![]() |
|
|
Основы тонкослойной хроматографии (планарная хроматография) Том 1. Данные не были опубликованы. Коммерческая пластин(испопьзован закрепитель слоя).Rm = Ь,Ц1-Rf)/R,l (44s) Величины Rr» и R„* равны и отличаются только знаком: R« = -R„*. Значение cRm оказывается в 2.3 раза выше значения Rr. На рис. 63 показаны графики зависимости R„ и Rra*oT Rf. Конечно, предполагается использование только значений Rr [т.е. определенных по уравнению (40) скорректированных значений Rr], Для просто™ и более наглядного представления рекомендуется пользоваться параметром R„* (поскольку изменение RM* совпадает по направлению с Rr, а направление изменения Rm противоположно). К сожалению, общеупотребимым стал именно параметр Rm. Поэтому в данной книге тоже приходится пользоваться параметром R« (если не сделано специальных оговорок). Уравнение (39) может быть преобразовано к виду Rm = ЩШАш) + IgK = ft' (45 *) По аналогии, для адсорбционной хроматографии мы получаем выражение iW..i ft, = hlWJVm) + lgK (45a) ; адсорбента; V„ - свободный объем слоя ("мертвый объем"). (456) Подставляя в уравнение (45) выражение AftOJHT = 1пК i получим уравнение Мартина [63] К™ = 1жШАт) + (AS/2.3RT) (46) здесь Ар" - разница свободных энергий при фазовом переходе одного моля растворенного вещества при стандартных условиях. Член ЛрЯ отражает изменения в хроматографичесхой системе (изменения растворителя, активности, рН и т.д.). В соответствующих разделах книги на этот параметр дается ссылка. Уравнение Мартина дает основу для установления структуры анализируемых соединений методами хроматографии (в таком анализе тонкослойной хроматографии может отводиться лишь умеренная роль). В идеальном случае Дц° для выбранного вещества в конкретной системе дает дополнительную частичную информацию об определяющих структуру факторах, соответствующих прочим физико-химическим характеристикам (например, парахор. показатель преломления). В обобщенном виде можно записать: Rm = Ig(AMm) + (uiuffi + клэдЛ ? asAfOlZlR Т (47) "Соответствующая конкретной функциональной группе соединения константа" fiu°i в первом приближении не зависит от остальной части молекулы. Для масляной кислоты СНз(СН)гСООН i Рис. 63. Взаимосвязь между Rr и RmТаблица для пересчета приведена в Приложении III. Rm = lg(AJA.) + (BiAitau * miff cm + aiAitcoon)/1.3RT (47a) Когда молекулы типа А за счет добавления группы X превращаются в молекулы вида В и оба типа вещества хроматографи чески разделяются в той же самой системе, наблюдается увеличение Лц° (а, следовательно, и R«) на Ди"х. Получаем (Rmh - (R~)A = /V/,/Z3RT (476) Этот способ, конечно, более подходит для исследования членов гомологического ряда, которым можно в общем виде приписать формулу A-(CVB. Для них уравнение (47) преобразуется к виду Л« = Ig(AMm) + AffAB/2.iRT+ AifJ2.3R1 = (R.)AM+Aft/2. JRT (47e) Теоретически, поскольку структура зависит от многих, в том числе неизвестных, факторов, может понадобиться получение хроматограмм с использованием многих различных систем. Уравнение (46) оказывается правомерным независимо от вида соединений и типа распределения между фазами. Оно может использоваться как в случае адсорбционного распределения, так и в случае ионообменного равновесия. На рис. 118 приведен пример, иллюстрирующий уместность подобной последовательной аддитивности в случае гомологического ряда м-олигофеииленов. Очевидно, что определения величины Rr в целях проведения структурного анализа должны быть точными и воспроизводимыми, из-за чего настоятельно необходимо пользоваться сэндвич-камерой. Кроме того, если подвижная фаза представляет собой спесь растворителей, приходится работать с камерами, позволяющими вводить образец уже после начала элюирования (для того, чтобы распределение двух фаз по поверхности пластинки оказывалось однородным). [Камера BN (фирма Desaga): камера Vario-KS (фирма Camag).] Параметр R. Декжер в 1958 г. предложил пользоваться параметром RC. дающим возможность в некоторой степени устранить влияние фазовых градиентов 1Т7 (рис. 64). Значение Rc для иссл |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 123 124 |
Скачать книгу "Основы тонкослойной хроматографии (планарная хроматография) Том 1" (3.64Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|