химический каталог




Синтез минералов. Том 1

Автор B.Е.Хаджи, Л.И.Цинобер, Л.М.Штеренлихт и др.

ких свойств синтезированных кристаллов. Весьма чувствительным индикатором изменения термодинамических условий синтеза является габитус кристаллов алмаза. При высоких температурах вблизи линии равновесия графит — алмаз в расплаве металла образуются кристаллы преимущественно ок-таэдрической формы. Понижение температуры синтеза сопровождается появлением кристаллов алмаза кубооктаэдрического габитуса. При самых низких температурах растут кристаллы преимущественно кубической формы.

Как показали исследования, на диаграмме состояний системы графит расплав металла — алмаз можно выделить р-Г-области, соответствующие основным габитусным типам кристаллов алмаза. Существование связи между габитусом кристаллов СА и содержанием примесного азота в них позволяет выполнить отнесение конкретных кристаллов по измеренным концентрациям парамагнитного азота к определенным р-Г-областям. Преимущества такого отнесения становятся очевидными при исследовании кристаллов СА мелких фракций, когда установление габитуса по отдельным зернам затруднительно.

421

Известно, что примесный азот в диспергированной форме окрашивает кристаллы алмаза в желто-зеленый цвет. Поэтому в первом приближении сведения об условиях роста кристаллов можно получить, исходя из характера их окраски.

Исследованные монокристаллы СА, выращенные в системе Ni—Мп—С, по характеру окраски можно разделить условно на три группы. К первой группе относится большая часть исследованных кристаллов, равномерно окрашенных в один цвет. Кристаллы, окрашенные секториально (интенсивность окраски пирамид роста октаэдра и куба различны), составляют вторую группу. В третью группу выделены кристаллы, интенсивность окраски которых монотонно изменяется от центра роста к периферийным областям.

Исследования методом ИК-спектроскопии показали, что значения коэффициентов поглощения в максимумах основных полос при 1135 см-1 (парамагнитный азот) и 1290 см-1 (возможные непарамагнитные ассоциации азота, например, центр D), в спектрах отдельных частей одного и того же кристалла, соответствующих пирамидам роста <100> и <111>, одинаковы в пределах ошибки измерения.

Секториальная окраска кристаллов второй группы объясняется различным содержанием парамагнитного азота в разных пирамидах роста. Общее количество азота в таких кристаллах низкое (ацз5<5 см-1) и, судя по данным ИК-поглощения отдельных пирамид роста, примесный азот находится в основном в пирамидах роста {100}. В системе Ni—Мп—С появление таких кристаллов случайно. Сравнительно легко они получаются при специальных режимах синтеза. Секториальная окраска характерна также для кристаллов, синтезированных в обогащенной бором системе Ni—Мп—С.

Различия в значениях концентраций парамагнитного азота в разных пирамидах роста кристаллов третьей группы незначительны. Концентрация азота в этих кристаллах в соответствии с окраской существенно изменяется в направлении от центра роста к внешним слоям. На некоторых образцах этой группы разница между значениями аш5 для центрального участка и для участков у граней составляла 5—8 см-', что в значениях концентрации азота в соответствии с полученным коэффициентом пропорциональности (1,6- 1022 м-2) равно (0,8—1,2) • 1025 м"3.

Поскольку цвет является индивидуальной характеристикой данного кристалла и интенсивность окраски связана с количеством и характером распределения основных примесей в этом кристалле, по цвету можно судить качественно об условиях (или изменениях этих условий) синтеза в локальном участке реакционной зоны, а именно в месте образования данного кристалла. Так, однородная окраска кристаллов СА первой группы свидетельствует о том, что эти кристаллы росли в условиях небольшого пересыщения вблизи линии равновесия графит — алмаз при умеренных значениях р-7-параметров. Примеси азота в расплаве было достаточно много, приток расплава к граням растущего кристалла происхо-422

Рис. 157. График зависимости интенсивности однофононного поглощения (1135 см"1) от положения кристалла в реакционной зоне (а) и распределение Температуры в реакционной зоне (б):

Тх — температура в некоторой точке реакционного объеиа; Гц—то же, в центре реакционного объема.

Заштрихованы зоны положения кристаллов по высоте реакционного объема

дил равномерно. Все эти условия способствовали образованию кристаллов преимущественно кубооктаэдрического габитуса.

Установленная связь между концентрацией парамагнитного азота в монокристаллах СА и интенсивностью полосы поглощения 1135 см-1 в ИК-спектрах позволяет использовать ИК-спектроско-пию для изучения распределения кристаллов в реакционной камере с различным содержанием азота. Был выполнен ряд опытов по синтезу в системе роста Ni—Мп—С в условиях, приближающихся к технологическим.

Результаты представлены на рис. 157, а в виде зависимости содержания парамагнитного азота в кристаллах от расстояния, на котором находится кристалл в реакционной зоне до центра спека. Нижняя часть рис. 157, а схематически изображает спек в разрезе. Заштрихованные участки соответству

страница 186
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 1" (5.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
выучиться на установку газ оборудования
Хорошее предложение в KNS на TD2220-2 - федеральный мегамаркет компьютерной техники.
перчатки forward в казани купить
сейф депозитный 1 класс ст-106.с20/18/20-4-2

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(30.05.2017)