химический каталог




Синтез минералов. Том 1

Автор B.Е.Хаджи, Л.И.Цинобер, Л.М.Штеренлихт и др.

то, что В2-центры характерны только для азотсодержащих алмазов, их образование связывают также с внедренными атомами углерода и вакансиями.

Результаты исследований фотолюминесценции термообработан-ных синтетических алмазов свидетельствуют о том, что увеличение температуры (7^2220 К) и продолжительности отжига способствует усилению интенсивностей полос фотолюминесценции, т. е. увеличению концентрации соответствующих ОАЦ. Однако даже при максимальных условиях обработки кристаллов относительная интенсивность полос S2 в сравнении с интенсивностью этой же полосы фотолюминесценции природного алмаза чистого типа 111 с высокой концентрацией Bl-центра (коэффициент поглощения ав'п75 ~30 см-1) на 1,5—2 порядка слабее.

При фиксированных условиях обработки алмазов возникают вполне определенные наборы центров фотолюминесценции (см. табл. 24), а именно при сравнительно низких температурах отжига синтетических алмазов возникают преимущественно простые ОАЦ: S1, ЯЗ, iV3, 575,5 и только иногда более сложные, связанные с В1-ОАЦ: S3 и Я4. При увеличении температуры обработки выше 2220 К или при возрастании продолжительности отжига образуются OAU-S2, S3, 793 и Н4. При этом системы JV3 и 575, как правило, очень слабы. Отжиг при экстремальных условиях всегда приводит к образованию в алмазе ОАЦ, производных от В1-центров.

Методом трансмиссионной электронной микроскопии исследовались три группы синтетических алмазов, подвергнутых термообработке под давлением: обычные кристаллы с содержанием азота С^Ю24 м~3, кристаллы практически безазотные— 432

^10!3 м-3, выращенные с использованием металлического растворителя, содержащего Ti и In; алмазы содержащие азот в виде B-N-комплексов.

Установлено, что отжиг при указанных температурах в течение 2—3 ч обычных кристаллов, содержащих азот в виде одиночных парамагнитных атомов (С-центров), приводит к появлению в их структуре большого количества дисперсных образований с размерами не более (7—10) • 10~9 м и концентрацией ^1021 м~3 (рис. 160,а), по форме идентичных образованиям типа плейтелитс (дефекты типа В2-центров) в природных алмазах. Несомненно, что форма этих образований коррелирует с физическим смыслом параметра п. Кроме того, эти образцы содержат дислокационные петли размером (3—10) • Ю-8 м с плотностью до 1015 м-3, являющиеся результатом захлопывания дискообразных скоплений вакансий (см. рис. 160,6). Увеличение длительности отжига до 5— 6 ч приводит к росту концентрации дислокационных петель до cal0il м-3. Важно отметить, что связь дефектов этих двух типов с процессом сегрегации атомов азота подтверждается в нашем случае тем, что .такие дефекты не обнаруживались в отожженных образцах с незначительным содержанием азота в исходном состоянии.

В кристаллах, содержащих азот в виде В—N-комплексоз, после отжига образовывались преимущественно дислокационные петли. Для всех термообработанных кристаллов наблюдалось значительное возрастание плотности дислокаций и дефектов упаковки. Характерно, что практически все дислокации содержат большое число ступенек и перегибов, образующихся, как правило, в результате взаимодействия их с вакансиями (см. рис. 160, в). В образцах подвергшихся обработке в течение 5 ч прн 2370 К и давлении 8,5 ГПа наблюдаются дислокационные петли размерами (3— 7) • 10~8 м, т. е. тех же размеров, что и при обработке в течение 1 ч. Однако в некоторых образцах, длительность обработки которых не превышала 2 ч, наблюдаются и вытянутые петли размером до 1 • Ю-7 м, подобно ранее описанным для уральских алмазов.

Поскольку дискообразные скопления вакансий в алмазе в первом приближении можно рассматривать как своеобразные микропоры, выявленные особенности структурных дефектов в термообработанных кристаллах алмаза полезно рассмотреть с точки зрения теории движения пор в твердом теле. Например, узкий интервал изменения размеров этих дефектов по объему кристалла объясняется тем, что поры, имеющие радиус R меньше или зна-. чительно больше наиболее вероятного для данных р-7"-условий, будут особенно часто испытывать столкновения и постепенно исчезать. В свою очередь, скорость изменения радиуса поры определяется скоростью поверхностной диффузии D, вакансий, величиной градиента их концентрации и локальным градиентом температуры, который для алмаза может на 1—2 порядка быть больше градиента температуры по кристаллу из-за сильного различия в коэффициенте теплопроводности матрицы и поры. Действи28 Заиаз J* 1Я 43Э

434

тельно, если для одномерного случая х — точка РАЗРЫВА В ВЕЛИчине коэффициента теплопроводности (к), ТО ИЗ условия НЕПРЕрывности теплового потока следует:

ь[(*_0), tj dTUx~°>- t] =*И>+0), i] dT[iXtx0)' " '

Для случая, когда тело ИМЕЕТ форму стержня;

дх дх дх АД дх

где обозначение Аид относятся соответственно к матрице (алмаз) и диску (пора).

Учитывая, что теплопроводность алмаза в 3—4 раза выше, чем у меди при комнатной температуре, можно предположить значительную величину локальных градиентов температуры. Следует,

дТл — дТК

Однако, учиты

страница 191
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 1" (5.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
набор ножей solingen
небольшая вмятина на двери автомобиля ваз 2109 цена
Hermle Classic 70650-030058
курсы по наращиванию ногтей в москве цена юо

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(08.12.2016)