![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремниясти, которые необходимо учитывать при очистке моносилана методом низкотемпературной ректификации. Рациональная схема установки для очистки моносилана ректификацией определяется характером примесей. Как правило, для очистки необходимо использовать две колонны или колонну с кубом в середине, что позволяет проводить очистку от различных примесей (рис. 91). Колонна очистки от вышекипящих примесей выполнена из нержавеющей стали Х18Н10Т и теплоизолирована пенопластом марки ПС-4. Температурный режим колонны, перепады давления и расходы поддерживаются автоматически. Установка включает дефлегматор, куб-накопитель, клапан регулирования орошения, колонну и куб полного испарения (КПИ) с электроподогревателем. КПИ соединен с колонной патрубками для подачи жидкости и выхода паров в ректификационную колонну. Патрубок заканчивается обратным клапаном, препятствующим попаданию паров из КПИ в ректификационную колонну по патрубку подачи жидкости. Жидкий силан поступает из ректификационной колонны через первый патрубок и обратный клапан в КПИ и, испаряясь, направляется в виде паров через второй патрубок в колонну. КПИ обогревается электронагревателем с блоком питания, а температура образующихся в нем паров моносилана поддерживается автоматически в пределах 173- 353 К с помощью регулятора, сигнал на который подается с термопары. Отбор примесей осуществляется из нижней части сепаратора КПИ через расходомер под вытяжной зонт на сжигание. После отделения примесей в сепараторе газообразный силан охлаждается в теплообменнике и затем поступает в колонну. Пробы для анализа отбираются 1<П температуре кипения моносилана, затем они поступают в разделяющую часть колонны, заполненную насадкой, изготовленной из нихромовой (или никельмолибденовой) проволоки. Элемент насадки - трехгранная призма, длина ребра которой 4 мм. При увеличении количества паров в колонне возрастает перепад давления. Когда значение перепада устанавливается выше заданного, клапан перекрывается и уменьшается орошение, что в конечном счете приводит к уменьшению перепада давления в колонне. Дефлегматор ректификационной колонны выполнен в внде криоста-та, состоящего из медного стержня, верхняя часть которого входит в дьюар с жидким азотом, а нижняя в накопительный куб. На нижнюю часть стержня напрессованы медные диски с развитой поверхностью для улучшения процесса конденсации (конденсирующие элементы). На верхнюю часть стержня напрессован такой же диск для использования холода испаренного азота, проходящего через щели в медном диске. В дальнейшем испаренный азот подают в стандартный конденсатор из нержавеющей стали Х18Н10Т. Ректификационная колонна низкотемпературной ректификации моносилана для очистки от нижекипящих примесей (рис. 92) состоит из дефлегматора и теплового моста, охлаждаемого жидким азотом. Теплопередача от жидкого азота к дефлегматору осуществляется через тепловой мост. Испаренный азот подается в межтрубное пространство кожухотрубного конденсатора, выполненного из .нержавеющей стали, а затем остаточный холод газообразного азота используется для охлаждения куба с жидким моносиланом. Та часть паров моносилана; которая не успела сконденсироваться в дефлегматоре, поступает в трубное пространство кожухотрубного конденсатора. Часть же паров моносилана в виде фракции, содержащей нижекипящие примеси (нижекипящий компонент - НКК), отбирается с верхней части конденсатиора в виде паров. Другая часть, содержащая выщекипящие примеси (ВКК), отбирается из испарителя. Газообразный моносилан подается на очистку в куб через барботаж-ное устройство подслой жидкого моносилана, а затем попадает в ректификационную секцию колонны. Для обеспечения оптимальных условий массообмена в секции дополнительно часть паров поступает из испарителя. Оптимальный перепад давлений в колонне поддерживается регулированием расхода жидкого моносилана, поступающего из куба в испаритель через регулирующий клапан. Испарение жидкого моносилана, попавшего в испаритель, осуществляется за счет подогрева с помощью электронагревателя. После очистки моносилан направляют на получение поликристаллического кремния термическим разложением. Содержание примесей в очищенном моносилане ниже предела Анализ содержания микропримесей в три- и тетрахлорсилане, кварце и кремнии основан на использовании химико-спектрального метода определения примесей [127]. Сущность метода заключается в том, что кремний обычно с содержанием микропримесей Ю-4-Ю-5 % и кварц переводят в раствор, используя в первом случае плавиковую и азотную кислоту, во втором -плавиковую. Хлорсиланы подвергают гидролизу, а полученный гидрооксид кремния растворяют в плавиковой кислоте. Затем кремний отгоняют в виде тетрафторида, а остаток с примесями смешивают с графитовым порошком, на котором их концентрируют. 210 Полученный концентрат анализируют эмиссионным спектральным методом, сжигая пробу в электрической дуге постоянного тока. Этим методом определяют примеси в хлорсиланах с содержанием 10~в- Ю-6 % (по массе). Чувствительност |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|