химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

тальные зависимости коэффициента извлечения от расхода водорода и кислорода.

Следует подчеркнуть радикальный характер химических реакций, протекающих в плазменном потоке. В высокотемпературной зоне плазменного факела образуются радикалы Н", ОН', О', Si' и т.д., при этом радикалы водорода должны присутствовать в избытке. Вследствие различной скорости протекающих реакций в плазменном потоке образование диоксида кремния происходит в тонком слое между центральным потоком, который образован кислородом и тетрахлорсиланом, и периферийными потоками, в которые подаются водород и кислород и в которых протекает реакция образования воды.

В факеле пламени горелки можно выделить три области: центральную, периферийную и граничную (на границе центральной и периферийной областей). Зондирование факела показывает, что профили распределения температур по диаметру и длине факела имеют характерные особенности. Выравнивание температуры по сечению факела начинается лишь на расстоянии > 100 мм.

Вследствие гидродинамических неоднородностей возможны случаи, когда, несмотря на избыток водорода, возможно попадание группы ОН в осажденные слои до концентрации 30— 50 ррт.

Поскольку повышение содержания группы ОН' в тигле снижает температуру начала его размягчения, управление составом кварцевого стекла и уменьшение в нем гидроксильных групп имеет большое значение в технологии кварцевых тиглей.

следующее,

Содержание микропримесей в заготовках из спеченного диоксида

кремния, по данным спектраль2 J и 5 Q0 , м3/ч Рис '28* Зависимость коэффициента

| | I I '' 1 I извлечения от расхода водорода (1) и

а 10 12 >4 0h1,h,/v кислорода (2)

274

А1 Мл Fe Са Ti Си В

100/200 5/7 60/80 80/100 20/20 1/2 1,5/5,0

Примечание. В числителе — напыление на кремниевый формообразователь, в знаменателе - иа формообразователь из силицированного графита.

Как видно из приведенных данных, загрязнение заготовок при использовании силицированного графита в 1,5-2 раза выше. Применение кремниевых формообразователей положительно сказывается на качестве спеченных заготовок для кварцевых тиглей. Срок службы формообразователей, изготовленных на основе кремния, в ~ 5 раз больше, чем из силицированного графита.

Заготовки из спеченного диоксида кремния помещают в печь остекловывания, где подвергают термической обработке и спеканию, в результате образуется тигель из синтетического кварцевого стекла (рис. 129).

Напыленную заготовку помещают на графитовую форму, наружные размеры которой соответствуют внутренним размерам будущего тигля, и загружают в форкамеру. Из форкамеры откачивают воздух, и заготовка перемещается в зону печи, откуда в помощью привода подается в зону нагревателя, разогретого до 2200-2300 К. Нагреватель и заготовка в зоне нагревателя защищены от, металлических частей печи системой экранов.

Длительность процесса остекловывания зависит от температуры (1953- 2023 К) и диаметра тигля. Остекловывание осуществляется на графитовой оправке, наружный диаметр которой равен внутреннему диаметру тигля.

В процессе термической обработки частично удаляется адсорбированная вода. Константу скорости реакции удаления воды К можно найти из выражения: 1п К = - 7468,62/ Т + 2,37.

Энергия активации этой реакции, протекающей по закону реакций первого порядка, 62132 Дж/моль. При проведении термической обработки в интенсивном режиме (рис. 130) концентрация группы ОН' уменьшается за 20 мин в 10 раз по сравнению с исходной концентрацией перед процессом остекловывания, а в обычном режиме - за 60 мин. Из этого следует, что концентрацией группы ОН' можно управлять. Практически ее удается довести до 0,1- 0,01 ррт.

Графит представляет собой одну из аллотропических форм углерода. Природный графит часто загрязнен другими элементами (до 20 %), поэтому для нужд полупроводниковой техники используют искусственный графит высокой чистоты, для производства которого применяют в основном нефтяной кокс как наполнитель и каменноугольный пек как связующее. В качестве добавок к наполнителю применяют природный графит и сажу. Иногда в качестве связующего используют некото275

Графит как конструкционный материал занимает особое место в установках для выращивания монокристаллов кремния по Чохральско-му: все детали теплового узла изготаливаются из спектрально чистого графита. Графитовые детали перед процессами выращивания подвергают высокотемпературному отжигу при 1873 К в вакууме или потоке инертного газа при давлении < 1,33-103 Па. Так как графитовые детали теплового, узла в процессе работы сорбируют различные примеси, эти детали периодически отжигают в вакууме.

Для получения монокристаллов кремния применяют детали, изготовленные из графита особой чистоты по ТУ 48-20-90-82:

щ

рые синтетические смолы, например фурановые и фенольные. Произ-1 водство искусственного графита состоит из ряда механических операций (дробления, размола, рассева по фракциям, смешения кокса со связующими, формовки заготовок) и термических отжигов при; различных температуре и длительно

страница 80
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
KNS предлагает скдку за клик - промокод "Галактика" - Lenovo IdeaCentre S200 MT 10HR001GRU - офис-салон на Дубровке.
пленка на гос номер
купить сковороду на 22 и на 24 см фирмы le creuset
купить на концерт робби уильямса

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(29.03.2017)