химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

а которых располагается углеграфитовый войлок, который в случае пролива расплава кремния защищает от повреждения поддон камеры

263

печи. На верхнем торце бокового экрана располагают в случае необходимости плоский (или другой формы) потолочный экран (закрытая экранировка, см. рис. 123)..

В установках с резистивным нагревом используют два основных типа нагревателей различной модификации: с боковым и донно-боко-вым нагревом. Форма изотерм и потоков тепла в расплаве зависит от конструктивных особенностей нагревателя [4].

Нагреватели с донно-боковым нагревом, как правило, применяются при загрузке в тигель до 4-6 кг; при больших загрузках используются нагреватели с боковым нагревом. Постоянный или переменный электрический ток к нагревателю подают по водоохлаждаемым токоподводам, проходящим через поддон камеры.

Использование трехфазного переменного тока для питания нагревателя приводит к дополнительному сильному перемешиванию расплава, при котором резко увеличивается концентрация кислорода и возрастают разбросы УЭС в поперечных сечениях монокристаллов. Поэтому наибольшее распространение получили источники постоянного тока.

Приведем пример расчета элементов разрезного графитового нагревателя (рис. 124, а), питаемого постоянным током по схеме (рис. 124, б) [5].

1. Исходя из размеров подставки тигля, определяют внутренний диаметр нагревателя DBH (мм) и высоту его греющей части Wr.4 (м).

2. Определяют длину ветви нагревателя В по дуге внутреннего диаметра DBH (см. рис. 124, о).

3. Задаются числом греющих элементов и в ветви нагревателя, получающихся при фрезеровке (разрезании) исходной заготовки нагре264 вателя на четное число элементов. При этом необходимо учитывать, что для обеспечения достаточной прочности (механической) нагревателя толщина стенки его должна составлять > 5-6 мм.

4. Зная высоту греющей части нагревателя и число элементов в одной его ветви, определяют их суммарную длину L (м).

5. Зная установленную мощность питающего нагреватель трансформатора W (кВт) и рабочее напряжение U (В) на нагревателе, определяют его электрическое сопротивление: RH " V^kJCWk^, где к1 » 0,85 -коэффициент, учитывающий потери мощности в блоке тиристоров и выпрямителе; к2- коэффициент, учитывающий изменение напряжения на выходе из блока питания (fc2 = 0,85-5-0,9 при питании переменным током и fc2 - 1,1 - постоянным).

6. В соответствии с законом Кирхгофа для разветвленной цепи, состоящей из двух ветвей с одинаковым электрическим сопротивлением Д„ (см. рис. 124, б), сопротивление отдельной ветви связано с сопротивлением цепи нагревателя Яв соотношением: Дв - 2RH.

7. С учетом УЭС графита Р (Ом • м), которое для наиболее распространенных марок может быть принято в пределах 10-15 Ом • м, определяют площадь поперечного сечения греющего элемента, мм2: F » -pL/ffB.

8. Зная ширину одного греющего элемента Ь, определяют его толщину: a- F/fc Остальные размеры нагревателя [расстояние между центрами токоподводов Ц, высота токоподводящих ножек ft, геометрические размеры частей нагревателя, крепящихся к водоохлаждаемым токо-вводам (лапам), и др.1 определяются конструктивными особенностями теплового узла и рабочей камеры установки [5].

265

ся также радиальные градиенты в расплаве. Все вместе позволяет поддерживать скорость выращивания почти неизменной. Величина угла а (см. рис. 125, б) определяется диаметром тигля и кристалла. Использование таких подставок дает возможность с применением современных средств автоматизации выращивать монокристаллы, у которых отклонение от заданного диаметра не превышает ± 1,0 мм, а остатки кремния в тигле составляют < 3 % от массы загрузки.

На современных установках выращивают монокристаллы в потоке инертного газа при абсолютном давлении (0,27-4) • 103 Па. Инертный газ, чаще всего аргон или гелий, подается в камеру выращивания на поверхность расплава через газоподающую трубу, устанавливаемую коаксиально выращиваемому монокристаллу. Инертный газ захватывает частицы испаряющегося с поверхности расплава монооксида кремния и уносит их потоками, создаваемыми вакуумным агрегатом. Главное требование к подающей и отводящей газ системе - предотвратить оседание монооксида на деталях экранировки, так как в течение процесса выращивания возможно отслаивание частиц монооксида и попадание их в расплав. Попадая на фронт кристаллизации, такие частицы могут быть причиной образования дислокаций в растущем бездислокационном монокристалле, появления двойников и др.

В установках "Редмет-15" и Редмет-30" для создания вакуума используются форвакуумные насосы НВЗ-75,агрегаты АВР-150. Верхний - и нижний шток уплотняются при помощи манжетов.

Вакуумный агрегат, откачивающий воздух из плавильной камеры перед началом процесса или инертный газ с продуктами плавки (монооксид кремния) в течение процесса, должен в холостом режиме (без плавления) создавать в камере разрежение < 4 Па. Важным показателем нормальной работы вакуумного агрегата является проверяемая перед каждой плавкой стабильность вакуума, фиксируем

страница 77
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
Купить коттедж в поселке Большое Сареево с бассейном
лестница тренировочная torres tr1018
Howard Miller 611-208
набор ножей 3 пр. professional “s”

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.02.2017)