![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремнияпримеси, свя--| эанные в соединения с собственной решеткой (типа карбида, диоксида^ и др.), определить этим методом нельзя. Присутствие оптически активных атомов кислорода в кремнии при' водит к появлению полосы поглощения в области длин волн ~ 9,1 мкм,»' а углерода в области 16,5 мкм. Измерения проводят при комнатной^ температуре. Концентрация оптически активного кислорода (углеро-J 126 (17) да) пропорциональна его коэффициенту поглощения. Для определения содержания этих примесей измеряют спектральную зависимость коэффициента пропускания в области пика кислородного (углеродного) поглощения. По полученной зависимости и толщине образца рассчитывают концентрацию кислорода (углерода) в кремнии: N=T(l/d)ln(ri/r2), где V - калибровочный коэффициент (для кислорода у = 2,45 ? 1017 см"2, для углерода V = 1,1 • Ю17 см"2); d - толщина образца, мм; Т,, Тг -максимальное и минимальное значения коэффициента пропускания, %. Этим методом можно определять содержание кислорода в кремнии от 1 ? 10" до 3 • 1018 см"3, а углерода от 5 • 10" до 3 • 10,в см"3. Концентрации бора и фосфора измеряют при температуре образца кремния •! 20 К. На основе регистрации оптического пропускания ИК-излучения в диапазоне длин волн 4-22,2 мкм и определения коэффициентов оптического поглощения по уравнению (17) рассчитывают концентрации бора и фосфора в кремнии (калибровочный коэффициент при этом принимают для бора у = 3,5 • 1013 см"2 и для фосфора у - 2,ЗХ Х1013 см"2). Пределы измерения концентраций бора и фосфора в кремнии составляют 1 • 1012 - 5 • 1014см"3. Характерные спектры пропускания кремния с примесями приведены на рис. 58. Метод нейтронно-активационного анализа [58] является в настоящее время наиболее чувствительным для целого ряда примесей в кремнии. Материал облучают потоком нейтронов, и за счет ядерной реакции образуются радиоактивные изотопы примесных элементов. Распад образовавшихся изотопов сопровождается излучением В-частиц и \-лучей, которые регистрируются специальными датчиками. По виду и интенсивности излучения определяют тип примесного элемента и его количество. Нейтронно-активационный метод анализа позволяет одновременно определить более 60 элементов без разрушения образца. Предел обнаружения этим методом наиболее характерных примесей в кремнии имеет следующие значения, ат/см3:5 • Ю10 Ag; 1 • Ю10 As; 1 • 10е Аи; 3 ? Ю10 Cd 2 10'° Со; 8-Ю10 Сг; 2-Ю10 Си; 4-Ю12 Fe; 7-Ю10 Ga; 1- 10" In 1 ? 10,э К; 4 • 1013 Mn; 1 • 1012 Мо; 2 ? ID13 Na; 1 • 1012 №; 7 • 1012 Pd, 2 ? Ю10 Pt; 2 ? 109 Sb; 3 ? 1012 Sn; 5 • 1012 Sr; 5 • 10* Та; 1 • Ю10 W; 3-10" Zn. В сочетании с радиационной авторадиографией нейтронно-активационный анализ позволяет контролировать также распределение примесей по поверхности исследуемого материала. Для определения концентрации бора и фосфора в кремнии применяют также спектральный анализ низкотемпературной люминесценции 127 многочастичных экситон-примесных комплексов. Этот метод основан на измерении интенсивности излучения связанных экситонов. Люминесцентный метод обладает большой производительностью и позволяет определять содержание бора и фосфора в кремнии от 1 • 10" до 2х Х1013см"3. Кроме перечисленных методов, для оценки содержания примесей в кремнии используют рентгеновский флюоресцентный анализ и элект-ронно-зондовый микроанализ [58]. Сущность первого метода заключается в возбуждении атомов образца пучком рентгеновского излучения и определении присутствующих элементов по спектру и интенсивности вторичного излучения. При использовании второго метода исследуемый образец облучается пучком быстрых электронов с энергиями 5-50 кэВ. В результате в образце генерируется характеристическое рентгеновское излучение. С применением специальных детекторов измеряют интенсивность рентгеновского излучения, характерного для каждого элемента, и определяют содержание примеси. Механическая обработка монокристаллов По результатам измерения УЭС на образующей монокристалла кремния наносят метки в точках, в которых сопротивление соответствует! требуемому для заданных марок. По этим меткам монокристалл разре-1 зают на части. j Резку осуществляют вращающимся алмазным кругом с наружной! 128 i режущей кромкой на станках типа ГД-151, скорость вращения круга 50 об/с. Алмазный круг - стальной диск толщиной 1,8 мм, на наружную кромку которого электрохимическим процессом наносят порошок алмаза с размером зерна 60/40 мкм. При резке монокристалл закрепляют в специальных гидравлических зажимах и устанавливают в заданном месте под алмазным кругом, который после включения подается на монокристалл; при этом на режущую кромку круга поступает охлаждающая вода. Скорость подачи круга зависит от диаметра и свойств монокристалла. После резки и определения соответствия сопротивления монокристалла заданному виду марки калибруют монокристалл для придания ему требуемого диаметра и строго цилиндрической формы. Калибровку монокристаллов проводят на круглошлифовальных станках типа ХШ1- 106Ф2 или ЗМ152 алмазным шлифовал |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|