химический каталог




Синтез минералов. Том 1

Автор B.Е.Хаджи, Л.И.Цинобер, Л.М.Штеренлихт и др.

сечению гексагональной призмы, описанной вокруг этой затравки.

Для того чтобы вырастить крупный кристалл кварца, необходимо задать его сечение, перпендикулярное к оси с, протяженной затравкой. Это можно сделать, используя в качестве затравок пластины или стержни определенных кристаллографических ориентации. Наиболее эффективны (в смысле получения максимального сечения кристалла при минимальной площади затравки) пластины, ориентированные параллельно плоскости пинакоида. В практике выращивания кристаллов кварца постепенно определился ассортимент затравочных пластин, применяемых для выращивания кристаллов различного назначения. Обычно используются затравочные пластины ориентации (0001 )с, (1120) (±х). Для некоторых целей, например для выращивания ювелирных разновидностей кварца, используют пластины (1011)/? и (0111) л-ориентаций. Как уже отмечалось, иногда в качестве затравок применяют стержни, параллельные механической оси у. В этом случае эффективное разрастание кристаллов происходит не только в направлении оси г, но и в направлениях +х и —х. Скорости нарастания кварца в этих направлениях примерно того же порядка, что и у пина-коида. Использование в качестве затравок протяженных затравочных пластин и стержней приводит к тому, что форма и размеры выращиваемых кристаллов кварца в значительной степени определяются формой и размером затравочной пластины или стержня. Только при очень длительном выращивании или использовании затравочных пластин малых размеров конечная форма кристалла содержит грани с минимальными скоростями роста. Такими являются грани т и R, которые и формируют так называемую стабильную форму синтетического кварца. Во всех остальных случаях на кристалле присутствуют нестабильные грани и поверхности. С увеличением времени выращивания удельная доля этих поверх-20 ностей в огранке кристалла уменьшается, и все большую площадь поверхности занимают грани гексагональной призмы и основных ромбоэдров.

Для выращивания кристаллов кварца можно применять затравочные пластины самых различных ориентации, в том числе и иррациональных. Применение заготовок указанных ориентации в первую очередь определялось требованиями к качеству выращиваемых кристаллов. Проведенными исследованиями было показано, что на различно ориентированных затравках образуются кристаллы с различной однородностью и различной степенью дефектности. Наиболее однородные и в значительной степени «монопирамидные» кристаллы удается получить именно на затравках указанных выше ориентации. На рис. 1 приведены фотографии кристаллов, получаемых на затравках различных ориентации. Следствием гранного механизма роста кристаллов синтетического кварца является их ярко выраженное секториальное строение. На рис. 2 представлено идеализированное секториальное строение для различных типов кристаллов кварца. Захват структурных и неструктурных примесей существенно зависит от кристаллографической ориентации поверхности затравки скорости и других условий Роста. Поэтому возникающие неоднородности распределения примесей по пирамидам' и зонам роста (в пределах каждой пирамиды) образуют секториальное и зонарное строение (рис. 3). Особенности такого строения и определяют внутреннюю морфологию кристаллов кварца. Макроскопическое распределение примесей осложняется явлением «вторичной секториальности» (образованием «паразитных» пирамид роста, по Г. Г. Леммлейну) и двойникованием кварца. Известно, что реальные грани даже в случае медленного роста, не говоря уже о стабильных и быстро нарастающих поверхностях, не являются идеальными плоскостями, а имеют характерный для данной грани или поверхности рельеф, состоящий либо из акцессорий (холмиков) роста, либо из участков граней других индексов («поверхности вырождения»). Поскольку коэффициент захвата примесей чрезвычайно чувствителен к изменению ориентации растущей поверхности, нарастание такой «рельефной» грани приводит к образованию «вторичной секториальности» в пределах данной пирамиды роста. Аналогичные искажения вносят также ростовые двойники.

Гидротермальная растворимость и физико-химические условия синтеза кварца в различных водных системах

Управление процессом перекристаллизации диоксида кремния в гидротермальных условиях основывается на использовании термобарических зависимостей растворимости кремнезема в различных средах. Знание зависимостей растворимости модификаций кремнезема в водных растворах и чистой воде от температуры, давления, состава растворителя и других факторов позволяет выбрать режим роста кристаллов, обеспечивающий необходимое их качество (рис. 4).

Определению растворимости различных форм диоксида кремния посвящено значительное число работ, накоплен большой объем экспериментальных данных, часто разрозненных и иногда даже противоречивых. Целесообразно в настоящем разделе ограничиться рассмотрением только того материала, который имеет непосредственное отношение к сложившейся методике выращивания кристаллов кварца различного назначения.

После исследований растворимости кварца в воде и водяном паре

страница 10
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 135 136 137 138 139 140 141 142 143 144 145 146 147 148 149 150 151 152 153 154 155 156 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 168 169 170 171 172 173 174 175 176 177 178 179 180 181 182 183 184 185 186 187 188 189 190 191 192 193 194 195 196 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 210 211 212

Скачать книгу "Синтез минералов. Том 1" (5.19Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
навигатор для рено дастер купить
продам участок по рижскому направлению
Sinix 1054WR
шкафы для загатованных банок размер 30-65-210

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(08.12.2016)