла на изделия. Установлено также, что поверхности вырождения образуются преимущественно при длительном наращивании кварца и поэтому в основном приурочены к наружным (прилегающим к поверхности роста) участкам кристалла. Очевидно, их формированию, помимо указанных выше «внешних» причин, способствует также процесс «огрубления» акцессорного рельефа по мере роста кристалла. Увеличение размера акцессории, которое, несомненно, происходит с увеличением длительности цикла выращивания, должно сопровождаться возрастанием крутизны их склонов, что

93 в свою очередь, может способствовать формированию поверхностей вырождения.

Результаты рентгеновского исследования подтверждают, что образование поверхностей вырождения не связано с дислокационным строением кристаллов. Если же в кристалле имеются ростовые дислокации, то, попадая на границу между поверхностью вырождения и поверхностью базиса, они собираются в этой границе аналогично тому, как они собираются в наиболее глубоких «ложбинах» между акцессориями роста.

Дислокационная структура и процессы роста. Собирание ростовых дислокаций в «жгуты» и °Стенки» по мере развития акцессорного рельефа — весьма характерный процесс для пинакои-дальных кристаллов кварца. Как уже отмечалось, дислокации не являются причиной формирования ячеистого рельефа. Такой рельеф образуется и на полностью бездислокационных кристаллах как форма проявления неустойчивостей при нормальном механизме отложения вещества. Характерная особенность рельефа типа «булыжная мостовая» — наличие нескольких порядков яче-истости. Это наблюдалось во всех без исключения исследованных кристаллах с таким видом рельефа. На толстых кристаллах наблюдается до трех порядков ячеистости, причем самые мелкие ячейки имеют размер 0,5—1,5 мм. Можно предполагать, что именно этот размер и будет характерным. Существование более крупных (более ранних по времени образования) ячеек связано с тем, что границы между ними, очевидно, «закреплены» скопляющейся там примесью.

Попадая в ложбины ячеистого рельефа, в более глубокие ложбины между активными акцессориями дислокации обычно остаются там, «предпочитая» это компромиссное положение изменению ориентации (чтобы оставаться нормальными либо одному, либо другому склону «ложбины»). Кроме того, дислокации (особенно краевые) активно адсорбируют примесь, что, очевидно, приводит к еще большему снижению скорости роста в этих участках, увеличению глубины межакцессорных «ложбин» и возрастанию крутизны их склонов. Этот процесс, в свою очередь, ведет к прогрессирующей локализации дислокаций в пространстве между акцессориями и собиранию их в «жгуты» и °Стенки». Особенно хорошо это явление заметно на кристаллах с большей плотностью дислокаций (см. рис. 18,а). В таких кристаллах кварца собирание дислокаций в «жгуты» и °Стенки» порождает свилеватое строение, т. е. то, что для других кристаллов обозначается термином «блочность». Значительная разориентация отдельных частей свилеватых кристаллов является причиной, не позволяющей получить достаточно хороший контраст одновременн

страница 43
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 1" (5.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
Туалетная кабина EcoLight Дачник
киста шейки матки варшавская
подарок из карамели
московский театр оперетты золушка билеты

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)