![]() |
|
|
Технология полупроводникового кремнияmowky H.F.//Probleme der Festkorperelektronik. 1977. W 9. S. 203-228. 145. Мигай Л.Л., Верижникова Т.Н., Ароне B.ff.//Цветная металлургия. 1983. Н° 19. С. 39-40. 146. Dietze W„ МиЫЬаиет A.//Chemiker-Zeining. 1973. Bd 97. № 3. S. 151-155. 147. Гашенко СМ., Девяткин Б.Д., Леггярик Н.Б., Тимченко Я.М.//Цветные металлы. 1970. № 7. С. 56-57. 148. Бочкарев ЭЛ., Иванов Л.С., Лрокошин В.Д. //Исследования в области полупроводниковых материалов. — М.: Гиредмет, 1983. С. 104—109. 149. Яркий ВЛ„ Петрик А.Г., Иванов Л. С. и др.//Цветные металлы. 1983. № 7. С. 70-73. 150. ЧащиноеЮ.М., Фалъкевич Э.С, Петрик А.Г. и др.//Цветкые металлы. 1986. N° 4. С. 65-67. 151. Новикова И.И., Воробьев ЮЖ., Воронова С.А. и др.//Сб. науч. тр. Гиредмета. Т. XXV. -М..- Металлургия, 1969. С. 52-55. 152. Ческоков В.П., Бабайцев И.В., Тарадайко В.П. и др.//Пожарная опасность веществ и материалов, применяемых в промышленности. — М.: ВШШПО, 1987. С. 27—33. 153. WohlerF., fluff K.//Liebig Ann. der Chem. 1857. Bd 103. S. 218-219. 154. Гренков И.В., Захаров-Черенков B.K., Иванов Л.С., Сиеошинская Т.Н. Производство полупроводникового кремния за рубежом. — М.: ШШИЦвешет, 1983. — 37 с. 155. Гренков И.В., Иванов Л.С.//Цветные металлы. 1986. К».6. С. 60-64. 156. Plant construction for the production of semiconductor silictm//Chem. Eng. 1986. V. 93. H° 4. P. 15. 157. Жигоч А.Ф., Сгасияевич Д.С. Химия гидридов. - Л.: Химия, 1969. - 676 с: 403 158. Jemejal J„ Skerjanc Л, Smuc M.//Vestnik Sovenskogo Kemickego Drustra. WW. Bd. 11. №1-4. S. 19-23. 159. Bloem J., Glting L.J.//VLSI mectrcoics: Microstracture Science. 1985. V. 12. P. 89-139. 160. JasinskiJ.M., Meycrsm B.S, Scott B.A.//Ann. Rer. Phys. Chem. 1987. V. 38. P. 109-140. 161. Stock A., Somies*: C.//B*r. 1916. Bd 49. S. 111-121,157. 162. Hogness T.R., Wilson T.L., Johnson W.C.IP. Amer. Chem. Soc. 1936. V. 58, P. 108-112. 163. Петрик AS., Фалькевич Э.С, Устинова H.K. //Кремний и германий/Под ред. Э.С фаль-кевича, Л.И. Левишона. - М.: Металлургия, 1969. С. 7. -14. 164. Super high-purity silicon/#EER. Chem. Econ. Eng. Rer. 1976. V. 8. № 4 (94). P. 53. 165. Hsu C, Hogle R, Rohoiyi N. a.o.//J. Electrochem. Soc. 1986. V. 131. № 3. P. 660-663. 166. Хамакава И., Окамато X. //Аморфные полуггооводники и приборы на их основе: Пер. с англ. - М.: Металлургия, 1986. С. 208-235. 167. Rea S.N.IU. Crystal Growth. 1981. V. 54. P. 267. 168. Dugges T.G., Shima R.//J. Crystal Growth. 1980. V. 50. P. 865. 169. ЖвирблянскиИ В.Ю., Степанова Г.М. //Цветные металлы. 1982. № 9. С 64-66. 170. Пивинский Ю.Е., Ромашин А.Г. Кварцевая керамика. - М.: Металлургия, 1974. -264 с. 171. Выдрик Г.А., Соловьева ГЛ., Харитонов Ф.Я. Прозрачная керамика. — М.: Энергия, 1980.-96 с. 172. Ботвинкин О.К., Запорожский А.И. Кварцевое стекло. — М.: Стрс?иэдат, 1965. — 259 с. 173. Нашельский А.Я., Гнилое СВ. Расчеты процессов выращивания легированных монокристаллов. — М.: Металлургия, 1981. - 91 с 174. Burton G.A., Prim R.C., Shchter W.P.//Theoretical J. Chem. Phys. 1953. V. 21. P. 1987-1991. 175. Машков Ю.М. Выращивание монокристаллов методом вытягивания. — М.: Металлургия, 1982.-311 с. 176. Романенко В.Н. Получение однородных полупроводниковых кристаллов. — М.: Металлургия, 1966. -182 с 177. Вевэ В.