химический каталог




Технология полупроводникового кремния

Автор Э.С.Фалькевич, Э.О.Пульнер, И.Ф.Червоный, Л.Я.Шварцман и др.

лектроника. — § Киев: Наукова думка. 1975.-704 с. *

53. Yaw C.L., Dickens L.L., Lutuack В., Hsu G.//Sol. State Techn. 1981. January. P. 87-92. |

54. Meda L., Cerofolini G.F., Queinb G.//Progres5 in Crystal Growth and Characterization. и 1987. V. 15. P. 97-134. f

55. Полупроводники/Под ред. Н.Б. Хеннея: Пер. с англ./Под ред. Б.ф. Ормонто. - М.: Ъ ИЛ, 1962.-667 с.

56. Павлов Л.П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. - f 2-е изд., перераб. и доп. — М.: Высшая школа, 1987, — 239 с

57. Багавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение параметров полупроводни- 4 ковых материалов и структур. — М.: Радио и связь, 1985. — 263 с.

58. Рейви К. Дефекты и примеси в полупроводниковом кремнии: Пер. с англ./Под ред. СИ. Горина. - М.: Мир, 1984. - 472 с.

400

1

59. Гусквна Л.Г., Данковский Ю.В., Доброхотов Г.А. я др.//Кремний и германий. - м • Металлургия, 1970. Вып. 1. С. 38-52.

60. Бублик В. Г., Дубровина А.Н. Методы исследования структуры полупроводников и металлов. - М.: Металлургия, 1978. - 272 с.

61. Chihoviefh A.G., Pearson G.I.//J, Appl. Phys. 1958. V. 29. If 7. P. 1103-1110.

62. лигеA.D., Kuttn S.A., Anrbach fl.l.//Phys. Rer. 1956. V. 101. If 4. P. 1285-1291.

63. Lawrence LA. Semiconductor SiliconTEd. by R.R. Haberecht, E-L. Kern. N.—Y.: John Wiley a Sons. 1969. - 585 p.

64. Sttnikm A.A., Soroktn L.M., Talanin E.L a.o./ffhys. Stat. Sol. (a). - 1985. P. К 31—К 33.

65. Шейхет Э.Г., Трайнин Л.Л., Неймарк K.H., Фалькевич Э.С.//ФТТ. 1977. Т. 19. С. 1515-1518.

66. Крылова И.О., Мелинг В.А., Шульпина И.Л., Шейхет Э.Г.//ФТТ. 1986. Т. 28 С. 440-446.

67. Ситников» А.А., Сорокин ДМ, Шейхет Э.Г.//ФТТ. 1987. Т. 29. С. 2623-2628.

68. Ситниковв А.А., Сорокин Л.М., Толснин И.Б. и до.//ФТТ. 1986. Т. 28. С. 1829-1833.

69. Осоеский М.И., Фалькевич Э.С, Червоный И.Ф./1Язв. АН СССР. Неорганические материалы. 1983. Т. 19. С. 476-477.

70. Voronkm V. V.I 15. Crystal. Growth. 1982. V. 59. P. 625-643.

71. Abe Т., Harada H, Chikaia /.//Physiea, 1983. V. ВС 116. P. 139-147.

72. Шейхет Э.Г., Фалькевич Э.С, Неймарк К.Н. и дрЛФТТ. 1984. Т. 26. С. 207-213.

73. Sitnikna А.А., Sorokin L.N., Talantn LE a.o.//Phys. Stat. Sol. 1984. V. 81. P. 433-438.

74. foil H., Kclbexn B.O.//J. Appl. Phys. 1975. V. 8. P. 319-331.

75. PetroffPM., KockA.LR.I/3. Crystal Growth. 1975. V. 30. P. 117-128.

76. Двнковский Ю.В., Трубицын Ю.В., Шкляр Б.Л.//Тезисы VIII Всесоюзной конференции по методам получения и анализа высокочистых веществ (химии высокочистых веществ), 1988. Ч. 3. - Горький, Институт химии АН СССР, 1988. С. 76-78.

77. Шкляр Б.Л., Шерихель В.А., Данковский Ю.В. //Журнал прикладной спектроскопии. 1988. Т. 48. С. 817-819.

78. IVaninabe М., Г/sami Т., Muraoka Н. a-o./ZSemiconduct. Silicon 1981, Ргос. 4th Internet. Symp. Silicon Mater. Sci„ 1981. - 11-15 May. N.-Y.: Bennington, 1981. P. 126-137.

79. Лцвсл H.A., Schulse F. VI., Grabmaier J. G. //VOl - Ber. 1982. № 545. S. 1227-1256.

80. RustioniM., Garavaglia R., Jteini S.//J, Electrochem. Soc. 1982. V. 129, Н» 8. P. 332.

81. Hahorsen G., Schlussier C.//Alum. Techno). 86, Proc. Int. Conf. London, 11-13 March, 1986. - London: Butterwoiths, 1986. P. 139-146.

