химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

тандартами величина отклонения плоскости торцевого среза от заданной ориентации должна составлять * 3*.

Определение кристаллографических индексов плоскости торцевого среза (и, естественно," отклонения от заданной ориентации) осуществляется оптическими и рентгеновскими методами. При использовании оптического метода торец монокристалла травят в растворе щелочи.

из

от заданной кристаллографической плоскости. Ориентацию монокристаллов оценивают по максимальному отклонению утах. Для этого на торцевую поверхность монокристалла наносят две взаимно перпендикулярные оси X и Y. Монокристалл устанавливают так, чтобы ось X была параллельна оси гониометра. Затем монокристалл поворачивают вокруг оси X на угол 8hfc; и, поворачивая его относительно этого положения, находят максимум отражения и регистрируют угол А1 по шкале гониометра. Повернув монокристалл вокруг оси на 180 °, таким же образом находят угол А2. Затем устанавливают монокристалл так, чтобы параллельной оси гониометра стала ось У, и, выполнив те же операции, находят значение углов Јj и Б2. После этого находят угол разориенти-ровки а (в плоскости, перпендикулярной оси X) и угол В (в плоскости, перпендикулярной оси У):а=(А1~ А2)/2; В »(Б1 - Б2)/2.

Если углы я и В составляют < 7°, то ?тах = \/а*+ В2 .

При отклонении > 7°: ymax = arctg v tg2 а + tg2 6 .

(Ш) 14"13'

При контроле монокристаллов кремния обычно используют рентгеновскую трубку с медным анодом (Cu-иэлучение, к « 1,54 • 10"1 нм). Для этих условий углы отражения &hkl имеют следующие значения:

Ш.

(110) (100) (211) (013)

чш »и 23°38' 34°33' 44-00' 65°45'

Погрешность измерения рентгеновским методом "S 20'.

Дефекты структуры

Первоначально в монокристаллах кремния контролировали только нарушения монокристалличности (образование двойников), затем плотность и распределение дислокаций и, наконец, начали контролировать плотность и распределение микродефектов в беэдислокационных монокристаллах.

Нарушение монокристалличности можно обнаружить визуально по изменению отражения света тех участков поверхности монокристалла, где появились двойники. Однако часто оксидная пленка на поверхности монокристалла затрудняет выявление этого вида дефекта. В этом случае пленку снимают травлением в смеси фтористоводородной и азотной кислот в соотношении 1 : (2-4). После травления четкость выявления нарушений монокристалличности резко повышается.

Плотность и распределение дислокаций выявляют методом избирательного травления. Как уже указывалось, в месте выхода дислокационной линии на поверхность образуется ямка. Обычно используют травитель, состоящий из смеси фтористоводородной кислоты и водного раствора хромового ангидрида в соотношении 1:1. Плотность ямок травления подсчитывают с помощью микроскопа; характер распределения определяют визуально. При выявлении дислокаций методом

избирательного травления следует иметь в виду, что при оседании примесей на дислокации могут существенно изменяться ее энергия и связанный с ней электрохимический потенциал в месте выхода дислокации на поверхность. При этом изменение может быть таким, что ямка при травлении в выбранной смеси кислот образовываться не будет [59]. Поэтому при коренных изменениях технологии кремния, связанных с варьированием состава и концентрации примесей, следует, пойимо метода травления, использовать рентгенотопографический метод. Только убедившись, что плотность дислокаций, выявленных рентгеновским способом, совпадает с таковой, выявленной травлением, можно пользоваться последним методом. Если такового совпадения не получено, следует перейти к опробованию других травителей.

Состав травителей для выявления структурных дефектов в монокристаллах следующий:

Медленное химическое полирование. Выявление дислокаций, двойников и р—л-переходов

Выявление дислокаций на плоскостях (111), (110), (100). Выявление микродефектов

Выявление дислокаций и микродефектов на плоскости (111)

Выявление дислокаций и микродефектов; наилучшие результаты для поверхностей с ориентацией (100) Выявление дислокаций и микродефектов на плоскостях (111)

Состав травителя и соотношение компонентов

HN03 + HF + CHaC00H; 5:3:3 (СР-4А) [60]

HN03+HF + CH3COOH;

3:1:10 (травитепь Дзша) [60]

HF + водный раствор СгОз (250-300 г/л); 1:1 (траншей, Сиртла) [58]

HF + К3Сг307; 2:1 (травитель Секко) [58]

HF + HN03 + СгОэ+ Cu(N03)2 ? ЗНгО + + СНзСООН + НаО 2:1:1: (2 г): 2:2 (травитель Райта)[58]

HF + HN03; 100 : (0,1-0,5) [60]

HF + водный раствор СгОз

(250-300 г/л); 3 :4

HF + водный раствор СгОэ

(1200 г/л); 1: 4

HF + водный раствор СгОз

(300 г/л) +НгО; 3:2:3

HF + HN03; 155 :1 (травитель

Шимшеля) [60]

Окрашивающий травитель. Выявление р- и п-областей; материал р-типа темнеет больше, чем материал л-типа Выявление микродефектов на плоскости (111)

То же, на плоскости (100)

То же, на плоскости (013)

Выявление дислокаций и микродефектов в монокристаллах р-типа

Наиболее распространенное распределение дислокаций в поперечных! сечениях монокристаллов кремни

страница 31
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
видеопроекторы аренда
Компания Ренессанс: все лестницы ру - цена ниже, качество выше!
кресло для посетителей ch 993 low v
Самое выгодное предложение от магазина компьютерной техники КНС Нева - роутер Асус купить с доставкой по Санкт-Петербургу

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(10.12.2016)