химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

макроступеней или ветвлению. По-видимому, размер такой поверхности как-то связан с размером трехмерного критического зародыша. Так, если считать, что поверхность плоскогранного критического зародыша достаточна для образования на ней одного двумерного зародыша (в центре грани), то^ критическая поверхность должна иметь, по крайней мере, вдвое большую величину.

В простейшем случае длина ребра критической поверхности

оКр = 2г* = 2А/(Гш,- Т0).

Соотношение (6) для зависимости скорости роста от параметров системы (переохлаждения, концентрации) и ее свойств (энтропия, диффузия и т.д.) выведено без каких-либо предположений о механизме роста, который является частью всего процесса присоединения атомов к выделяющейся фазе. Все сводится к процессу подачи атомов к фронту роста и отводу тепла от него. Закон сохранения энергии требует, чтобы количество тепла, выделившееся благодаря присоединению атомов, соответствовало количеству тепла, которое может отводиться от фронта в данном конкретном месте границы раздела.

Если возможности теплоотвода увеличиваются, возрастает скорость образования двумерных зародышей. Изменения формы роста и ее конфигурации непосредственно связаны со скоростями теплоотвода и присоединения атомов к поверхности. Как уже указывалось, мехаРис. 19. Схемы выращивания монокристаллов кремния из расплава:

а — метод Чохральского (^ — монокристаллическан затравка; 2 — растущий монокристалл; 3 — расплав; 4 — кварцевый тигель; 5 — графитовая подставка; 6 -нагреватель; 7 — тепловые экраны); 6 — бестигельная зонная плавка [1 — зажим для крепления лоликристал-лического стержня (заготовки) 2; 3 — расплавленная зона; 4 — индуктор; 5 — растущий монокристалл; б — ыонокристаллкческая затравка; 7 — зажим для крепления затравки]; В — выращивание с пьедестала (обозначения те же, что и на рис. 19, б)

В установках для выращивания монокристаллов кремния чрезвычайно сложно создать строго симметричное тепловое поле в расплаве. Практически в расплаве всегда имеются области с разной температурой. При выращивании в такой системе скорость роста в направлении холодной части расплава будет выше, что приведет к искривлению

г

кристалла. Именно с целью выравнивания температурного поля кристалл или тигель (или тот и другой вместе) вращают. Это позволяет выращивать монокристаллы кремния с симметричным сечением, даже если в расплаве имеются области с достаточно большим отличием По температуре. Тем не менее монокристалл кремния никогда не имеет строго цилиндрической формы. Это объясняется следующим. Наиболее плотноупакованными плоскостями в решетке кремния являются плоскости (111). Это означает, что при благоприятных условиях (теплоотвод только через расплав) монокристалл должен вырасти в'виде октаэдра [т.е. должен быть огранен плоскостями (Ш)]. В реальных условиях теплоотвод осуществляется как через расплав, так и через твердую фазу, что приводит к получению монокристалла со сложной формой сечения.

С целью упрощения анализа форм монокристаллов кремния введем

следующее наименование плоскостей октаэдра. Если установить '

октаэдр на одну из плоскостей (это соответствует выращиванию по ;

направлению [Ш]), то горизонтальные плоскости будем называть;;

соответственно верхней и нижней горизонтальной плоскостью. Три i,

боковые плоскости, обращенные вниз, будем называть нижними,

а вверх - верхними боковыми плоскостями. При выращивании понаправлению [100] октаэдр установим на одну из вершин. Четыре плоскости, обращенные вверх, будем называть верхними, а вниз - нижними

плоскостями. ад

При вьгращивании монокристаллов кремния и германия по направле- Щ нию [Ш] на конусной части монокристалла часто можно наблюдать,^' шесть идущих по образующей дорожек - следствие выхода ш< боковых плоскостей октаэдра (рис. 20). В том месте конической част! где угол полураствора конуса совпадает с углом между направлен» выращивания [111] и верхней боковой плоскостью (111), появляютс зеркальные грани (111). На цилиндрической части монокристалло! хорошо видны три штриховые дорожки, которые называют явньи гранями. Явные грани являются следствием выхода на цилиндрич< кую поверхность трех нижних боковых плоскостей октаэдра. Т] верхние боковые плоскости, выходя на цилиндрическую поверхно( образуют менее заметные дорожки - неявные грани. При вьгращива! по направлению [100] на конической и цилиндрической частях xopoi заметны четыре дорожки - выход на поверхность соответстве) верхних и нижних граней октаэдра. На конической части этих MOI кристаллов также можно наблюдать зеркальные грани (111) [в местах, где угол полураствора конуса совпадает с углом между [11 и верхней плоскостью (111)].

Увеличение скорости вращения при выращивании монокристалле приводит к расширению областей выхода верхних и нижних 6OKOI SA

граней октаэдра на конической и цилиндрической частях монокристалла.

Еще в работе [21] было отмечено, что увеличение скорости вращения монокристалла вызывает более эффективное перемешивание жидкости, что в свою очередь приводит к уменьш

страница 14
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
купить моноколесо kingsong ks 16
В КНС всегда выгодно купить компьютер недорого - офис продаж на Дубровке со стоянкой для клиентов.
сковородка betha italia
http://www.kinash.ru/etrade/detail/4117/71335.html

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(25.06.2017)