![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремниядинамических расчетов, т.е. в любой момент времени расход сырья будет превышать величину, требуемую программой. Если программирование ведется по площадям, находящимся под линией расчетной программы, с тем, чтобы коэффициент извлечения кремния был максимальным и близким к расчетному, то vyn может стать меньше ожидаемой (расчетной), т.е. производительность процесса в любой момент времени будет меньше, чем требуется по программе. Остановимся еще на одном важном моменте. Для повышения эконоВлияние технологических параметров и конструкции реактора на процесс осаждения В промышленном производстве наибольшее распространение получили многостержневые реакторы. Поэтому рассмотрим некоторые закономерности конкретно для таких реакторов, используя которые можно подобрать оптимальный технологический режим. При применении трихлорсилана скорость осаждения кремния в диапазоне температур 1273-1473 К остается практически постоянной. Для тетрахлорсилана скорость осаждения растет с повышением температуры. Увеличение выхода кремния также растет с повышением температуры (см. рис. 94). При проведении процессов в опытном реакторе установлено [134], что с увеличением концентрации тетрахлорсилана в исходной паро-газовой смеси скорость осаждения кремния вначале растет, затем после достижения максимума начинает падать из-за протекания процессов травления кремния (рис. 106, о). В реальной практике положение точки максимума может отличаться от приведенной на рис. 106, а. Зависимость скорости осаждения кремния от концентрации трихлорсилана в водороде при температуре 1350 К приведена на рис. 106, 6. Зависимость выхода кремния от концентрации трихлорсилана в исходной паро-газовой смеси иллюстрирует рис. 106, е. При осаждении кремния в промышленных реакторах происходит перенос тепла и массы, оказывающей влияние на показатели процесса. К сожалению, однозначной количественной оценки этого процесса пока установить не удалось. Известно, что перенос тепла может происходить посредством передачи энергии от частицы к частице (см. гл. I), а перенос массы -с помощью диффузии. Может также происходить одновременный перенос тепла и массы посредством конвекции. В случае движения, вызванного внешними силами, имеет место вынужденная конвекция, а при движении, вызванном разностью температур или концентраций, происходит естественная конвекция. Размеры реактора и степень его заполнения стержнями кремния при прочих равных условиях будут оказывать влияние на процессы переноса в реакционном объеме, а следовательно, и на показатели осаждения кремния. Увеличение в опытном реакторе размера металлического водоохлаж-даемого колпака при сохранении количества стержней привело к снижению скорости осаждения кремния на 2 % [131]. При использовании в качестве реакционной камеры неохлаждаемого кварцевого колпака аналогичного размера снижение скорости осаждения составляло уже ~ 6,1 %. При установке кварцевого неохлаждаемого экрана внутрь промышленного водоохлаждаемого металлического реактора 237 нами также обнаружено снижение скорости осаждения кремния, но на 10-12%. Приведенные примеры указывают на то, что процессы осаждения связаны с процессами тепломассопереноса в реакционном объеме. По данным, полученным при введении радиоактивных изотопов в реактор [149], реакционная среда непрерывно перемешивается, и структура потоков в аппарате близка режиму идеального перемешивания. Потоки паро-газовой смеси двигаются вдоль нагретых стержней кремния вверх и опускаются вдоль охлаждаемых стенок реактора вниз, создавая интенсивное перемешивание реакционной смеси в объеме между стержнями. С ростом диаметра стержней и увеличением расхода паро-газовой смеси степень перемешивания среды в реакционном объеме повышается [149], а движущая сила процесса снижается (уменьшается УИ). Характер изменения vyB от диаметра, имеющий для каждого из типов реакторов свою особенность, требует в каждом конкретном случае особых режимов проведения процесса и поиска наиболее совершенной конструкции реактора. Вспомогательные технологические операции Принятая технология монокристаллического кремния требует получения механически прочных поликристаллических стержней большого диаметра. Наличие трещин в них приводит к неконтролируемому загрязнению стержней во время дальнейших механической и химической обработок и исключает возможность последующей бестигельной зонной плавки. 238 Исследование трещинообразования в стержнях кремния, выполненное авторами [150], показало, что основными причинами возникновения напряжений в стержнях кремния являются неоднородность теплового поля в поперечном сечении стержней при их росте и различие коэффициентов теплового линейного расширения поликристаллического кремния с неодинаковой структурой. Поскольку нагрев стержней осуществляется пропусканием тока, то в поперечном сечении стержней по мере роста возникают температурные градиенты, которые приводят к значительным температурным напряжениям. В результате фрактографических исследований установлено [150], |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|