mowky H.F.//Probleme der Festkorperelektronik. 1977. W 9. S. 203-228.

145. Мигай Л.Л., Верижникова Т.Н., Ароне B.ff.//Цветная металлургия. 1983. Н° 19. С. 39-40.

146. Dietze W„ МиЫЬаиет A.//Chemiker-Zeining. 1973. Bd 97. № 3. S. 151-155.

147. Гашенко СМ., Девяткин Б.Д., Леггярик Н.Б., Тимченко Я.М.//Цветные металлы. 1970. № 7. С. 56-57.

148. Бочкарев ЭЛ., Иванов Л.С., Лрокошин В.Д. //Исследования в области полупроводниковых материалов. — М.: Гиредмет, 1983. С. 104—109.

149. Яркий ВЛ„ Петрик А.Г., Иванов Л. С. и др.//Цветные металлы. 1983. № 7. С. 70-73.

150. ЧащиноеЮ.М., Фалъкевич Э.С, Петрик А.Г. и др.//Цветкые металлы. 1986. N° 4. С. 65-67.

151. Новикова И.И., Воробьев ЮЖ., Воронова С.А. и др.//Сб. науч. тр. Гиредмета. Т. XXV. -М..- Металлургия, 1969. С. 52-55.

152. Ческоков В.П., Бабайцев И.В., Тарадайко В.П. и др.//Пожарная опасность веществ и материалов, применяемых в промышленности. — М.: ВШШПО, 1987. С. 27—33.

153. WohlerF., fluff K.//Liebig Ann. der Chem. 1857. Bd 103. S. 218-219.

154. Гренков И.В., Захаров-Черенков B.K., Иванов Л.С., Сиеошинская Т.Н. Производство полупроводникового кремния за рубежом. — М.: ШШИЦвешет, 1983. — 37 с.

155. Гренков И.В., Иванов Л.С.//Цветные металлы. 1986. К».6. С. 60-64.

156. Plant construction for the production of semiconductor silictm//Chem. Eng. 1986. V. 93. H° 4. P. 15.

157. Жигоч А.Ф., Сгасияевич Д.С. Химия гидридов. - Л.: Химия, 1969. - 676 с:

403

158. Jemejal J„ Skerjanc Л, Smuc M.//Vestnik Sovenskogo Kemickego Drustra. WW. Bd. 11. №1-4. S. 19-23.

159. Bloem J., Glting L.J.//VLSI mectrcoics: Microstracture Science. 1985. V. 12. P. 89-139.

160. JasinskiJ.M., Meycrsm B.S, Scott B.A.//Ann. Rer. Phys. Chem. 1987. V. 38. P. 109-140.

161. Stock A., Somies*: C.//B*r. 1916. Bd 49. S. 111-121,157.

162. Hogness T.R., Wilson T.L., Johnson W.C.IP. Amer. Chem. Soc. 1936. V. 58, P. 108-112.

163. Петрик AS., Фалькевич Э.С, Устинова H.K. //Кремний и германий/Под ред. Э.С фаль-кевича, Л.И. Левишона. - М.: Металлургия, 1969. С. 7. -14.

164. Super high-purity silicon/#EER. Chem. Econ. Eng. Rer. 1976. V. 8. № 4 (94). P. 53.

165. Hsu C, Hogle R, Rohoiyi N. a.o.//J. Electrochem. Soc. 1986. V. 131. № 3. P. 660-663.

166. Хамакава И., Окамато X. //Аморфные полуггооводники и приборы на их основе: Пер. с англ. - М.: Металлургия, 1986. С. 208-235.

167. Rea S.N.IU. Crystal Growth. 1981. V. 54. P. 267.

168. Dugges T.G., Shima R.//J. Crystal Growth. 1980. V. 50. P. 865.

169. ЖвирблянскиИ В.Ю., Степанова Г.М. //Цветные металлы. 1982. № 9. С 64-66.

170. Пивинский Ю.Е., Ромашин А.Г. Кварцевая керамика. - М.: Металлургия, 1974. -264 с.

171. Выдрик Г.А., Соловьева ГЛ., Харитонов Ф.Я. Прозрачная керамика. — М.: Энергия, 1980.-96 с.

172. Ботвинкин О.К., Запорожский А.И. Кварцевое стекло. — М.: Стрс?иэдат, 1965. — 259 с.

173. Нашельский А.Я., Гнилое СВ. Расчеты процессов выращивания легированных монокристаллов. — М.: Металлургия, 1981. - 91 с

174. Burton G.A., Prim R.C., Shchter W.P.//Theoretical J. Chem. Phys. 1953. V. 21. P. 1987-1991.

175. Машков Ю.М. Выращивание монокристаллов методом вытягивания. — М.: Металлургия, 1982.-311 с.

176. Романенко В.Н. Получение однородных полупроводниковых кристаллов. — М.: Металлургия, 1966. -182 с

177. Вевэ В.Е., Мевиус В.И., Пульнер Э. О/ЛЬзетные металлы. 1985. N° 7. С. 54—56.

178. МееиусВМ, Пульнер Э.О.//Пветныеметаллы. 1985. № 9. С. 56-58.

179. Селиикий Ф.И., Макеев Х.И., Эоткин В.Е.//Цветные металлы. 1988. № 3. С. 55-57.

180. HorizaneК., WittA.F., GatosH.G.IU. Electrochem. Soc. 1967. V. 114. P. 738-742.

181. Милееский A.C, Эйденэон A.M., Гарнык В.С. и др.//Легирование полупроводников. — М.: Наука.-С. 140-148.

182. VyittA.F., GatosH.G.IU. Electrochem. Soc. 1966. V. 113. № 7-8. P. 808-813.

183. Сальник 3.A., Эйдааон A.M., Калюжноя СИ., Ясзиркин В.Н.//Электронная техника. Материалы. Вып. 1.' 1981. С. 43-46.

184. Беаэ В.Е., МееиусВ.И., Пульнер Э.О.//Цветные металлы. 1983. № 13. С. 59-61.

185. Hirofu Н., Inoue N.//Japan. 3. Appl. Phys. 1984. V. 23. V. 23. № 8. P. L228-L530.

186. RtiertiD.H.,StephemP.H.,HmtP.H.Ifature.lK7.vi№.K'4Sg7.P.№S-666.

187. Yatsurugi J., Akiyama N.. Endu J., Moxaki T.lll. Electrochem. Soc. 1973. V. 120. № 7. , P. 975-979.

188. HassCI/}. Phys. Chem. Soc. I960. V. 15. P. 108-113.

189. Волле B.M., Макоеецкю B.M.. Вавилов B.C.//MT. 1962. т. 4. Вып. 5. С. 1374-1378.

190. BeureftA., Thiboult-Demux J., Seidman D.N.I/3. Appl. Phys. 1984. V. 55. № 4. P. 825-836.

191. Bailey W.E., Bowline R.A., Bean К.Б.Щ. Electrochem. Soc. 1985. V. 132. № 7. P. 1721-1725.

192. Mmkmski J.R.IISol. State Techn. 1983. V. 24. № 7. p. 44-51.

193. Гуясина Л.Г., фалькевич Э.С //Цветные металлы. 1987. №9. С. 58-59.

194. Fuller C.S., Logan R.//I. Appl. Phys. 1957. № a P. 1427-1436.

195. Oftsowa A., Takaava R„ Honda К. a.o./A. Appl. Phys. 1982. V. 53. № 8. P. 5733-5737.

196. Бокова В.И., Гришин В.П., Луди» B.B., Янчееская В.А.//Науч. тр. Птельдета. Т. 110. -М.: Гиредмет