химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

азцов кремния легированных бором концентрацией, ат/см3: 1 -S ? №>;2-9 • 1016; 3-1,5 ? 10'6

Рис 43. Схема измерения т.э.д.с. методом термозонда:

/ - металлическая пластинка; 2 - образец; 3 - зонд; 4 - нуль-индикатор

определяется по ходу вольтамперной характеристики на экране осциллографа или по отклонению стрелки нуль-индикатора (рис. 44); для сравнения имеются эталонные образцы. В качестве материала зонда используют вольфрамовую или стальную проволоку. Вторым контактом служит пластина из меди или свинца. На монокристаллы с УЭС > > 200 Ом • см наносят омический контакт алюмогаллиевым карандашом или индий-галлиевой пастой. Тип электропроводности определяют ло характерному изгибу осциллограмм (рис. 44, в - р-тип, рис. 44, г -л-тип).

Величина и однородность распределения УЭС

Методы измерения УЭС можно разделить на две группы: зондовые и, бесконтактные. Выбор метода измерения осуществляют с учетом требований к получаемой информации.

Контактное измерение УЭС монокристаллов проводят зондовыми методами. Двухзондовый метод (рис. 45) применяют для образцов правильной геометрической (цилиндрической) формы (постоянным сечением S) с УЭС до 1 • 10' Ом - см. Двухзондовый метод основан на измерении разности электрических потенциалов на некотором участке

105

Рис. 46. Схема измерения УЭС четырехзондовым методом (ИГШ — источник постоянного напряжения; V— вольтметр)

Рис. 47. Расположение точек, в которых измеряется УЭС, в торцевом сечении монокристалла (г — радиус монокристалла; о — расстояние до границы образца) '

Рис 44. Определение типа электропроводности методом точечно-контактного выпрямления с применением нуль-индикатора~(о) и осциллографа (б)—(г); в — р-тип электропроводности, г — п-тип: 1 — автотрансформатор; 2 — нуль-индикатор; 3 — омический контакт; 4 — зонд; 5 — кристалл; 6 и 7 — отводы к горизонтальным и вертикальным пластинам осциллографа соответственно; 8 — регулировочное сопротивление двух внутренних зондах 2иЗизмеряют разность потенциалов U23; УЭС вычисляют по формуле:

Р = (и2зДч)2Т1/эфОм • см,

Рис. 45. Схема измерения УЭС двухзондовьгм методом: 1,2— зонды; 3 — омический контакт

образца, через торцы которого пропускают, ток /. Омические контакты создают на торцах нанесением индий-галпиевой пасты или прижимными контактами из материала, не образующего р-л-перехода в контакте с кремнием (латунь и др.). Если образец однороден, то УЭС р = = 17125/Ом-см,где U12 - разность потенциалов между зондами, В; / - расстояние между зондами, см; S - площадь поперечного сечения образца, см2.

Двухзондовый метод измерения дает возможность оценить величину

УЭС в объеме монокристалла на длине 1. Однако его применение ограничивается тем, что образцы должны иметь правильную геометрическую форму. Точность измерения данным методом зависит от конструкции установки и, как правило, лучше ± 10 % во всем диапазоне измерений. - 4

Четырехэондовый метод предназначен для измерения УЭС кремния в диапазоне 1 • 10~3-1 ? 10" Ом • См. Четыре металлических зонда с малой поверхностью соприкосновения размещаются на поверхности образца вдоль прямой линии (рис. 46). Расстояния между зондами /„ /2 и (3. Через два внешних зонда 1 и 4 пропускают электрический ток 714, на

106

где /эф =

?)"??- эффективное рассто'з + 'э !з

яние между зондами измерительной головки, см.

С поверхности образца в месте, где проводят измерение, оксидную пленку удаляют травлением или шлифованием.

Для получения правильного результата при использовании четырех-зондового метода необходимо соблюдать следующие условия.

1. Перед измерением образцы должны быть выдержаны в течение 1 ч при 296 ± 2 К, влажности ?? 80 %, при минимальной освещенности.

2. Расстояние между ближайшим зондом и любой границей образца должно составлять не менее трех межэондовых расстояний Ь (рис. 47).

3. Измерение слитков с УЭС > 200 Ом - см необходимо проводить при затемнении слитка.

Преимуществом четырехэондового метода является то, что его применение не требует создания омических контактов к образцу и геометрия образца практически не влияет на результаты измерений.

Интервал, в котором находится погрешность измерения, характеризующая воспроизводимость измерений при соблюдении требований ГОСТ, составляет + 5 % при УЭС < 1 • 103 Ом • см не хуже ±10 5? при УЭС > 1 ? 10" Ом ? см.

Удельное электрическое сопротивление измеряют на обоих торцах монокристалла кремния в шести фиксированных точках по диаметру слитка, в двух взаимно перпендикулярных направлениях (см. рис. 47).

По результатам измерений на двух торцах оценивают однородность распределения УЭС. При этом вычисляют:

контакт металлического зонда малой площади. Предполагается, что второй контакт к образцу имеет пренебрежимо малое сопротивление и расположен на большом расстоянии от зонда. Этот метод используется для оценки микронеоднородности в распределении УЭС в монокристалле с шагом измерения до 1 мкм. В этом методе используются явления, характерные для точечного контакта между металлическим электродом

страница 28
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
хлебница интернет магазин
менеджер обучение сколько стоит
контроллер для вентиляционных систем
гандбольный магазин в москве

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(08.12.2016)