химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

тояние между дислокациями в малоугловой границе может изменяться в широких пределах. Для случая с направлением [112] на плоскости (111) малоугловая граница наиболее четкая с малым расстоянием между дислокациями возле поверхности монокристалла, к центру же четкость теряется и наконец дислокации располагаются беспорядочно. У малоугловых границ, не выходящих на поверхность монокристалла, оба конца размыты. Часто малоугловая граница состоит не из одной стенки дислокаций, а идущих параллельно, плотно примыкающих двух, трех и более.

Рассмотрение объемных участков монокристалла в инфракрасном свете подтвердило, что малоугловая граница состоит из параллельного ряда дислокаций (рис. 10). Однако прямолинейность линий дислокаций в малоугловых границах наблюдается сравнительно редко, только в отдельных частях. Как правило, дислокационные линии, составляющие малоугловые границы, имеют изгибы, уступы и т.д.

Очень важен тот факт, что присутствие и характер распределения дислокаций непосредственно влияют на распределение примесей и в целом на возможность получения прибора необходимого качества. Между дислокацией и атомом примеси существуют силы притяжения, возникающие в связи с искажением решетки в районе дислокации, в результате которых атомы примеси перемещаются к дислокации и оседают на ней. Это обстоятельство постоянно следует учитывать при анализе влияния дислокаций на свойства кремния и приборов на его основе.

Большим достижением явилось открытие способов получения без-дислокационных монокристаллов. В связи с этим в некоторой степени прояснилась картина, вскрывающая процесс возникновения дислокаций. Однако существующие многочисленные предположения и различные схемы не отражают в достаточно удовлетворительной мере основной механизм и источник появления дислокаций [15].

В отличие от точечных дефектов, которые могут возникать за счет теплового движения, энергия, необходимая для образования дислокации, не может быть обеспечена колебаниями решетки из-за ее линейной протяженности. Как свидетельствуют многочисленные исследования, основным источником дислокаций при производстве монокристаллов являются фронт кристаллизации, особенности механизма роста и тот или иной режим роста, которые могут продуцировать любые несовершенства, включая и дислокации1. Если же в кристалле имеются дислокации, то под действием напряжений они могут передвигаться и размножаться.

Кроме малоугловых границ, к плоскостным дефектам относятся границы между зернами (большая разориентация) и границы между двойниками. На рис. 11 представлены структуры различных границ между твердыми кристаллами с различной ориентацией в пространстве. Граница может содержать прослойку совершенно неупорядоченного вещества, которое заполняет пространство между ступенчатыми поверхностями разориентированных кристаллов. Границу можно пред24

29

состоянии протекают гораздо быстрее, чем в твердом (в некоторых случаях на несколько порядков). Данные о кинетике молекул некоторых газов следующие:

Газ Азот Водород Воздух Гелий Кислород

СРЕДНИЕ1:

скорость молекул, м/с 474 1770 467 1256 444

длина свободного пробега,

Х10- ,м 5,92 12,26 6,69 19,36 7,10

числостолкновений,Х10»,с... 7,91 14,45 6,98 7,16 6Д6

Число молекул, ударяющихся о поверхность площадью 1 м2 за 1 с*,

хщм 4,05 14,97 3,95 10,63 3,76

Таким образом, изменение внутренней энергии в той или иной степени связано с изменениями кинетической энергии поступательного движения либо потенциальной энергии взаимодействия частиц, составляющих вещество. Особенно явно это проявляется при переходе тела из одного агрегатного состояния в другое. Ясно, что для разрыва связей необходимо затрачивать энергию, т.е. нагревать тело. А для установления порядка, т.е. увеличения энергии взаимодействия, нужно тепло отбирать - охлаждать тело. Другими словами, когда превалирует энергия взаимодействия, атомы образуют кристаллическую решетку, а энергия выделяется за счет ограничения поступательного движения.

При плавлении твердого тела затрачивается тепло плавления, которое полностью определяется разницей в потенциальной энергии взаимодействия в твердом и жидком состояниях. В процессе испарения (кипения) требуется еще больше энергии (тепловой), так как при переходе в пар рвутся все межмолекулярные (межатомные) связи. Следовательно, плавление или испарение требует столько тепла, сколько его приходится на каждую связь, умноженную на энергию разрыва одной связи. Чем больше сила связей, тем выше температуры плавления и кипения.

Между температурой плавления Гщ, и теплотой плавления Ln существует эмпирическое соотношение, которое с небольшими отклонениями выполняется на практике (правило Ричардсона): А5Пл = ^г/^пл-Подобное же правило, но более точно выполняющееся, для точки кипения (правило Труттона): A SK = LK/TK.

Величина US (в приведенных выражениях ASnn и Д5к) называется энтропией превращения. Она показывает, какое количество тепла, приходящееся на 1 К, выделяется или поглощается в процес

страница 5
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
мастер по ремонту газовых отопительных котлов обучение
unical котлы
Бонус за клик по промокоду "Галактика" в КНС - RR331200-10000S - мы дорожим каждым клиентом!
рамки перевертыши на номера штраф

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(06.12.2016)