химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

дет находиться пар, более обогащенный трихлорсиланом [концентрация трихлорсилана ~ 65 % (см. рис 82, С,гар)].

В этом случае по закону Дальтона для трихлорсилана р^хс = = (65/1 ОО^щ, а для тетрахлорсилана PjK = (35/100)ро6ш.

Отношение парциальных давлений в паровой фазе Ртх(/Ртк = 65/35 = = 1,857.

Если выразить Ргхс и Рте по закону Рауля через концентрации в жидкой фазе и разделить части равенств одно на другое, получим:

Отсюда а = РтхсО ~ *)/PTKx = ]>857(60/40) - 2,78.

Однако на практике повсеместны отклонения от закона идеальных растворов, по которому рассчитаны диаграммы состояния. Поэтому величина коэффициента разделения, которая определена экспериментально, часто отличается от расчетной. Экспериментальные значения коэффициентов разделения для тетрахлорсилана, трихлорсилана и моносилана и различных примесных соединений приведены в табл. 9. Наиболее просто <* можно определить путем отгонки в условиях,

189

Примесь

Концентрация примесей, % (мол.) т. К

Тегрихлорсилйн

330,35 3,71

2,0

Треххлористый бор* -• 2,4 • 10-3-7,0 ? 10"»

Х^роксидфосфор. М:1?*.: .« . 1;я

Треххлористый фосфор 2.0 J ,0 0_$

Пятихлорисши фосфор «. 0 1,0 О

Чпыреххлорисши титан 20 • iT'-U • 330 35 3,1

Хлорное желеэо 139 - 19г-61 -101 329,9-331,6 20-13

Треххлористая сурьма ijV • 329,95 1,225

Метнлтрихлорсилан «,,«-> 329,95 1.275

Диметилдихлорсипан i iu

Трихлорсилан * • < 10-= 304,95 2,04

Треххлористый бор ?И ^ ^ м?

1о же...... зий 60

Хлороксид фосфора 3'* '>?> ЗЫ95 2 3

Тетрахлорсилан 1 1 • Ю-1—5 0 • 10"6 304^5 3^4

х—^иф^фор:::::::::::::::::: ii-iS-^-J!а Я 5-10"!-10.10"' 304,95 40

Четмреххлорисшй гитан 6J • 10-- 2 ? 10"» 304,95 13,8

Треххлористый мышьяк U'L'1" 304,95 4,6

Уетьгреххлорноый углерод ft+o'V '308,15 1,29

Дихлорметан;; Ги-'"-!»-' 308 15 7-6

Хлорметан'" 5 W -8 1»

Метилгрихлорсилан 1«+4«-И-' »«,» 1.6

Метилдихлорсили. 6 2. Л I0"3 304,95 1,16

Диметилхлорсилав Г ,Л« ,,„-» ЗОЯ 1S 2 3

Хпорэтан*." 8 -10 »-2 • 10 * 308,15

Моносилан,„„. 3 ? 10-'-3 ? 10-» !«.« ^

1 ? 10»_s• 10-' 161,95 154

МеИИl-lO-'-llO- 1И95 1-3

э™»°< J.o-'-з-о-' «1.» 33-°

5-10-М-О-' 161» 30,0

*Фаза, обогащающаяся примесью, — пар, в остальных случаях — жидкость. ** Давление не указано.

Мпяяа,)вн4- 0-=-5- 0- 1«95 11,8

близких к равновесным, небольшого объема пара от большого объема раствора. В этих условиях можно принять допущение, что при небольшом испарении части жидкости состав ее практически не меняется. Анализируя составы раствора и сконденсированного пара, можно найти а.

Как правило, для быстрого определения ос используют метод релеевс-кой дистилляции (рис. 83). Если в качестве исходной смеси взять смесь трихлорсилана и тетрахлорсилана (95 и 5 % соответственно), то при частичном испарении этой смеси жидкость будет обогащаться тетра-хлорсиланом.

Обозначим через JV общее число молей жидкой смеси, мольная доля тетрахлорсилана в которой равна х. Если в пар переходит dN молей раствора, то содержание тетрахлорсилана в образовавшемся паре будет равно ydN, где у - мольная доля тетрахлорсилана в паре. В результате испарения количество раствора будет уменьшаться, будет также изме- ... няться и его состав. Выполняя материальный баланс, можно записать: у d(Nx)-ydN.

В рассматриваемом случае примесью является вышекипящий компо-' нент - тетрахлорсилан к = х/уВ результате получим: xdN + ndx* (xM)dN.

После разделения переменных и интегрирования (для х = х0 при

N = N0) получим: х/х0 = (NjN)la ~1)/о.

Для разбавленных растворов NJN = Va/V, где Va и V - объемы жидкости до испарения и в перегонной колбе в заданный момент.

Определив концентрацию примеси в жидкости в начальный и конечный моменты испарения, можно определить «: (а - = lg (x/xa)/lg* *(V„/V).

Если х0 = 0,05 и после отгонки осталось 58 мл раствора (исходный :

объем которого был V0 = 1000 мл), тогда х = 0,25 и (а - 1)/« = ^^°5 = 0,565, откуда а = 2,3.

Метод релеевской дистилляции (перегонки) справедлив, если состав жидкости одинаков во всем объеме в любой момент испарения (необходимо интенсивно перемешивать жидкость при ее испарении) и жидкость, и пар находятся в состоянии, близком к термодинамическому равновесию (необходимы хорошая теплоизоляция и медленное испарение).

Если примесью является нижекипящий компонент, формула Релея

принимает вид: х/х0 = (У/К0)" ~

Метод релеевской дистилляции представляет собой по существу идеальный вариант очистки путем простой перегонки и его целесообразно применять, если очищаемое вещество и примесь имеют коэффициент разделения а, значительно отличающийся от единицы.

Примером метода простой перегонки может служить очистка воды перед электролизом водных растворов для получения водорода. Соли, содержащиеся в воде, температура кипения которых достаточно велика, в процессе дистилляции бу

страница 54
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
крепления для натяжных баннеров
где купить светодиодные ленты
Предлагаем приобрести в КНС Нева Программное обеспечение купить - Санкт-Петербург, ул. Рузовская, д.11, тел. (812) 490-61-55.
Пуфики Узкий купить

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.01.2017)