химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

авки образуется шесть поверхностей {ПО}. Затем начинают развиваться поверхности {211} и при благоприятных условиях они вытесняют {ПО}. В конечном итоге поверхности {110} вырождаются, как показано на рис. 101, б.

При сравнительно низкой концентрации хлорида можно наблюдать преимущественное развитие поверхностей {ПО}, причем поверхности {211} в отдельных случаях могут даже вырождаться в ребра.

При осаждении на пруток-подложку, ось которой ориентирована в направлении [ПО], поперечное сечение стержня представляет собой четырехгранник с плоскостями {111} в качестве ограничивающих поверхностей. Осаждение на подложку, ориентированную в направлении [112], приводит к получению стержней с шестью ограничивающими поверхностями, из которых две {111}, а четыре {ПЗ}. Ограничивающие стержень поверхности так же, как и для случая осаждения на подложку [111] состоят из ступеней, представляющих собой в большинстве случаев грани (111).

Рассмотрим механизм роста монокристаллических стержней в процессе водородного восстановления хлорсиланов. Так же, как в рассмотренном ранее случае роста поликристаллического стержня в виде толстых пластин, оптимальные условия роста монокристаллических стержней будут определяться соотношением К < 1, поскольку при этом осуществляется рост с огранкой, приближающейся к плоской. Сопоставление экспериментально определенных условий выращивания моно227

кристаллических стержней в процессе водородного восстановления тетрахлорсилана подтверждает это.

Исследования показали, что монокристаллические стержни большого диаметра, полученные в процессе водородного восстановления тетра-хлорида кремния, обладают вполне удовлетворительными свойствами. Так, содержание кислорода было меньше 400 ррЬ, стержни имели л-тип проводимости с достаточно равномерным распределением УЭС по сечению. Значение холловской подвижности при комнатной температуре и . температуре жидкого азота также было достаточно высоким.

Получение монокристаллических стержней небольшого диаметра не вызывает значительных затруднений. Даже при использовании обычного режима при производстве поликристаллических стержней в процессе водородного восстановления можно получить достаточно совершенные монокристаллические стержни небольшого диаметра. Это связано с тем, что при небольших диаметрах пересыщение незначительно отличается от оптимального. Основные трудности возникают при выращивании монокристаллических стержней большого диаметра.

Первые опыты выращивания монокристаллических стержней, хотя и были обнадеживающими, все же показали, что выращивание крупных и совершенных монокристаллов требует очень тонкой регулировки температуры поверхности образца и концентрации газа.

Колебания в режиме немедленно приводят к образованию дендритов различной толщины (чем больше режим отклоняется от оптимального, тем тоньше дендриты). Часто дендриты появляются на поздних этапах роста в виде вкраплений, выступающих над поверхностью растущего монокристалла. Вследствие того что фронт кристаллизации дендрита выступает над поверхностью кристалла, он имеет несколько более низкую температуру. Появившись на поверхности монокристалла, дендрит так или иначе эту область кристалла портит. Другой тип дендритов появляется во впадинах между частями монокристалла, которые растут в виде пластин в направлении [ПО]. Фронт роста этих дендритов обычно вначале немного отстает, а затем они быстро догоняют фронт толстых пластин, постепенно увеличивая толщину ветви. Однако кристалл все равно уже испорчен и дальнейшее увеличение размера не приведет к его исправлению.

Исследования показали, что проблему выращивания больших и совершенных монокристаллов из газовой среды необходимо решать совместно с проблемой точного контроля параметров процесса. ' Наиболее простым представляется путь, в котором будет обеспечено точное измерение температуры поверхности кристалла и состава газовой смеси непосредственно у границы раздела. Аппарат для выращивания должен обеспечивать совершенно идентичные и постоянные значения внешних параметров для всех стержней либо возможность тонкой регулировки и автоматического поддержания режима в процессе выращивания монокристаллов. Таким способом можно

выращивать достаточно большие .

и совершенные монокристаллы. а 20 1/0 60 60 рг,Онсм

Естественно, что тонкая регулировка параметров процесса при получении монокристаллов может привести к повышению стоимости оборудования. Однако возможности автоматического регулирования температуры и давления в настоящее время столь совершенны, что процесс можно полностью автоматизировать.

Несмотря на то что промышленное производство монокристалличес-ких стержней в процессе водородного восстановления хлорсиланов в настоящее время не развивается, знание условий формирования кремниевых стержней может быть использовано, например, для контроля качества исходного сырья (трихлорсилана, водорода), а также определения загрязнений, вносимых реактором. Авторами обнаружено, что между УЭС монокристаллических лучей шлифа и слитка

страница 65
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
курсы excel экспресс
участки в поселке лесное озеро
посуда glasslock купить
купить шашку такси в харькове

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(03.12.2016)