Е., Мевиус В.И., Пульнер Э. О/ЛЬзетные металлы. 1985. N° 7. С. 54—56. 178. МееиусВМ, Пульнер Э.О.//Пветныеметаллы. 1985. № 9. С. 56-58. 179. Селиикий Ф.И., Макеев Х.И., Эоткин В.Е.//Цветные металлы. 1988. № 3. С. 55-57. 180. HorizaneК., WittA.F., GatosH.G.IU. Electrochem. Soc. 1967. V. 114. P. 738-742. 181. Милееский A.C, Эйденэон A.M., Гарнык В.С. и др.//Легирование полупроводников. — М.: Наука.-С. 140-148. 182. VyittA.F., GatosH.G.IU. Electrochem. Soc. 1966. V. 113. № 7-8. P. 808-813. 183. Сальник 3.A., Эйдааон A.M., Калюжноя СИ., Ясзиркин В.Н.//Электронная техника. Материалы. Вып. 1.' 1981. С. 43-46. 184. Беаэ В.Е., МееиусВ.И., Пульнер Э.О.//Цветные металлы. 1983. № 13. С. 59-61. 185. Hirofu Н., Inoue N.//Japan. 3. Appl. Phys. 1984. V. 23. V. 23. № 8. P. L228-L530. 186. RtiertiD.H.,StephemP.H.,HmtP.H.Ifature.lK7.vi№.K'4Sg7.P.№S-666. 187. Yatsurugi J., Akiyama N.. Endu J., Moxaki T.lll. Electrochem. Soc. 1973. V. 120. № 7. , P. 975-979. 188. HassCI/}. Phys. Chem. Soc. I960. V. 15. P. 108-113. 189. Волле B.M., Макоеецкю B.M.. Вавилов B.C.//MT. 1962. т. 4. Вып. 5. С. 1374-1378. 190. BeureftA., Thiboult-Demux J., Seidman D.N.I/3. Appl. Phys. 1984. V. 55. № 4. P. 825-836. 191. Bailey W.E., Bowline R.A., Bean К.Б.Щ. Electrochem. Soc. 1985. V. 132. № 7. P. 1721-1725. 192. Mmkmski J.R.IISol. State Techn. 1983. V. 24. № 7. p. 44-51. 193. Гуясина Л.Г., фалькевич Э.С //Цветные металлы. 1987. №9. С. 58-59. 194. Fuller C.S., Logan R.//I. Appl. Phys. 1957. № a P. 1427-1436. 195. Oftsowa A., Takaava R„ Honda К. a.o./A. Appl. Phys. 1982. V. 53. № 8. P. 5733-5737. 196. Бокова В.И., Гришин В.П., Луди» B.B., Янчееская В.А.//Науч. тр. Птельдета. Т. 110. -М.: Гиредмет |
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 |
Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb) |
[каталог] [статьи] [доска объявлений] [прайс-листы] [форум] [обратная связь] |
|
Введение в химию окружающей среды. Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей
среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги
заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в
разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности.
Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и
атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на
химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах.
Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии
университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга
читателей.
Химия и технология редких и рассеянных элементов. Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов
химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии
лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во
второй
части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана,
лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В
третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия,
тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание
уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В
технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика
рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов
производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие
составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по
1972 год включительно.
|
|