![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремнияазанные на рис. 27 поверхности отрыва глубоколегированных сурьмой монокристаллов кремния. В подтверждение того, что наблюдаемые картины связаны с процессами роста, свидетельствует высота террас, которая составляет 90-150 мкм, в то время как толщина остающейся при отрыве жидкой пленки < 10-30 мкм. Террасы оказались в данном случае значительных размеров из-за нарушения по-видимому, потока ступенек в тангенциальном направлении образовавшимися выделениями второй фазы. Эти выделения явились своеобразной преградой, задержавшей движение моноатомных ступенек, и тем самым способствовали их собиранию в группы. Отчетливо видно (см. рис. 27), что в случае выпуклого фронта рост начинается в центральной части, которая в дальнейшем тангенциально разрастается до размера диаметра монокристалла. При вогнутой в сторону затравки форме фронта движение ступенек происходит внутрь от нескольких центров на периферии. При сложной форме фронта, соответствующей схеме, приведенной на рис. 26, г, з, рост происходит от центральной части и от периферийных центров. С точки зрения теории развитие грани (111) при росте монокристалла происходит только в том случае, когда на фронте кристаллизации возникает область, в которой теплоотвод совершается в направлении жидкости. Принципиально такое явление может возникнуть благодаря вращению кристалла и связанному с ним конвективному теплообмену, причем источником холодной жидкости могут быть слои, прилегающие к поверхности жидкость - атмосфера камеры. Важной операцией в процессе выращивания монокристаллов кремния является эатравление. Часто в начальный момент затравления на фронте роста можно наблюдать образование нового монокристалла (двойника), ориентированного к основному так, что в результате возникают два или несколько сросшихся монокристаллов. Сращивание происходит в строгой взаимной ориентации. В таком случае получается не моно-, а поликристалл. Возникающие двойники можно разделить на два типа: меняющие ориентацию монокристалла и не меняющие ее (ламели — усы). Исследования показали, что местом зарождения двойников как первого, так и второго типов являются области формирования на боковой поверхности кристалла граней (111). Тщательное подплавление затравки в области граней (111) резко уменьшает вероятность образования двойников. Это может быть достигнуто путем изготовления затравок в виде таких призм, у которых ребра совпадали бы с местом расположения граней (111). Например, при выращивании монокристалла по направлению [111] затравка должна иметь форму правильной трехгранной призмы, боковые_ грани которой совпадают с кристаллографическими плоскостями {112), а при выращивании по [100] четырехгранной призмы с боковыми гранями, совпадающими с плоскостями {100} [25, 26]. Применение таких затравок в сочетании с высокой чисто14 \ той расплава (отсутствие инородных тугоплавких частиц) и, естественно, начальное подплавление позволяют с высокой воспроизводимостью в производственных условиях выращивать монокристаллы (практически 100 %-ное затравление на монокристалл). Напротив, если затравочный кристалл, ось которого совпадает с [100], огранить боковыми гранями, совпадающими с плоскостями (110), то области формирования граней {111} смещаются на плохо подплавляе-мые средние части боковых поверхностей затравочного кристалла. В сочетании с переохлаждением расплава это приводит к увеличению вероятности одновременного двойникования по всем нижним плоскостям {Ш}, что приводит к образованию сложного двойникового комплекса, монокристаллические индивиды в котором отделены двойниковыми границами второго порядка [27, 28]. Таким приемом можно получить четырехсекторные кристаллы, содержащие четыре монокристалла (индивида) ориентации [122] каждый и разграниченные двойниковыми плоскостями второго порядка {122} (рис. 28). Применяя затравку, содержащую двойники определенной ориентации, можно получить более сложные комплексы [например, двух- и трехсекторные кристаллы с границами второго порядка (122) и (114)]. Основой при создании разных комплексов является то, что в двойниковых кристаллах кремния, индивиды в которых связаны между собой границами второго порядка, входящие двух-, трех и четырехгранные октаэдрические углы, образованные гранями {111} различных индивидов сростка, являются местом зарождения нового кристалла, находящегося в двойниковом положении ко всем индивидам сростка. Интересно отметить, что однажды сдвойникованный по одной из плоскостей (111) индивид двойнику ется еще раз по общим плоскостям {111} с прилегающими к нему индивидами. Это явление было названо авторами [29] вторичным двойникованием и в зависимости от симметрии двойникового комплекса и последовательности процессов двойникования оно может приводить к реставрации комплекса до монокристалла либо к перестройке в другой комплекс [29]. Рассмотрим теперь формирование дислокационной структуры в монокристаллах кремния. Наблюдения за процессами в монокристаллах показывают, что имеются два источника возникновения дислокаций. Первый и |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|