![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремниятвием центробежных сил и электродинамического давления на зону расплава, оно приводит к нарушению симметричности зоны расплава и значительно снижает устойчивость роста бездислокационных монокристаллов. Среда выращивания (вакуум, инертный газ - аргон, водород, смесь водорода и аргона) играет важную роль при выращивании бездислокационных монокристаллов. Практика выращивания бездислокационных монокристаллов кремния показывает, что при использовании вакуума добиться достаточно высокого выхода в готовую продукцию можно 319 очищенный в специальных установках. Аргон имеет меньшее пробивное напряжение, чем водород, но, являясь инертным по отношению к кремнию, он практически не растворяется в расплавленной зоне и позволяет выращивать плотные, без газовых включений монокристаллы. . При выращивании в среде аргона {и в вакууме! важным является предотвращение электрического разряда на токоподводах индуктора. Возникновение электрического разряда в процессе плавки создает аварийную ситуацию, в результате такого разряда возможно появление загрязнения из материала иядуктора в растущем монокристалле до 1014-1015 ат/смэ [243]. Эту особенность плавки в атмосфере аргона следует учитывать при разработке высокочастотных генераторов, индукционных систем и при текущих ремонте и наладке генераторов. Применение газовой среды при выращивании монокристаллов приводит к повышению градиентов температуры в кристалле. Это связано с увеличением теплоотвода от кристалла за счет теплопроводности и конвекции газа внутри камеры. Увеличивая градиент температуры в выращиваемом монокристалле, можно повысить максимальную скорость выращивания (см. рис. 117). На практике для ускорения охлаждения специально обдувают монокристалл защитным газом , обеспечивая этим увеличение его скорости выращивания. Как уже указывалось, в бездислокационных монокристаллах, выращиваемых бестигельной зонной плавкой, были обнаружены структурные микродефекты. Характер распределения микродефектов А- и В-типов зависит от технологических параметров роста (скорости выращивания v и скорости вращения монокристалла ы). Шаг полос микродефектов обычно связан с распределением примесей и может быть определен из выражения: л ? v/u. Как показано в работе [244], подбором соответствующих условий роста можно добиться равномерного распределения микродефектов, если в процессе роста будет выполняться соотношение: v/to < ifli/C , где N - количество атомов примеси в 321 Рис. 150. Осевой градиент температуры ДТ и мини- Ути, К/мин мальная скорость охлаждения тохП> обеспечивающие получение монокристаллов без свнрл-дефектов 120 130ЛТ,К/см При производстве бездислокационных монокристаллов заданной марки с помощью измерительных приборов (например, оптических пирометров) определяют температурный градиент в выращиваемом монокристалле и по графику (см. рис. 150) вычисляют необходимую скорость выращивания. Это обеспечивает получение монокристаллов без свирл-дефектов. Вырастить бездислокационные монокристаллы без микродефектов D-типа в промышленных условиях пока не удается. По-видимому, этого можно будет добиться, уменьшив содержание углерода и кислорода в монокристаллах [72]. Методы легирования Монокристаллы кремния должны иметь заданные электрофизические свойства: тип и величину электропроводности, однородность ее распределения (разброс), THJI3. Тип и величину электропроводности обеспечивают, вводя в выращиваемый монокристалл легирующие элементы (в основном бор или фосфор). При бестигельной зонной плавке применяют следующие методы легирования: через подложку; твердой лигатурой; газового легирования при выращивании в вакууме и в газовой среде; нейтронно-трансмута-ционного легирования. При легировании через подложку осаждение кремния в процессе водородного восстановления хлорсиланов проводят на пруток-подложку, содержащий заданное количество легирующей примеси (с учетом, естественно, осаждаемого чистого слоя). В процессе бестигельной зонной плавки легирующая примесь из прутка-подложки переходит в зону расплава и распределяется по всему объему монокристалла. Концентрация легирующей примеси в прутке-подложке для достижения заданного уровня примеси в выращиваемом монокристалле определяется из соотношения: CJC0 = cPID2, где Ct и С0 - заданная концентрация примеси в монокристалле и концентрация примеси в прутке-подложке, ат/см3; d и D - диаметры 323 прутка-подложки и поликристаллического стержня кремния, полученного водородным восстановлением хлорсиланов, мм. При легировании бором через пруток-подложку получаются наилучшие результаты, так как в процессе плавки перераспредегения и испарения примеси практически не происходит. При легировании ф "ро-ром задача усложняется из-за малого коэффициента распределчпга примесей (к0 = 0,35) и интенсивного испарения фосфора из зоны расплава (при плавке в вакууме). При легировании твердой лигатурой навески чистого легирую- tero элемента или лигатуры (сплав кремния с легирующим элемег ом) специальной формы помещаю |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|