![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремния>98,72 90,77 82,18 74,08 176,47 57,02 82,06 28,83 33,93 20,0 29,14 90,4 76 62,1 50,3 42,9 159 209 71 90,4 130,5 223,0 18,83 186,9 331,2 298,4 284,7 244,7 204,7 476 603 282 318 0 0 0 92,37 655 489 317 14330 1155 1620 160 436 Вещество На С12 «ко нет SiCl, SiHClj SiHjClj Sffl3Cl w. 0,0185 0,0322 0,0538 0,0865 0,1344 0,2026 0,2973 0,4256 0,5959 0,8175 1,1010 1,4578 1,9005 2,4425 3,0979 3,8816 4,8087 5,8952 7,1568 8,6096 113 118 123 128 133 138 143 148 153 158 163 168 173 178 183 188 193 198 203 208 SijCl, Si3Cla Si02 SiCl, Таблица 7. Зава намоет* давления вагыиимныт пар ив от температуры [98] T,K Давление • 10~5, Па Плотность, г/м3 Моносимн 2,423-10 4,222 ? 10 7,048 • 10 1,132 ? 10» 1,760 ? 10» 2,654- 10' 3,894 - 102 5,574-102 7,804 • 102 1,070 ? 103 1,441 ? 103 1,909 • 10» 2,488 • 103 3,198 -103 4,056 • 103 5,083 • 103 6,297-103 7,720 ? 103 9,372 ? 103 1,127 ? 104 Давление ? 10"5, Па 213 10,2697 1,344 10* 218 12,1526 1,591 104 223 14,2741 1,869 104 228 16,6488 2,180 ю4 233 19,2914 2,526 104 238 22,2153 2,909 104 243 25,4335 3,330 104 248 28,9579 3,792 104 253 32,7995 4,295 104 258 36,9681 4,741 104 263 41,4726 5,431 104 268 46,3205 6,065 104 273 51^182 6,746 104 149 Продолжение табл. 7 Продолжение табл. 7 Плотность, г7м3 т,к Давление ? 10"=, Па Плотность, г/м3 178 183 188 193 198 203 208 213 218 223 228 233 238 243 248 253 258 263 268 273 278 283 288 293 298 303 308 313 318 323 328 333 338 343. 348 353 358 363 368 373 378 383 388 393 398 403 408 0,0009 0,0015 0,0026 0,0042 0,0066 0,0102 0,0153 0,0225 0,0324 0,0459 0,0639 0,0875 0,1180 0,1569 0,2059 0,2670 0,3422 0,4338 0,5444 0,6767 0,8335 1,0179 1,2331 1,4824 1,7692 2,0971 2,4696 2,8905 3,3633 3,8917 4,4793 5,1297 5,8464 6,6329 7,4923 8,4280 9,4429 10,5400 11,7218 12,9909 14,3497 15,8002 17,3444 18,9839 20,7203 22,5548 24,4884 3,710 6,385 1,064- 10 1,723- 10 2,715 • 10 4,174-10 6,270 • 10 9,219-10 1,328 ? 10 1,880 ? 10 2,615 ? 10 3,580 ? 10 4,829 • 10 6,421 ? 10 8,428 - 10 1,092 ? 103 1,400 • 103 1,775-103 2,228 • 103 2,769 • 103 . 3,411 ? 103 4,165-103 5,046 ? 103 6,066 ? 103 7,240 • 103 8,582- 103 1,010 • 104 1,182 • 104 1,376 ? 104 1,592 • 104 1,833 • 104 2,099 • 104 2,392 ? 104 2,714-104 3,066 • 104 3,449 • 104 3,864 • 104 4,313 ? 104 4,796 ? 