химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

между изотермами Д Г4- Д Г3.

С учетом принятых обозначений и допущений рассмотрим рост монокристаллов по направлению [111] (см. рис. 32). В случае выращивания монокристалла с дислокациями зарождение нового слоя происходит в точке пересечения горизонтальной грани (111) с изотермой ДГ2 в точкеД Слои могут разрастаться до встречи с изотермой Д Т3. При этом максимальный радиус кристалла равен AAt. Аналогично при росте бездислокационного монокристалла зарождение нового слоя происходит в точке пересечения изотермы Д Tt с горизонтальной гранью (111) в точке В, а максимальный радиус кристалла равен отрезку ВВ^. Как

видно, BBl > ААХ и, следовательно, диаметр бездислокационного монокристалла больше, чем монокристалла с дислокациями.

Помимо рассматриваемой горизонтально расположенной грани (111), на границе расплав-кристалл развиваются три нижние боковые грани {111}.

= BKlg а = Д Г2-ДГ3 grad Т0

Brad Т„

tg «; tg а ?

Зарождение новых слоев на этих гранях в случае выращивания беэдислокационных монокристаллов происходит только в точке Са (рассматривается продольное сечение монокристалла), а для монокристаллов с дислокациями в точке С2. Застройка боковых граней происходит до встречи с фронтальной плоскостью (111) и изотермой ЛГЭ. При развитии боковых граней (111) на фронтальной грани (111) отсекаются более широкие хорды на монокристалле без дислокаций (см. рис. 32). Следовательно, следы граней {111} на боковой поверхности выращенного бездислокационного монокристалла шире, чем на монокристалле с дислокациями. Определим разность между максимальными радиусами бездислокационного монокристалла R, и монокристалла с дислокациями АЛ

tg«;

; grad T0/grad Т„ то

Так как Rj r2 = AKtg« =

Дг=(Д7Л- Arj/gradTr,

где grad Г„ и grad Тг - осевой и радиальный градиенты температуры соответственно.

Из соотношения (9) следует, что различие в радиусах монокристаллов тем больше, чем меньше радиальный температурный градиент.

Аналогично можно объяснить также увеличение ширины явных граней и высоты нарезки на поверхности монокристаллов, а также асимметрию поперечного сечения монокристаллов.

Если при выращивании горизонтальная грань (111) распространяется на весь фронт кристаллизации, различия в форме бездислокационных ; и дислокационных монокристаллов, очевидно, будут наблюдаться на всей боковой поверхности. Если же горизонтальная грань выходит ; только на часть боковой поверхности, то и различия будут только на этой части кристалла. Когда же монокристалл выращивается так, '< что горизонтальная грань (111) не выходит на периферию фронта крис-1 таллизации (фронт кристаллизации выпуклый в сторону расплава), f различия будут проявляться только в глубине винтовой нарезки. J В реальных условиях выращивания монокристаллов часто ось вытягивания, кристаллографическая и тепловая оси не совпадают между^ собой, а изотермические поверхности имеют сложную параболическую;

' ? t

форму. Кроме того, определенное влияние на реальную форму монокристаллов оказывают капиллярный эффект и изменения теплового поля. Однако полученные закономерности сохраняются. Если известно взаимное расположение изотерм и осей, то можно определить и форму растущего кристалла. На рис. 33 (для случая выращивания по [111] без учета образования явных граней) приведены результаты анализа влияния радиального градиента температуры и наклона оси выращивания к [111] на форму монокристаллов при выпуклых (1-6) или вогнутых (8-12) изотермах вблизи фронта кристаллизации.

Анализ показал, что для случаев 1-5, 7-9 (см. рис. 33) выращенные монокристаллы как бездислокационные, так дислокационные будут иметь симметричную форму. В случаях 1, 7-9 бездислокационные монокристаллы будут иметь большие диаметр и площадь фронтальной грани (111), чем выращенные в тех же тепловых системах монокристаллы с дислокациями. Разность диаметров и площадь грани (111) будут возрастать в последовательности 9-8- (7, /). Для случаев2-5 бездислокационные монокристаллы будут отличаться от дислокационных только большей площадью выхода грани (111) на фронт кристаллизации. В случаях 6, 10-12 бездислокационные монокристаллы будут иметь более асимметричную форму сечения; асимметрия будет увеличиваться

с ростом [$. Большая глубина винтовой нарезки на бездислокационных монокристаллах будет наблюдаться в случаях /, 7-11 на всей боковой поверхности, а в случаях 6 и 12 только на части. В случаях 1, 7-11 штрихи в области явных граней будут иметь вид прямых линий, в случаях 2-5- изогнутых линий, а в случаях б и 12 штрихи в виде прямых линий могут быть только на одной или двух явных гранях. Увеличение площади грани (III) на верхней и нижней частях плоских бездислокационных монокристаллов кремния, лучшая их ограниченность также могут быть объяснены на основе приведенной схемы [19].

Таким образом, главной причиной отличия внешнего вида бездислокационных монокристаллов является большая величина переохлаждения при росте.

Как известно, теплопроводность бездислокационных монокристаллов меньше, чем монок

страница 21
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
http://taxi-stolica.ru/nashi_avtomobili/avtobusi/avtobus_35_mest/
благодарность о благотворительной помощи
смесительные камеры для центрального кондиционера
обслуживание чиллера смета

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(24.09.2017)