химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

ных электронных микро?! скопов 100—200 кВ, то требуемая толщина кремниевой фольги должн*" составлять 0,1-0,2 мкм. Разработаны специальные методы истончени* монокристаллов кремния, широко применяющиеся на практике" Созданные в Последнее время высоковольтные электронные микр^ 120 скопы с рабочим напряжением до 1 МБ позволяют просматривать более толстые образцы (1-2 мкм) с увеличением в 1,5 млн. раз и разрешением 0,16 нм.

Микродефекты наблюдают с помощью дифракции электронов с использованием фазового и амплитудного контраста. Если два дифрагированных в образце пучка электронов свести вместе и получить интерференционную картину за счет разности их фаз, то можно получить изображение отдельных атомных плоскостей. При интерференции большего количества пучков можно добиться разрешения отдельных атомов вещества [67]. Если из дифракционной картины исключить пучки электронов с разными фазами, то формируется амплитудный контраст, который дает дифракционное изображение микродефектов различного типа (рис. 55) [68].

Для выявления микродефектов используют также метод растровой электронной микроскопии. Используя вторичные электроны, выбитые из приповерхностных слоев первичным,электронным пучком, можно получить изображение микродефектов предварительно протравленной поверхности. Метод обладает большой глубиной резкости и позволяет получить качественное изображение фигур травления.

Если использовать поглощенные электроны, то можно реализовать метод наведенного тока, позволяющий выявлять рекомбинационно активные микродефекты. Для применения этого метода необходимо иметь в исследуемом образце либо p-h-переход, либо контакт металл-полупроводник (диод Шоттки), который выполняет роль р-п-перехода. Падающий электронный луч создает в обедненной области р-п-перехода пары электрон - дырка, которые диффундируют к слоям р- и л-типов, вызывая ток во внешней цепи. Если вблизи р-п-перехода имеются микродефекты, то на них происходит рекомбинация носителей заряда, в результате чего вблизи дефекта уменьшается их концентрация. Этот градиент плотности тока регистрируется на экране растрового электронного микроскопа, давая пониженный контраст в области дефектов.

На основе айализа многочисленных экспериментальных данных можно утверждать следующее.

1. Характер распределения микродефектов сильно зависит от условий выращивания монокристаллов (скорости роста v, осевого температурного градиента G, скорости вращения и, диаметра растущего слитка d).

2. Микродефекты не образуются в узкой приповерхностной зоне, а также вблизи ростовых дислокаций.

3. Изменение осевого температурного градиента у фронта кристаллизации сильно влияет на образование микродефектов в растущем монокристалле [69].

4. Вид точечных дефектов (вакансии или собственные межуэельные атомы кремния), участвующих в образовании того или иного типа микродефектов, зависит от противоположного действия G и v и определяется некоторым критическим их соотношением [70]: т)? = v/G = = 3,3-10-5см2/(К-с).

5. Образование микродефектов зависит от концентрации атомов примесей, в частности от остаточной концентрации атомов кислорода и углерода [71,72].

6. Микродефекты в монокристаллах кремния и приборах на его основе обладают определенной электрической активностью [58], которая проявляется в основном в изменении рекомбинационных свойств в тех областях монокристаллов, где расположены микродефекты. С этим связано обнаруженное уменьшение тн и 3 в областях монокристаллов кремния, содержащих микродефекты [58]. Заметное влияние микродефекты оказывают и на свойства р-л-переходов, изменяя их вольтамперные характеристики и увеличивая токи утечки. Так как р-л-переходы являются основными рабочими элементами диодов и биполярных транзисторов, то электрические свойства микродефектов оказывают существенное влияние на характеристики и качество интегральных схем.

Несмотря на многочисленные экспериментальные данные, физическая природа всех типов микродефектов до последнего времени оставалась полностью невыясненной и в связи с этим отсутствовала единая модель зарождения и образования различных типов микродефектов при выращивании монокристаллов кремния. Наиболее близкой к большинству экспериментальных результатов является модель, развитая в работе [70], в основу которой положен принцип рекомбинации и диффузии собственных точечных дефектов (вакансий и межузельных атомов) в процессе роста кристалла. Однако отсутствие в то время данных о физической природе всех типов микродефектов не позволило автору учесть влияние примесей на процессы образования микродефектов, которое наблюдалось экспериментально в ряде работ [71, 72].

Новые экспериментальные данные, полученные с помощью высокоразрешающих физических методов [64, 68, 73], позволяют создать более полную модель процессов образования микродефектов в зависимости от условий роста монокристаллов с учетом влияния примесей. С помощью электронно-микроскопического метода установлено [74, 75], что микродефекты .А-типа являются дислокационными петлями внедренного типа

страница 33
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
плитка emigres ballet
курсы indesign рекомендации москва
горка детская
Выгодное предложение от интернет-магазина KNSneva.ru на оптический кабель купить - оформление в онлайн-кредит в Санкт-Петербурге.

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(09.12.2016)