104 5,316 • 104 5,872 • 104 6,465-Ю4 7,097 • 10* 7,768 • 104 «,479 • 104 9,230 • 104 1,002 • 10= Продолжение табл. 7 Продолжение табл. 7 Г, К Давление • 10"s, Па Плотность, г/м3 Г, к Давление • 10~s, Па Плотность, г/м3 413 418 423 428 433 113 118 123 128 133 138 143 148 153 158 163 168 173 178 183 188 193 198 203 208 213 218 223 228 233 238 243 248 253 258 263 268 273 278 283 288 293 298 303 152 26,5220 28,6561 30,8911 33,2274 35,6647 0,0001 0,0003 0,0005 0,0009 0,0016 0,0027 0,0042 0,0066 0,0099 0,0147 0,0212 0,0300 0,0417 0,0570 0,0768 0,1019 0,1334 0,1724 0,2203 0,2784 0,3482 0,4313 0,5294 0,6444 0,7781 0,9325 Трихлорсилан 1,085 • 105 1,172-105 1,264- 10= 1,359 ? 105 1,459 • 10* 3,799 ? 2,336-1,213 • 5,433-2,135' 7,480- 10-" 2,365 • 10"3 6,828 ? 10"' 1,815 • 4,492' 1,039 • 2,268 ? 4,687' 102 102 10= 10= 10а 10э 103 103 Ю3 103 103 4,314 ? Ю3 5,170-103 9,225 • 10"1 1,736 3,138 5,466 9,200 1,501 • 10 2,379 ? 10 3,674 ? 10 5,536 • 10 8,156 ? 10 1,176-10= 1,665 -Ю2 2,315 ? 102 3,164 4,260 5,652 7,398 9,563 1,221 1,543 1,930 2,391 2,935 3,573 4,514 ? 10-' 3,019 • 10"' 1,695 ? 10"6 8,170-10"' 3,440 • 10~5 1,285-10"4 4,321 ? 10"4 1,321 • 10"3 3,713 • 10"3 9,669 • 10" 3 2,351 • 10"2 5,374 • 10"2 1,61 • 10"1 2,385 ? 10"' 4,676 ? 10"1 8,788 ? 10"' 1,588 2,771 153 т Г, К 203 208 213 218 223 228 233 238 243 248 253 258 263 268 273 278 283 288 293 298 303 308 313 318 323 328 333 I 338 343 348 353 358 363 368 373 378 383 388 393 398 4вЗ 408 413 418 423 428 433 438 Давление • 10_!, Па 0,0006 0,0011 0,0017 0,0027 0,0041 0,0061 0,0089 0,0127 0,0179 0,0274 0,0335 0,0449 0,0594 0,0776 0,1001 0,1278 0,1615 0,2022 0,2507 0,3083 0,3761 0,4554 0,5475 0,6538 0,7758 0,9151 1,0734 1,2523 1,4537 1,6794 1,9313 2,2116 2,5223 2,8655 3,2435 3,6586 4,1133 4,6100 5,1513 5,7398 6,3784 7,0699 7,8171 8,6233 9,4917 10,4254 11,4281 10,5031 Продолжение табл. 7 Плотность, г/м3 7,669 1,222 • 10 1,899 • 10 2,881 • 10 4,277 ? 10 6,221 ? Ю 8,880 ? 10 1,245 • 103 1,718 -10" 2,335 • 102 3,128 ? 102 4,136 ? 102 5,400 ? 102 6,969 ? 10s 8,896 ? 102 1,124 ? 103 1,406 ? 103 1,744 ? 103 2,145 • 103 2,617 • 103 3,168 • 10э 3,809 ? 10э 4.S48 ? 103 5,397 ? 10э 6,366 • 103 7,467 - 103 8,712 • 103 1,011 ? 10* 1,168 • 10* 1,343 • 104 1,583 • 104 1.754 -10* 1,993 • 104 2,256 -10* 2,545-104 2,861 • 10* 3,207 -104 3,583-104 3,993-104 4.437 • 104 4,918-104 5.437 • 10* 5,999 • 104 6,603 • 104 7,252 • 104 7,950 • 10* 8,698-10* Известны методы получения трихлорсилана |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|