химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

я иллюстрирует рис. 52 (скопление! U6

Рис 52. Распределение дислокаций в монокристаллах кремния с травлеными поверхности-ми(П1}:

и — равномерное распределение; 6 — периферийное кольцо; е — линии схольжения; г — неравномерное распределение, х 0,6

дислокаций по малоугловым границам показано на рис. 9). Многообразие таких картин связано с размножением и перемещением дислокаций под влиянием всевозможных эпюр напряжений, возникающих в процессе выращивания и охлаждения монокристаллов. При образовании примесных атмосфер на дислокациях скорость их перемещения, а следовательно, и размножения замедляется, что может привести при тех же условиях выращивания и охлаждения даже к общему уменьшению плотности дислокаций. Однако при очень больших концентрациях примесей плотность дислокаций может увеличиться за счет роста искажений (напряжений) решетки.

117

приборов. Влияние дислокаций становится заметным только тогда, когда образуется примесная атмосфера. Естественно, что в зависимости от состава примесной атмосферы влияние дислокаций может быть различным.

Влияние дислокаций на работу приборов связано также с типом приборов и технологией их изготовления. Так, по данным [58], дислокации заметно влияют на работу биполярных транзисторов, а на работу МОП-транэистрров не влияют.

Тем не менее по общему мнению изготовителей приборов дислокации оказывают вредное влияние на их работу и поэтому практически все виды приборов изготавливаются на основе бездислокационных монокристаллов кремния. Однако использование бездислокационных монокристаллов кремния само по себе не гарантируют высокого качества и выхода годных приборов, так как в процессе их производства вводятся примеси и разнообразные структурные несовершенства, влияние которых часто оказывается также весьма значительным.

Присутствие дислокаций, стягивающих на себя примеси, препятствует образованию микровключений второй фазы в кремнии. Влияние последних может оказаться более существенным, чем дислокаций. Важно также иметь в виду, что понятие о так называемой общей плотности дислокаций не может быть применено без указания их распределения. На монокристаллах кремния с одной и той же средней плотностью дислокаций, но с разным количеством и протяженностью малоугловых границ, скоплений дислокаций по линиям скольжения или в отдельных местах могут быть получены разные свойства и разные по качеству приборы. Особенно это относится к малоугловым дислокационным границам, присутствие которых с точки зрения изготовителей всех видов приборов недопустимо.

Микродефекты, являющиеся нарушениями структуры, вносят искажения (напряжения) в ее кристаллическую решетку. Поэтому микродефекты можно выявить, применяя структурно-чувствительные методы анализа. Одним из наиболее простых является метод селектив-. ного (избирательного) травления, основанный на разной скорости химического растворения в области дефекта и вне его за счет наличия упругой деформации в окрестности микродефектов. Для избирательного травления обычно используют раствор, состоящий из смеси плавиковой кислоты (49 %-ная) и водного раствора хромового ангидрида (50 %-ный) в объемных соотношениях 3 : 4; 1 : 1; 1: 4 в зависимости от способа получения монокристаллов, кристаллографической ориентации исследуемой плоскости и предполагаемого типа дефектов (см. с 116). Продолжительность травления 8-25 мин при - 340 К. Этим методом выявляются в основном самые большие микродефекты 4-типа. Для выявления более мелких микродефектов В- и Д-типа используют

119

метод двухступенчатого травления [64]. Образцы перед травлением в хромовом травителе подвергают предварительной обработке в кипящем 30-50 %-ном водном растворе щелочи КОН или NaOH в течение 20 мин.

После травления картина распределения микродефектов наблюдается визуально, тонкая же структура ямок выявляется и подсчет плотности выполняется с помощью оптического микроскопа (рис. 54).

Более чувствительными к упругим деформациям являются рентгеновские дифракционные методы. Наиболее часто применяется рентгенотопографический метод Ланга, использующий усиление отражения

рентгеновских дифрагированных волн участками кристалла, искаженными из-за дефектов структуры. Тогда на фотопластинке, поставленной за кристаллом на пути распространения дифрагированной волны,

формируется изображение дефектов структуры. Этим методом:]

хорошо обнаруживаются дислокационные дефекты. Для выявления'

микродефектов со слабыми полями, как правило, предварительно про-;

водится их декорирование быстродиффундирующими примесями тяже-|

лых металлов (Си, Аи и др.) [65]. , |

Для повышения чувствительности применяется метод двухкристаль-ной рентгеновской топографии, позволяющий обнаруживать мнкро»; дефекты А- и В-типов без предварительного декорирования [66],

Наибольшую информацию о структуре микродефектов дают метода» электронной микроскопии, использование которых требует приготов1 ления очень тонких образцов (фольг), прозрачных для электронов". Так как основное рабочее напряжение серий

страница 32
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
http://taxiru.ru/shashki-dlya-taxi-all/shashki-do-45-sm/
замки дверные msm купить инт маг
матрас размер 140*70
songwriters lera lynn

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(26.07.2017)