химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

го совершенства и состояние поверхности монокристаллов.

При изучении влияния условий выращивания и плотности дислокаций на тннj установлено [253], что с уменьшением осевого и радиального температурного градиентов в монокристалле плотность дислокаций уменьшается от 4,5-10" до 2,1 • Ю" см"2, а время жизни н.н.з. увеличивается от 30 до 100 мкс. В то же время достичь более высоких значений тн н3 в монокристаллах с дислокациями является чрезвычайно трудной задачей.

1 Пат. 1191989. ФРГ. 1966.

Переход к выращиванию монокристаллов без дислокаций позволяет обеспечить более высокое значение *н.н.э- Установлено также', что бездислокационные монокристаллы кремния обладают более высокой однородностью времени жизни н.н.з. по сравнению с дислокационными монокристаллами. Учитывая влияние примесей на ти.и.з [259-261], стерильной подготовке кристаллов и камеры выращивания необходимо уделять первостепенное внимание.

Одним из направлений увеличения времени жизни н.н.з. является термическая обработка монокристаллов [262-265]. В частности, установлено [263], что отжиг при 1070 К переводит примеси золота, железа, цинка в кремнии в неактивное состояние и снижает их рекомбинацион-ную активность. В [264] для увеличения i„_Kj предложено проводить термическую обработку в среде водорода, а авторы [265] рекомендуют двухступенчатый отжиг при 1470 и 1070 К.

Хорошие результаты были получены при низкотемпературной (350— 400 *С) термической обработке [266], которую проводили в кремниевой трубе в воздушной среде. В результате удалось увеличить тииэ на 70-80 %.

Улучшая структурное совершенство монокристаллов, уменьшая содержание металлических примесей, используя термическую обработку, удается получить в монокристаллах кремния с УЭС > 500+ +10000 Ом • см т„ и> 1000 мкс.

В настоящее время методом бестигельной зонной плавки получают монокристаллы кремния диам. 30-150 мм с УЭС 0,2-100000 Ом • см и временем жизни н.н.з. > 50-2000 мкс.

з. чистота II мюсрокпимат в штаазводствЕниых

ПЮМШЕНИЯХ

Чисто» производственных помещений является необходимым и чрезвычайно важным условием получения кремния полупроводниковой чистоты. Особенно это относится к технологическим переделам, связанным с выращиванием ноли- и монокристаллов кремния.

Наличие пыли в производственных помещениях может привести к резкому ухудшению качества полупроводникового кремния. По характеру образования пыль подразделяют на атмосферную и промышленную. В состав атмосферной пыли входят частицы почвы (земли), соль, образуемая морским прибоем, пыльца растений и др. Промышленная пыль образуется в результате выбросов в атмосферу отходов производства и состоит в основном из микрочастиц технологических продуктов. Ввиду того что технологические переделы получения поли- и монокристаллов находятся, как правило, в промышленных центрах, последний вид пыли занимает большую часть в общем ее объеме.

Микрочастицы пыли, находящиеся в атмосфере производственных помещений, оседают на внутренние поверхности камеры выращивания, оснастке и непосредственно иа поверх иости кристаллов кремния. В процессе выращивания поли- и монокристаллов микрочастицы попадают в кристалл и загрязняют его. Например, при запыленности микрочастицами размером > 0,5 мкм в количестве 10000 частиц в 1 л воздуха на 1 мм2 поверхности поликристаплнчеекого кремния (исходной загрузки для метода Чохральского и эаготовх» для бестигельной зонной плавки) может осесть 500 микрочастиц в течение 1 мнн. Если принять, что при переглавке все примеси из пылинок перейдут в вьфашиваемый кремний диаметром, например, 30 мы, то это повысит в ием концентрацию электрически активных примесей (бора и фосфора) на 2 • 1012 ат/см3. Как видно, величина загрязнений получается достаточно высокой.

335

Для снижения содержания пыли в атмосфере помещения для выращивания кристаллов проектируют с герметично закрытыми окнами и шлюзовыми камерами на входе. Внутренние поверхности стен помещений отделываю? специальным лылеотталкнвающим покрытием, при этом покрытие должно быть гладким, без выступов, трещин и впадин.

Воздух, подаваемый в помещение, очищают по следующей схеме. Забор воздуха иэ атмосферы проводят в чистой зоне вне корпуса цеха (здания) на высоте 6-10 м над уровнем земли. Затем воздух вентиляторным агрегатом подают на фильтр грубой очистки от ередне-и мелкодисперсной пыли. Грубую очистку ведут на металлических сетках, смоченных маслом, или тканевых фильтрах. После грубой очистки воздух направляют в камеру орошения, предназначенную для дальнейшей очистки и создания заданной влажности и температуры путем контактной его обработки водой- В холодное время года воздух после камеры орошения дополнительно подогревают в воздухонагревателе. Для окончательной очистки перед подачей в технологическое помещение воздух пропускают через тканевые фильтры гонкой очистки.

Очищенный воздух подают воздуховодами в верхнюю точку помещения так, чтобы обеспечивалось ламинарное движение воздуха сверху вниз. Из помещения воздух отсасывается с уровня пола, чтобы пы

страница 97
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
https://wizardfrost.ru/info/Stanciya_metro_Sevastopolskaya-remont_xolodilnikov_na_domu
прокат музыкального оборудования
http://taxiru.ru/
линзы для близорукости

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(22.08.2017)