химический каталог




Синтез минералов. Том 1

Автор B.Е.Хаджи, Л.И.Цинобер, Л.М.Штеренлихт и др.

о снижает скорость роста затравок. Причем эффект от присутствия в шихте In, Са или Си практически одинаков в изученном интервале концентраций. Кроме того, показано, что введение в исходную шихту порошка графита (массовая доля 2 %) с размером частиц до 100 мкм значительно сокращает время насыщения расплава металлов углеродом и позволяет тем самым ограничить длительность предварительного растворения затравок не более чем пятью минутами.

В этих условиях возможно, в частности, получение тонких слоев с различной по сравнению с затравочным кристаллом типом проводимости за счет введения в шихту соответствующих электрически активных примесей.

Глава 18

ВНЕШНЯЯ И ВНУТРЕННЯЯ МОРФОЛОГИЯ СИНТЕТИЧЕСКИХ МОНОКРИСТАЛЛОВ АЛМАЗА

Особенности внешней морфологии синтетических алмазов

Габитус, облик, рельеф граней, распределение примесей и включений в кристалле целиком определяются его структурой, физико-химическими условиями в среде роста, пересыщением, присутствием примесей, симметрией питания, а также кинетикой процесса роста. Согласно теории Хартмана и Пердока, удельный вес грани в облике кристалла убывает в последовательности F, s, К, что соответствует уменьшению ретикулярной плотности граней и повышению их структурной шероховатости. Для алмаза атомно-гладкими f-гранями являются (111), ступенчатыми s-rpa-нями—(ПО), атомно-шероховатыми К-гранями—(100). Реальный облик алмазов сложнее предсказываемого теорией и обусловлен конкретным сочетанием указанных выше факторов. В этой связи изучение особенностей морфологии кристаллов синтетического алмаза обеспечивает получение информации, необходимой как для совершенствования процесса кристаллизации, так и для более глубокого понимания природного алмазообразования.

Внешняя форма кристаллов алмаза, полученных в системе Ni—Мп — графит, обычно представлена морфологическим, рядом куб — октаэдр с соответствующими комбинационными формами (рис. 139). Смена форм в данной последовательности в зависимости от термодинамических факторов обсуждалась выше. В спе-390

цифических условиях, а именно при повышенных температурах вблизи линии равновесия графит—алмаз в облике кристаллов преимущественное развитие получает форма ромбододекаэдра. Обычно {110} и {311} развиты слабо и наблюдаются, как правило, на кристаллах с пониженным содержанием примесного азота, в силу чего заметного влияния на габитус изучавшихся алмазов они не оказывали.

Наблюдения показывают, что часто внешняя симметрия синтетического алмаза ниже его истинной тЗт. Это определяется неизометричностью питания, сохраняющей элементы внешней симметрии

кристалла, совпадающие с аналогичными элементами среды кристаллизации, и формирующей ложные формы роста и ложные элементы огранения. При послойном расположении графита и металла в описанных конфигурациях поля температур (см. гл. 2) среда кристаллизации по отношению к индивиду может обладать локальной симметрией:

— шара (CooL„coP)t случай равномерного и всестороннего питания всех граней кристалла, реализуется в области центра реакционного объема при сравнительно малых размерах кристалла; —цилиндра или эллипсоида вращения (CLxooL2ooP)y питающий поток поступает по радиусам круговых сечений цилиндра или эллипсоида, реализуется в зоне вдоль вертикальной оси камеры;

— конуса (/-ооОоР), случай набегающего потока, характерен для периферийной области вблизи экваториального сечения реакционного объема;

— трехосного эллипсоида (СЗЦЗР) при неравномерном питании по трем взаимно перпендикулярным направлениям, реализуется во всех остальных зонах реакционного пространства.

Границы между указанными зонами весьма условные, поэтому степень искажения облика кристаллов различна. Факторы р-Г-условий и химического состава среды кристаллизации способны подавлять или интенсифицировать развитие определенных форм, однако во всех случаях прослеживается закономерное влияние симметрии питания, приводящее, как будет показано ниже, к формированию изометричиых, удлиненных или уплощенных кристаллов.

Для синтетических алмазов, так же как и для природных, типичными являются двойниковые образования и сростки. По

391

характеру срастания кристаллы можно разделить на две группы: закономерные и незакономерные сростки. К первой группе относятся двойники и параллельные сростки, ко второй — неправильные сростки и агрегаты. В алмазах двойниковой плоскостью и плоскостью срастания является (111). В этой плоскости один из индивидов повернут относительно другого на угол 60°, а двойниковая ось перпендикулярна к плоскости (111), т. е. совпадает с одной из тройных осей симметрии (шпинелевый закон двойникования).

Механизм образования двойников роста изучен еще недостаточно, но он должен предусматривать отложение определенных группировок атомов углерода, существующих в пересыщенном растворе в двойниковом положении. Например, тетраэдрическая группировка углеродных атомов может присоединяться к грани (111) алмаза в двух позициях. В одном случае она расположится над октаэдрической пустотой, не нарушая геометрии

страница 173
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 1" (5.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
может ли работник подать иск не по месту регистрации компании
итальянские отопительные котлы
NQSH.75.1220
климат-042

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(03.12.2016)