химический каталог




Синтез минералов. Том 1

Автор B.Е.Хаджи, Л.И.Цинобер, Л.М.Штеренлихт и др.

колько случайный характер, однако окончательный ее вид был скорректирован на основании многих наблюдений. Трудность, возникавшая при непосредственном исследовании алмаза в электронном микроскопе, заключалось в том, что наблюдавшаяся картина исчезала под пучком электронов через 2—5 с. Непосредственная дифракционная картина дефекта зависела от ориентации образца по отношению к электронному лучу. Контраст на изображении по этой причине является функцией толщины образца и глубины залегания дефекта. Для дефекта, расположенного наклонно к плоскости образца, периодичность чередования светлых и темных участков, отражающая глубину залегания дефекта, выявится в виде ряда контуров, параллельных линии пересечения плоскости дефекта с поверхностью образца.

Если дефект упаковки расположен параллельно плоскости образца, то полосы затенены равномерно. На рис. 152, а показан де410

>

I

Рис. 152. Электронно-микроскопические снимки дефектов в синтетических монокристаллах алмаза:

а — поверхностный дефект упаковки; б — дефект упаковки, препятствующий движению дислокаций; в -- дислокации; г — упорядоченные (ориентированные) включения; д — беспорядочно расположенные включения

фект упаковки в синтетическом алмазе, легированном азотом, источником которого являлся VN (массовое содержание в шихте 1,5%)- Дефект упаковки направлен от поверхности в глубь кристалла. Расстояние между линиями около 200- 10"'° м. Дефекты упаковки в синтетическом алмазе встречаются гораздо чаще, чем в природном. Иногда (см. рис. 152, б) дефекты упаковки могут служить препятствием для дислокаций, увеличивая скалывающее напряжение, и тем самым упрочнять соответствующие участки кристаллов.

При дислокации смещение Rd, вызывающее наиболее существенные эффекты контраста, является непрерывной функцией. Плоскости кристалла вблизи дислокаций слегка изогнуты, поэтому условия дифракции для дислокаций и окружающих областей различны. Если плоскости локально изогнуты таким образом, что происходит интерференция, интенсивность проходящего пучка в свет411

лом участке поля изображения будет меньше, дислокация проявится в виде темной линии шириной около 100 ? Ю-10 м, что гораздо больше реальной ширины дислокации. Наблюдение дислокаций в этом случае основано на дифракционном контрасте, где под контрастом понимается отношение интенсивности пучка электронов, прошедшего через кристалл, к падающему. В зависимости от конкретных условий отражения изображение дислокаций может быть различным: одиночная темная линия с одной стороны дислокации, две темные линии, пунктирная линия, волнистая линия и картина без изменения контраста (в этом случае дислокация невидима, т. е. выполняется равенство gb = 0, где b — вектор Бюр-герса дислокации; g — вектор нормали к отражающим плоскостям; во всех остальных случаях gb^O).

На рис. 152 приведены дислокационные структуры синтетического алмаза. На рис. 152, б дислокация представлена в виде сложной темной линии. На рис. 152, в показана серия дислокаций в кристалле синтетического алмаза, выращенного с добавкой нитрида марганца (массовое содержание 10 %). Осциллирующий контраст обусловлен наличием дислокаций, расположенных сравнительно далеко от поверхности и наклонно пересекающих ее. С ростом концентрации азота плотность дислокаций, по-видимому, убывает, как в природных кристаллах, у которых наибольшая плотность ростовых дислокаций наблюдается в беспримесных алмазах. Наряду с указанными дефектами в синтетических алмазах наблюдаются микровключения. Можно отметить два типа распределений микровключений: упорядоченное (рис. 152, г) и неупорядоченное (рис. 152, д).

Глава 19

ИССЛЕДОВАНИЕ РЕАЛНОЙ СТРУКТУРЫ СИНТЕТИЧЕСКОГО АЛМАЗА СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИМИ МЕТОДАМИ

Изучение примесных азотных центров в монокристаллах синтетического алмаза методом ИК-спектроскопии

Алмаз — типичное вещество с ковалентной или гомеополярной связью. Кристаллическая решетка алмаза (рис. 153) состоит из двух кубических гранецентрированных подрешеток, сдвинутых относительно друг друга на i/t длины диагонали куба. В ковалентной связи участвуют только электроны внешней оболочки атомов так, что распределение электронной плотности в направлении четырех вершин тетраэдра одинаковы. Это состояние отвечает sp3-гибридизации.

Для решетки типа алмаза (пространственная группа D7h) должно быть лишь одно, трижды вырожденное, фундаментальное колебание, активное в спектрах комбинационного рассеяния. Частота этого колебания для алмаза равна 1332 см~' (рамановская частота) и соответствует максимально возможной энергии фонона алмазной решетки. Отсутствие статического дипольного момента 412

у алмазной решетки приводит к запрету колебательных переходов с участием одного фонона в процессах поглощения электромагнитного излучения.

Однако, именно особенности спектров ИК-поглощения послужили основанием для разделения кристаллов алмаза на два типа. Кристаллы, в спектрах которых наблюдается поглощение в районе 700—1400 см-1, были отнесены к типу I. Интенсивность и форма полос поглощения в эт

страница 181
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 1" (5.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
цветочные арки в москве
Фирма Ренессанс винтовые лестницы на второй этаж эконом класса цена- быстро, качественно, недорого!
стул изо черный
компактное хранение документов дома

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(10.12.2016)