химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

- зондом и поверхностью полупроводника. Сопротивление растекания определяется из уравнения: R = р/4а, где р - объемное УЭС материала; а - радиус кругового контакта между металлическим электродом и поверхностью полупроводника.

Измерения УЭС материала в этом случае не являются прямыми и требуют использования калибровочных зависимостей, получаемых путем определения сопротивления растекания на образцах, УЭС которых найдено каким-либо другим методом (например, четырехзондо-вым). Косвенный характер рассматриваемого метода позволяет получить правильное значение УЭС образца только при учете различных поправок. Установка ASR-100C (СИА) обеспечивает получение профиля сопротивления растекания на специально подготовленных образцах и пересчет этих данных в концентрационный профиль или профиль удельного сопротивления с шагом 1- 500 мкм в автоматическом режиме работы. Случайная составляющая погрешности измерения величины микронеоднородности УЭС с доверительной вероятностью 0,95 составляет + 2 % от измеренного значения неоднородности. Теория и область применения этого метода подробно изложены в работах [56, 57].

Кроме описанных зондовых методов измерения УЭС монокристаллов, широкое распространение получил бесконтактный метод, основанный на определении сопротивления R, вносимого в контур образцом кремния (рис. 48). При этом образец кремния помещают либо внутрь катушки (индуктивного датчика), либо внутрь конденсатора (емкостного датчика). При внесении одним из указанных приемов образца кремния в колебательный контур изменяется его добротность Q.

Сопротивление R, вносимое в колебательный контур измеряемым образцом кремния, определяется по формуле: R = (l/Qjy't/C, где L -индуктивность; С- емкость.

Определив R, вычисляют УЭС: р = RS/1, где S и ; - сечение (смг) и длина (см) измеряемого участка.

и

В промышленности находит применение для бесконтактного измерение 48. Измерительный высокочастотный контур

ния УЭС в интервале 5-150 кОм • см установка К-85410 (для диаметра пластин до 76 мм). Погрешность измерения УЭС на этой установке ±'10%.

Время жизни неосновных носителей заряда и методы его измерения

При производстве полупроводниковых приборов важными характеристиками исходного монокристаллического кремния служат время жизни неосновных носителей заряда (н.н.з.) тп и их диффузионная длина lnt

Неосновные (неравновесные) носители заряда в полупроводниках создают при воздействии на полупроводник света, рентгеновского и у-излучения, быстрых заряженных и нейтральных частиц (электронов, протонов, нейтронов), а также при инжекции носителей заряда из одной области полупроводника в другую, при пробое и других воздействиях.

Время жизни н.н.з. является параметром, косвенно характеризующим чистоту монокристалла (наличие различных примесей, являющихся центрами рекомбинации), его структурное совершенство, величину внутренних напряжений в кристаллической решетке и др. Поэтому на величину времени жизни н.н.з. оказывают влияние режимы выращивания монокристаллов кремния, в частности атмосфера внутри камеры, а также последующая термическая обработка.

Указанное объясняет прямую связь качества многих полупроводниковых приборов с временем жизни н.н.з. в монокристаллах кремния, на основе которых изготовлены эти приборы. К настоящему времени предложено более 35 методик измерения времени жизни и диффузионной длины носителей заряда [57].

Одним из основных методов измерения времени жизни н.н.з. в монокристаллах кремния является метод модуляции проводимости в точечном контакте. Методика предназначена для измерения тввл в монокристаллах с УЭС, равным 5 - Ю-1—5 - 10а Ом • см в диапазонах > 2,8 мкс для р-типа и > 7,7 мкс для n-типа. При измерениях образец включается в электрическую цепь. Одним из токоподводов служит омический контакт большой площади, создаваемый нанесением (натиранием) алюмо-галлиевым карандашом, другой осуществляют прижимом точечного металлического зонда к поверхности образца. Для монокристаллов кремния п-типа применяют алюминиевый зонд, для р-типа зонд из фосфористых бронзы или меди, либо других материалов, обеспечивающих инжекцию. Точечный контакт является эмиттером, через который в прямом направлении пропускают два сдвинутых во времени импульса тока. Амплитуды этих импульсов одинаковы и постоянны (режим

Рис 49. Блок-схема установки для намерения тн и 3;

1 - генератор сдвоенных импульсов; 2 - реэисгн'вныя элемент, реализующий режим генератора тока; 3 - ограничитель импульсов; 4 - осциллограф; 5 - блок формовки точечного контакта; 6 — образец

Рис 50. Кривые напряжения в точечном контакте ([Г, - напряжение при прохождении инжектирующего импульса; Г/а - напряжение измерительного импульса)

генератора тока). Падение напряжения на образце, обусловленное прохождением этих импульсов, наблюдают на экране осциллографа.

Блок-схема установки для измерения времени жизни н.н.з. приведена на рис. 49. Форму кривых напряжения в точечном контакте при модуляции проводимости инжектируемыми носителями иллюстрирует рис. 50.

В м

страница 29
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
датчики - ограничители температуры воды
металлические стеллажи архивные
где сдать анализы на половые инфекции
шкафы металлические для сумок

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(23.08.2017)