82. AgraialA.K, AustinA.EW. Electrochem. Soc. 1980. V. 127. № 3. P. 117.

83. MonmerR./iChimia. 1978. V. 37. № 4. P. 109-124.

84. Шлшкое m.H. Металлургия полупроводников. — M.: Металлургиздат, 1960. — 212 с.

85. BofheyB.R., CretellaM.Cin.Mater.Sci. 1982. V. 71.If 11.P. 3037-3096.

86. Helbertein J.V.R., Lowry I.F., Meyer 2.N.//J.S.P.C. - 4th Int. Symp. Plasma Chem. Top. Meet interact. Low Press. Plasma Solid Surfaces Round Table Therm. Plasma Process. Zurich, 1979. Conf. Proceedings. V. 2. P. 716-722. ~

87. Мазда М.//Кодзюндо сирикои-ю манетто То соно Сэйдэо гидзюду. Сзйсан кэнкю. — 1986. Т. 38. № 9. С. 425-433.

88. Coryfe S., Herrick A., Jama G. KrieblellS. Electrochem. Soc. 1960. V. 107. If 2. p. 111-117.

89. Hb'IM.ngR.//Zt. Angew. Chem. 1927. S. 655-659.

90. Ярки» B.H., Петрик А.Г., Фалькевич Э.С.//Цветные металлы. 1988. Н° 6. С. 70-73.

91. NtcSlau FL, Maes Сл., GrigormiciE//Rvr. Chem. 1960. V. 11. If 8. P. 468-476.

92. Венги» СИ., Чистяков A.C Технический кремний. - М.: Металлургия, 1972. - 206 с.

93. Рагулина Р.И., Бмлин Б.И. Электротермия кремния и силумина. — М.: Металлургия, 1972.-240 с.

94. Бё-орое А.Н., Моркин А.Р. Электрические печи. — М.: Металлургия, 1972. - 213 с.

95. Лалидус И.И., Нисельсон Л.А. Тетрахлорсилан и трихлорсилан. - М.: Химия. 1970. — 128 с.

96. Морачевскис. А.Г., Сладкое И.Б. физико-химические свойства молекулярных неорга401

кических соединений (Экспериментальные данные и методы расчета). - Л.: Химия, 1987.-192 с.

97. Термические свойства индивидуальных веществ/Под ред. fl-Л. Глушко. — М.: Наука. Т. 1. Кн. 2. 1978. - 326 с; Т. 2, Кн. 2. 1979. - 340 с; Т.З. Кн. 2. 1981. - 326 с; Т. 4. Кн. 2. 1982. -558 с.

98. Drewy М.А., Schenck W.L., Smith LR. a.o.//Sol. State Techn. 1973. V. 1. J

страница 114
< К СПИСКУ КНИГ > 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119

Скачать книгу "Технология полупроводникового кремния" (4.95Mb)


[каталог]  [статьи]  [доска объявлений]  [прайс-листы]  [форум]  [обратная связь]

 

 

Реклама
вытавление цветов в магазинах
фен-шуй купить оптом
комплектующие сантехники gessi
курсы кроики и шитья штор и лабрекенов в хабаровске

Рекомендуемые книги

Введение в химию окружающей среды.

Книга известных английских ученых раскрывает основные принципы химии окружающей среды и их действие в локальных и глобальных масштабах. Важный аспект книги заключается в раскрытии механизма действия природных геохимических процессов в разных масштабах времени и влияния на них человеческой деятельности. Показываются химический состав, происхождение и эволюция земной коры, океанов и атмосферы. Детально рассматриваются процессы выветривания и их влияние на химический состав осадочных образований, почв и поверхностных вод на континентах. Для студентов и преподавателей факультетов биологии, географии и химии университетов и преподавателей средних школ, а также для широкого круга читателей.

Химия и технология редких и рассеянных элементов.

Книга представляет собой учебное пособие по специальным курсам для студентов химико-технологических вузов. В первой части изложены основы химии и технологии лития, рубидия, цезия, бериллия, галлия, индия, таллия. Во второй части книги изложены основы химии и технологии скандия, натрия, лантана, лантаноидов, германия, титана, циркония, гафния. В третьей части книги изложены основы химии и технологии ванадия, ниобия, тантала, селена, теллура, молибдена, вольфрама, рения. Наибольшее внимание уделено свойствам соединений элементов, имеющих значение в технологии. В технологии каждого элемента описаны важнейшие области применения, характеристика рудного сырья и его обогащение, получение соединений из концентратов и отходов производства, современные методы разделения и очистки элементов. Пособие составлено по материалам, опубликованным из советской и зарубежной печати по 1972 год включительно.

 

 



Рейтинг@Mail.ru Rambler's Top100

Copyright © 2001-2012
(02.12.2016)